【产品】175V/250V/300V硅开关二极管裸片，平均正向电流0.2A
Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)公司是世界顶级分立半导体制造商，Central推出的CPD80V-1N3070，CPD80V-CMPD2003和CPD80V-CMPD2004是硅开关二极管裸片，适用于所有类型的商业，工业，娱乐和计算机应用。它们的实物如图1所示，具有耐压高、正向压降低以及反向恢复时间短等优点。
图1 CPD80V-1N3070，CPD80V-CMPD2003和CPD80V-CMPD2004硅开关二极管裸片的产品示意图
在工作温度为25℃的条件下，CPD80V-1N3070，CPD80V-CMPD2003和CPD80V-CMPD2004硅开关二极管裸片具有高电压特性，它们的反向重复峰值电压最大额定值分别为175/250/300V。其中，CPD80V-CMPD2003和CPD80V-CMPD2004的反向持续工作电压最大额定值分别为200/240V。CPD80V-1N3070，CPD80V-CMPD2003和CPD80V-CMPD2004的平均正向电流IO最大额定值均为200mA。它们的持续正向工作电流IF最大额定值分别为500/250/225mA。
CPD80V-1N3070，CPD80V-CMPD2003和CPD80V-CMPD2004硅开关二极管裸片的正向重复峰值电流IFRM最大额定值分别为600/625/625mA。它们的正向峰值浪涌电流IFSM在tp=1.0μs的条件下，最大额定值均为4.0A；在tp=1.0s的条件下，最大额定值均为1.0A。它们的工作温度和存储结温范围为-65至+150°C，操作结温最高额定值为150℃，能够适应较为恶劣的工业温度环境，满足大部分应用对于环境温度的需求，保证器件稳定性。
在工作温度为25℃的条件下，CPD80V-1N3070，CPD80V-CMPD2003和CPD80V-CMPD2004的漏电流在反向电压分别为175/200/240V的条件下，最大值均为100nA，泄露电流所造成的危害较小，从而能够较好的保护敏感设备。CPD80V-1N3070，CPD80V-CMPD2003和CPD80V-CMPD2004在正向电流为100mA时，它们的正向压降最大值均为1.0V。低饱和压降有效降低了导通损耗；三款产品的结电容CJ在VR=0，f=1.0MHz的条件下，最大值均为5pF，可减少信号衰减和失真，保持信号的完整性。在相应测试条件下，三款产品的反向恢复时间最大值均为50ns。
图2 CPD80V-1N3070，CPD80V-CMPD2003和CPD80V-CMPD2004的典型电气特性图
CPD80V-1N3070，CPD80V-CMPD2003和CPD80V-CMPD2004硅开关二极管裸片的机械参数:
·裸片尺寸16.1x16.1MILS
·裸片厚度7.1MILS
·阳极焊盘尺寸8.3X8.3MILS
·晶圆直径5英寸
CPD80V-1N3070，CPD80V-CMPD2003和CPD80V-CMPD2004硅开关二极管裸片的主要运用领域:
·商业，工业，娱乐和计算机应用
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型号- CMDD4448,CMOD4448
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品牌：Central Semiconductor
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品牌：Central Semiconductor
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