【产品】高度仅12mm、采用IGBT S5技术的对称降压-升压拓扑结构功率模块，可应用于UPS（不间断电源）等

时间： 2019-04-07 来源：Vincotech

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功率模块,降压-升压拓扑功率模块,10-FZ07BBA075S5-L684L58,Vincotech

VINCOTECH（威科）是全球领先的电力电子模块（IGBT模块）解决方案的供应商，10-FZ07BBA075S5-L684L58是Vincotech公司推出的一款采用对称降压-升压结构的功率模块，属于flowBUCK-BOOST 0产品线，可应用于UPS（不间断电源）等领域。

图1 10-FZ07BBA075S5-L684L58封装外形图

10-FZ07BBA075S5-L684L58的击穿电压为650V，标称芯片电流额定值为75A，采用了紧凑型的flow 0封装，器件面积为68.4mm x 32.5mm，高度仅为12mm，适用于对电路板空间要求苛刻的应用。该模块采用了焊接引脚并通过夹式安装实现可靠的机械连接，适合波峰焊；其基板隔离材料为Al₂O₃，并采用凸形基材，提供出色的热接触性能。

该款功率模块降压开关的集电极-发射极电压为650V，集电极电流为42A；升压开关的集电极-发射极电压为650V，集电极电流为58A。降压二极管的反向重复峰值电压为650V，连续正向电流为33A；升压二极管的反向重复峰值电压为650V，连续正向电流为55A。该器件的存储温度范围为-40℃到125℃，工作温度范围为-40℃到（T_jmax-25）℃，其中T_jmax为模块最大结温，此处为175℃。

10-FZ07BBA075S5-L684L58采用了对称降压-升压器拓扑结构，开尔文发射极可改善开关切换性能，温度传感器可简化模块温度监测电路的设计。此外，它采用了英飞凌先进的IGBT S5芯片技术，提供高速和平滑的开关性能，并具有低栅极电荷和极低的集电极-发射极饱和电压等特性。

图2 10-FZ07BBA075S5-L684L58拓扑结构图

10-FZ07BBA075S5-L684L58产品特性：

·对称降压-升压器拓扑结构

·击穿电压为650V

·标称芯片电流额定值为75A

·紧凑型的flow 0封装

·焊接引脚，夹式安装

·基板隔离材料为Al₂O₃，并采用凸形基材

·存储温度范围为-40℃到125℃

·工作温度范围为-40℃到（T_jmax-25）℃

·IGBT S5芯片技术

10-FZ07BBA075S5-L684L58应用领域：

·UPS（不间断电源）

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沉浮 Lv7. 资深专家 2019-04-07

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duanmaxie Lv8. 研究员 2019-04-07

可以

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