【产品】TO-39封装的硅NPN晶体管,功率损耗仅5.0W
Central Semiconductor (简称Central)公司是世界顶级分立半导体制造商,成立于1974年,公司总部位于美国纽约,其运营团队提供最高水平的技术支持,出色的销售支持和优质的服务。Central公司推出的一款硅NPN晶体管——2N2405,其封装选用的是经典TO-39插件型,该封装结构紧凑、坚固,体积小,易于安装。采用外延平面工艺生产,具有重量轻,热阻低,壳体坚固等优点。该器件专为小信号通用开关应用而设计,主要应用于放大电路和开关电路等领域。其具体实物图如图1所示。
图1.2N2405硅NPN晶体管实物图
2N2405硅NPN晶体管在25°C的测试环境下具备最基本功能是电流放大和开关作用,专为小信号通用开关应用而设计。集电极基极电压VCBO为120V,集电极发射极电压VCEO为90V,发射极-基极电压VEBO为7.0V,集电极连续电流IC为1.0A。另外,其耗散功率与温度均具有负的温度系数,其耗散功率对环境温度较为敏感,功率损耗值随着温度的变化而变化。根据设计的需求,可参考频率温度曲线,通过相应的坐标值,方便控制器件功率的设计。最大耗散功率PD为5.0W(TC=25°C),耗散功率PD为1.0W(TC=160℃),但实际工作时的耗散功率会小很多。总之,即使从最大耗散功率的数据来看,该器件仍不失为一款节能型的产品。具体功率降额曲线如图2所示。
图2. 2N2405硅NPN晶体管功率降额曲线
2N2405硅NPN晶体管还有良好的温度特性,工作和存储温度的范围均为-65 °C~+200 °C,具有耐高/低温的能力,适应性能强,在恶劣的环境条件下也可正常工作,这提高了其在各个电路设计中的可靠性。综上所述,该Central器件的电气可靠性与工作稳定性是可以信赖的。其2N2405硅NPN晶体管结构轮廓及管脚图如图3所示。
图3. 2N2405硅NPN晶体管结构轮廓及管脚图
2N2405硅NPN晶体管具有较高的耐压值,集电极-基极电压BVCBO最小值为120V,三极管基极开路时,集电极-发射极反向击穿电压BVCEO最小值为90V,三极管集电极开路时,发射极-基极反向击穿电压BVEBO为7.0V,有较强的抗压能力,可保证器件正常工作而不被损坏,具有较低的饱和压降。共发射极低频小信号输出交流短路电流放大系数为20(VCE=10V, ICE=100uA),在VCE=10V, ICE=10mA条件下,共发射极低频小信号输出交流短路电流放大系数为35,其最高截止频率fT为120MHZ(VCE=10V, IC=50mA, f=20MHz),当IC=50mA,IB=5.0mA时,集电极-发射极间饱和压降VCE(SAT)最大值为0.2V,其具体电气特性如下图4所示。
图4. 2N2405硅NPN晶体管电气特性
2N2405硅NPN晶体管的主要特点:
• 集电极基极电压VCBO为120V
• 集电极发射极电压VCER为140V、VCEV为120V和VCEO为90V
• 发射极-基极电压VEBO为7.0V
• 集电极连续电流IC为1.0A
• 工作稳定性好
• 低功耗,节能
• 工作及存储温度范围大:-65°C~+200°C
• 体积小,重量轻
2N2405硅NPN晶体管的典型应用:
• 放大电路
• 开关电路
• 网络通讯
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