【产品】漏源通态电阻320mΩ的碳化硅MOSFET，采用薄型低寄生电感封装，符合RoHS标准
即思创意（Fast SiC Semiconductor Inc., FSS）推出FL06320系列碳化硅MOSFET（650V，320mΩ），可兼容标准12V门驱动器，具有高雪崩耐受能力及高可靠性，大大提高系统效率，采用薄型低寄生电感封装，结温/储存温度为-55℃至175℃，符合RoHS且不含卤素物，应用前景广阔。
产品信息
产品特性
优化的漏源通态电阻，带快速开关动作
薄型低寄生电感封装
纯正的开尔文源极开关（FL06320G）
与标准12V门驱动器兼容
高雪崩耐受能力
针对大功率密度应用进行了优化
采用结构紧凑的MSL-1 SMT封装
符合RoHS，无卤素
优势
系统效率更高
提高并联器件的便利性
可用于高温应用
允许高频操作
实现轻巧的系统
可靠性高
应用前景
开关电源
功率因数校正
便携式适配器
通信电源
再生能源
D类放大器
关键性能参数
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目录- SiC Schottky Diode&SiC MOSFET
型号- FL12190A,FF06100G,FC06008D,FF06100F,FC06006A,FC06008C,FC06008B,FF06100D,FC06008A,FF06320B,FF06320A,FF06030Q,FF17900E,FH06010C,FH06020E-3,FL06320B,FH06020E-2,FL06320A,FC06006D,FC06016C,FC06006C,FF17900Q,FC06010C,FH06004C,FH06006C,FC06002X,FL06150A,FL06320G,FF061K4A,FF12040Q
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产品型号
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品类
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Power Dissipation(W)
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Continuous Drain Current(A)
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Gate Charge(nC)
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Output Capacitive Charge(nC)
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Avalanche Energy(mJ)
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FL12190A
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碳化硅肖特基二极管
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88
|
10
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30
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41
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200
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型号- G2M080120D7
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