【产品】漏源通态电阻320mΩ的碳化硅MOSFET，采用薄型低寄生电感封装，符合RoHS标准
即思创意（Fast SiC Semiconductor Inc., FSS）推出FL06320系列碳化硅MOSFET（650V，320mΩ），可兼容标准12V门驱动器，具有高雪崩耐受能力及高可靠性，大大提高系统效率，采用薄型低寄生电感封装，结温/储存温度为-55℃至175℃，符合RoHS且不含卤素物，应用前景广阔。
产品信息
产品特性
优化的漏源通态电阻，带快速开关动作
薄型低寄生电感封装
纯正的开尔文源极开关（FL06320G）
与标准12V门驱动器兼容
高雪崩耐受能力
针对大功率密度应用进行了优化
采用结构紧凑的MSL-1 SMT封装
符合RoHS，无卤素
优势
系统效率更高
提高并联器件的便利性
可用于高温应用
允许高频操作
实现轻巧的系统
可靠性高
应用前景
开关电源
功率因数校正
便携式适配器
通信电源
再生能源
D类放大器
关键性能参数
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应用方案 发布时间 : 2023-08-04
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
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