【产品】单线单向超低电容TVS二极管SEH0511D9，采用先进的单片硅技术，电容低至0.6pF
萨瑞微电子推出一款单线单向超低电容TVS二极管SEH0511D9，采用先进的单片硅技术，可提供快速响应时间和低ESD钳位电压特性，使该器件成为保护电压敏感高速数据传输线的理想解决方案。器件具有典型值低至0.6pF的超低电容特性，符合IEC61000-4-2（ESD）标准，可提供±25kV空气放电和±20kV接触放电的ESD防护等级；器件采用SOD-923（1.0X0.6X0.42mm）超小型无铅外壳封装，其小尺寸封装、超低电容特性和高ESD浪涌保护能力，使其成为保护诸如手机、数字视频接口，HDMI，DVI，USB2.0，USB3.0和其他高速数据端口应用的理想选择方案。
TA=25℃、RH=45%-75%时，器件峰值脉冲功率为75W（tp=8/20μs，波形）；峰值脉冲电流为5A（8/20μs）；在VR=0V，f=1MHz条件下，其结电容典型值为0.6pF；反向工作电压最大值为5V，器件工作温度范围为-55℃至125℃，存储温度范围宽至-55℃至150℃，器件引脚配置如下图所示：
产品特点
超小型封装：1.0X0.6X0.42mm
支持保护1条数据或者电源传输线
工作电压：5V
超低电容：典型值0.6pF
2-Pin脚无引线封装
符合以下标准：
IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度试验：
空气放电：±25kV
接触放电：±20kV
IEC61000-4-5（雷击）5A（8/20ns）
符合RoHS标准
机械特性
器件封装：SOD-923(1.0X0.6X0.42mm)
外壳材料：绿色环保塑封
可燃性分类等级：UL94V-0
湿度敏感度：3级（J-STD-020标准）
产品应用
手机及其配件
显示端口
MDDI端口
USB端口
数字视频接口（DVI）
PCI Express和串行SATA端口
最大额定参数（TA=25℃，RH=45%-75%，除非另有说明）
电气特性（除非另有说明，TA=25℃）
产品订购信息
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萨瑞微电子（SALLTECH）ESD保护器件选型表
目录- ESD
型号- SEN1821D3,SEU0524PC,SEN0501D3,SEN0501D5,SEN1201P1,SEN1201P0,SES2411P6,SES2411P1,SEN1531D5,SEN3321P1,SEL0521D5,SES2411P4,SES2011P4D,SEN0522P1,SEN0512S2,SEN0512S4,SEU0501P0,SEL1211S2,SEU0501P1,SES0521P1,SEN0512S9,SEN0731D5,SEN0802S2,SEN3612S2,SEU0512P1S,SES0701P1,SEN2411P1,SEN2411P0,SES4521D3,SEH0532P1,SEP3011P6,SEU3301P1,SEU3301P0,SEL0532S2,SEN3301D5,SEN0551D5,SEN3611P1,SEN3301D3,SEH0511D5,SEL3314P8,SES0501D3,SEN3312S2,SES0501D5,SEU1511D5,SEP1011P6,SEN1231D5,SEN3601D3,SEN2401P0,SES2011P1,SEP4511P6,SES4511D3,SEP0501P6,SES2011P4,SEU3324PC,SEH0801D3,SEU3311P1,SES3301D5,SEN0701P1,SEN0701P0,SES3031P4,SEN2401P1,SEN2414S2,SES2631P4,SES1011D3,SEN0502S2,SEN2402S2,SEN1551P1,SES0511P1,SEH2401P6,SES0511P4,SEU2401P0,SEU2401P1,SEN0812S2,SEN1212S2,SES0521D3,SM3612S2,SEL0502P1,SEU0501D5,SES1511P4,SES1511P6,SEP0711P6,SEH1201D3,SEN0501P0,SEL3301P1,SEN1211P6,SEN1211P1,SEN1811D5,SEU1501D5,SEP4831PD,SEU1512SD,SEN4501D5,SEN3611D5,SEN3302S2,SEP4551P1,SEN3611D3,SEU0511P1,SES0531P1,SEH0511P0,SEN1531P1,SEN2001D1,SEH1501P6,SEL0514S5,SEN0711P6,SEL0514S2,SEL0501P0,SEL0501P1,SEH3301D3,SEN0811D3,SEL0541D5,SEN3301D5-1,SEN3301P0,SEN0811D5,SEH0512S4,SEN2412S2,SEH0801P6,SEN0515S3,SEN0502P1,SEH0512S2,SEU1511P1,SEU0521P0,SEU0518PB,SEH0501D3,SEN2401D3,SEN0531D5,SEP2011P6,SES0511D3,SEN1202S2,SEH0512S9,SEU1211D5,SEP4501P4,SEP4501P6,SEU3324PCS,SEN0701D5,SES1011P4,SEN2401D5,SPH0603H30,SEH0504S6,SEN1211D3,SES1511D3,SEU1201D5,SEU0521P1S,SEN2432S2,SEN1211D5,SEN2011D1,SEN4501P1,SES0711D3,SEP2411P6,SES0531D3,SEN1512S2,SEL0502S4,SES3011P4,SEU0501P1-C,SEP1211P6,SEH3301P6,SEN1811P1,SEN1501D5,SEN1501D3,SEH0503S1,SEU1501P1,SEN1811P6,SEN2411D3,SEN1221P1,SEN2411D5,SEU0504PC,SEN2701D3,SES2431P4,SEN1511D3,SES1211D3,SEH1501D3,SEL0501D3,SM712,SEU2411D3,SEU2411D5,SEH0514S3,SEN0532S4,SEN0532S9,SEN1801P1,SEL0501D5,SEH0501P1,SES0541P1,SEH0501P0,SEN1511D5,SEN0711D5,SEN1801P6,SEL3321P1,SEN0711D3,SEU1211P1,SEU1211P0,SES1811P4,SES4501P4,SEU3304PC,SEL0524S2,SEN1521P1,SES4501P1,SEH0501P6,SEL3301D3,SEN2431P1,SEN1201D5,SEN1802S2,SEN1201D3,SEU3312P1S,SES0711P4,SEU1201P1,SEU1201P0,SES0711P1,SEN2431D3,SEN1502S2,SEH1521D3,SEH3321D3,SES3311P1,SEL2501P1,SEP2411D1,SES3311P4,SES2411D5,SEL4501P6,SES2411D1,SEU3301P0-C,SEU3304PCS,SES2411D3,SEH2422S2,SEL0501P1-1,SEN0511D3,SEN0511D5,SEN1501P1,SES3011D3,SEL0201P0,SEN3301DBH,SEN0522S4,SEN1221D5,SEN0522S9,SEL2011P6,SEL0521P1,SEL0511S2,SES4511P4G,SEN1511P6,SES4511P4,SEN1511P1,SEH2401D3,SEH3301D3-1,SEU0501P0-C,SEN2501P1S,SEN0521P1,SES0501P0,SES0501P1,SEN3311D5,SEN1511PM,SEN3601P1,SEU2411P0,SES1211P4,SEU2411P1,SEN3311D3,SEN1831D3,SEN1231P1,SEL0541D5-1,SPH0603H24,SEP3311P6,SEH1201P6,SEH0516S8,SEP4531P1,SEU2401D3,SEH1201P1,SEU2401D5,SES3301P1,SES4501D3,SEP0511P6,SES4501D5,SEN3602S2
萨瑞微电子2023年专利介绍：一种Trench MOS器件及其制备方法
本发明涉及半导体电子器件领域，具体为一种Trench MOS器件及其制备方法。针对现有技术中沉积金属前注入与阱区掺杂离子同类导致BV下降的问题，本发明提出一种新制备方法，包括在P型外延衬底上刻蚀沟槽、沉积介质层、生长多晶硅栅极、进行N型和P型掺杂形成阱区和源极、在凹槽内先后进行P型和N型离子注入并沉积金属。该方法通过先注入P型离子抑制N型离子扩散，使阱区平滑，抑制BV下降，提高了器件性能。
萨瑞微电子（SALLTECH）MOS选型表
目录- MOS
型号- SR2300K,SR150PE2PH,SR2300B,SR3139KDS6,SR3139KDS3,SR2N7002KDS3,SR250P03,SR3134KPD,SR2301DSC,SR340N06,SR2SK3018,SR46N06T5,SR2SK3019,SR270P03T4,SR3437KS3,SR4449T4,SR100N02P4K,SR2N7002KS4,SR3437KS6,SR2N7002KS9,SR150PE2P4,SR2399,SR3134KS9,SG70N12PS,SR32D040,SR4449SC,SR2310B,SR200P02SA,SR43N03PS,SR85P03T4,SR3134KSD,SG28N06T6,SR4449S2,SR300C03SC,SR400N10T4,SR43N03PH,SR2N7002KP1,SR400N10T5,SR4449S8,SR3134KS4,SR3134KS2,SR140P03PH,SR500N02SD,SR100A02P4K,SR2N10,SR80N02,SR3139KSD,SR520P06PH,SR2N7002DS3,SR3139KS2,SR420P03P4,SR180P06PS,SR3139KS9,SR3139KS4,SR360C03SC,SR01P10,SR190N03PH,SR170N02S8K,SR19N03T6,SRN30P03Q,SR150N01P4,SR2305B,SR2N7002SD,SR2305A,SG45N04PS,SR75P03PH,SR138KSD,SR2K4N02KS4,SR3137KS9,SR2N7002S4,SR57P03PS,SR84K,SR25N04PS,SR11NE4PS,SR2N7002S9,SG45N04PH,SR3137KSD,SR900N10,SG22N10T6,SR380N02P4,SR90P06T6,SR57P03PH,SR3137KS2,SR3137KS4,SG27N10T6,SG27N10T5,SR2310,SG150N15T4,SG150N15T7,SR4008SC,SR170N02P4K,SR3160KDS3,SG45N04T4,SR66N08T5,SG27NE8T66,SR66N08T6,SR550P02,SR115P03PS,SR2309,SR24N03T5,SR850N06P4,SR118N02SCK,SR2307,SR2306,SR1211,SR2301,SR4953DS8,SR2300,SG26N03PS,SR2303,SR3415K,SR2302,SR66N08T4,SR3408SD,SG70N12T5,SR350N04,SR360C03P4,SC350N1K2TA,SR43N03T4,SR900N10PH,SR57P03T4,SR123K,SR4007SC,SR4406S8,SR25N04T6,SR27N03T4,SR2SK3541,SR2301SD,SR25N04T4,SR25N04T5,SR30N03T4,SR54N03PS,SR850P02P1,SR54N03PH,SG46N10T6,SG46N10T5,SR320A03P4,SR3415,SR2323,SR37K,SR130A02P4K,SR29N03T5,SR3160KS9,SR2321,SR3137KDS3,SR3137KDS6,SR29N03T4,SR3005DSC,SR35N03PH,SR116A02SC,SG45NE8PS,SR98P03PH,SR123KP1,SR3161KP1,SR35N03PS,SR3408,SR170A02P4K,SR61N03T4,SR98P03PS,SR3404,SR230N06T4,SR3407,SG22N10T66,SR3406,SR112N06S8,SR2312,SR33N04PH,SR3401,SR2311,SR3400,SR3402,SR4407S8,SR3004DSC,SR900N10T4,SR210P06T5,SR210P06T4,SG80N06PH,SR210P06T6,SR3160KP1,SG9NE4PS,SR127P03PH,SR145N10T4,SR39K,SR98P03T4,SR112N06T5,SR112N06T6,SR112N06T4,SR2302S4,SG22N10TL,SR130A06PS,SR270N03P4,SR30N03PS,SR42N04SF,SR2N7002,SG150N15PS,SG27NE8T5,SG27NE8T6,SR2305K,SR250P03P4,SR39N03PH,SR3161KDS3,SG46N10PS,SR180P03S8,SR3439KS3,SR3439KS6,SR2333,SR42N04T4,SR750N03SD,SR3415KSC,SR29N03PS,SRS2D040,SR42N04PH,SR100N02P4,SR2N7002K,SR400N15S8,SG45NE8T6,SG45NE8T5,SG45NE8T4,SR150P02S8,SR61N03PH,SR35N03T4,SR42N04PS,SR450N10T4,SG25N06T5,SR650N10T4,SR56N04PS,SR61N03PS,SR750P06SF,SG23N10T6,SR27N03PH,SR84KSD,SR138K,SR3161K,SR70N06T4,SR250P06T4,SR150PE2,SR200P02,SG39N10T6,SR63N06PS,SG39N10T5,SR27N03PS,SR100N03T4,SR360N03P4,SR280P02P4K,SR84,SR3N40SFK,SR150PE2T4,SR112N06PH,SR100A03S8,SR57N03PS,SR2N7002KSD,SR260C04PS,SR95N03PH,SR100N03P4,SR8205DSC,SR3160K,SR3415SC,SR116N02P4,SR138KDS3,SR53P02PH,SR180P06T4,SR3134KDS6,SR3134KDS3,SR700P02SJ,SR100N03PH,SR2314P4,SR200P02P4,SP13KN60SF,SR100N03PS,SR40N03T4,SR4449DS8,SR380P02SCK,SR490P06PS,SR23H1,SR520P06T4,SR127P03T4,SR123KDSC,SR140P03T4,SR230A06P4,SR34K,SR320N03S8,SR50N04T4,SR112N06PS
萨瑞微电子ESD保护器件选型表
萨瑞微提供的ESD保护器件(ESD Diode)，先进的单片硅技术，保护电压敏感的数据和电源线；符合IEC-6100-4-2 4级ESD标准（±30kV空气和±30kV接触）放电电压；符合IPC/JEDEC J-STD-033C MSD 3级标准；超小尺寸DFN封装；主要应用于手机和配件、个人数字助理、笔记本和手持设备、便携式仪器、数码相机、外围设备、音频播放器、键盘、侧键、LCD显示器等。
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产品型号
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品类
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极性
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Max Reverse Working Voltage VRWM(V)
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Junction Capacitance Cj(pF)
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Peak Pulse Current IPP@8/20uS(A)
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Min Breakdown Voltage VBR(V)
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Max Breakdown Voltage(V)
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Max Leakage Current IR@VRWM(uA)
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Max Clamping Voltage VC@lpp1A 8/20uS(V)
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Max Clamping Voltage Vc@Ipp=Max Clamping Voltage(V)
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Max Peak Pulse Power PPP(W)
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Marking
|
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SEL0201P0
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ESD Diode
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双向
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2.5
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20
|
8
|
3.1
|
4.5
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0.2
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4.2
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7
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55
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C02
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选型表 - 萨瑞微电子 立即选型
江西萨瑞微电子携多款保护器件、二三极管亮相2024深圳国际电子展，圆满落幕
2024年8月27日至29日，江西萨瑞微电子参加了在深圳会展中心举办的2024深圳国际电子展。此次参展，萨瑞微电子以其创新的技术、优质的产品和专业的团队，吸引了众多业内人士和观众的目光，展位现场人头攒动，交流热烈，圆满完成了此次展会任务。
萨瑞微电子MOS选型表
N型或P型低Rds(ON)阻抗选择，开关电压转换低功耗，符合 IPC/JEDEC J-STD-033C MSD Level 3，UL 易燃性等级 94V-0，Leadless Chip设计降低了结电容，6针或8针选择适合多功能产品应用，表贴封装，先进的沟槽电池设计，极低的阈值电压，ESD保护，低 RDS(ON) 和 FOM，具备优异的稳定性和均匀性。
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产品型号
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品类
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封装
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Type
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Vds（V）
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Vgs（V）
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Rds(on) Vgs=10V Typ(mΩ)
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Rds(on) Vgs=10V Max(mΩ)
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Rds(on) Vgs=4.5V Typ(mΩ)
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Rds(on) Vgs=4.5V Max(mΩ)
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VGS(th) Min（V）
|
VGS(th) Max（V）
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ID （A）
|
PD （W）
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ESD
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Dynamic.Ciss（pf）
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Dynamic.Coss（pf）
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Dynamic.Crss（pf）
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Dynamic.Rg（Ω）
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Marking
|
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SR3406
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MOSFET
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SOT23
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SN
|
30
|
20
|
65
|
82
|
75
|
95
|
1
|
3
|
3.6
|
1.25
|
No
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288
|
57
|
39
|
3
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R6
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选型表 - 萨瑞微电子 立即选型
江西萨瑞微电子亮相2024泰国电子展，重点展示MOSFET、ESD、TVS、Schottky等主营产品
江西萨瑞微电子在2024年泰国国际电子元器件及生产设备展会上，顺利地落下了帷幕。这次展会对萨瑞微电子来说，可以说是收获满满，精彩不断。展会上，萨瑞微电子重点展示了MOSFET、ESD、TVS、Schottky等主营产品。未来，萨瑞微电子将继续坚持技术创新，不断提升产品质量和服务水平，积极拓展国际市场，为全球客户提供更加优质的产品和解决方案。
江西萨瑞微电子邀您共聚深圳国际电子展
江西萨瑞微电子诚邀您参加2024年8月27日至29日在深圳会展中心（福田）举办的深圳国际电子展，展位号1J07。将展示保护器件、二三极管、MOSFET、模拟IC等产品，应用于消费电子、通信等领域。期待与您共探技术发展与合作机会。
萨瑞微电子产品应用手册电子烟应用方案
描述- 本手册详细介绍了萨瑞微电子在电子烟领域的应用方案，包括电子烟（换烟弹）、烤烟（加热不燃烧）、电子烟（加烟油）和一次性电子烟等类型。手册中涵盖了电子烟的充电端防护方案、电池供电端防护方案、按键处静电防护方案、咪头静电防护方案以及MOS应用等。此外，还介绍了萨瑞微电子的发展历程、产品类别、企业规模和企业愿景。
型号- SR2321,SEL0501P1,SR42N04PH,SEN0711P1,SEP4531P1,SR150PE2,SR250P03P4,SR250P03,SROV3605A,SR2305A,SR150PE2P4,SR2333,SR100N03PH
萨瑞微电子整流器选型表
玻璃钝化芯片;低正向压降;低漏电流;高正向浪涌能力;高温焊接：端子260°C / 10S;组件符合 ROHS 2002/95/1 和 WEEE 2002/96/EC
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产品型号
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品类
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PPK Voltage PRv VPK
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Resistive Load 60Hz lo@T AAV
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Resistive Load 60Hz lo@T ℃
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Surperimposed @8.3ms lFM(Surge) APK
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@PRV@25°CT IR uAdc
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@25°CT IFM APK
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@25°CT VFM VPK
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PACKAGE
|
|
GBP410
|
Rectifier
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1000
|
4
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25
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150
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10
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1
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1.1
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GBP
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选型表 - 萨瑞微电子 立即选型
萨瑞微电子诚邀您参加2024年越南河内国际电子元器件及生产设备展览会
江西萨瑞微电子将参加2024年越南河内国际电子元器件及生产设备展览会（NEPCON VIETNAM 2024），这是东南亚地区最具影响力的电子制造行业盛会之一。展会将于2024年9月11日至9月13日在越南河内举行，届时萨瑞微电子将在L15号展位恭候您的光临。
XB-HDMI series HDMI连接器规格书（XB-HDMI series HDMI Connector SPECIFICATION）
描述- 本资料为HDMI连接器产品规格书，详细描述了HDMI连接器的性能、测试和质量要求，包括设计、结构、材料、电气性能、机械性能和环境耐受性等。
型号- XB-HDMI SERIES,XB-HDMI,XB-HDMI系列,XB-R369FA23
萨瑞微电子LDO选型表
低温系数;高纹波抑制;低压差;低静态电流：3μA~50μA;输出电压高精度：±2%（典型值）;低输出噪声：40μVRMS（10Hz~100kHz）;优异的线路和负载瞬态响应; 内置限流器;短路保护;符合 IPC/JEDEC J-STD-033C MSD 3 级标准
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产品型号
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品类
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Vin（V）
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Vout（V）
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lout（mA）
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Static power Typ（uA）
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Static power Max（uA）
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Psrr(dB)
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Vdrop(mV)
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Package
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SR75XXH
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LDO
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1~40
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1.8~5
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100
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4.2
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/
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60
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600
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SOT-23-3L
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选型表 - 萨瑞微电子 立即选型
电子商城
服务
整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603)，工作电压范围覆盖2.5V~36V，电容值低至0.2pF，浪涌能力最高可达240安培，静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
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可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数，电压1.5-37V，电流5-150mA，波长470-940nm。
最小起订量： 30000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
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授权代理品牌：部件、组件及配件
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