【产品】TO-39封装的硅NPN晶体管,功率损耗仅5.0W

2018-12-01 Central
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Central Semiconductor (简称Central)公司是世界顶级分立半导体制造商,成立于1974年,公司总部位于美国纽约,其运营团队提供最高水平的技术支持,出色的销售支持和优质的服务。Central公司推出的一款硅NPN晶体管——2N2405,其封装选用的是经典TO-39插件型,该封装结构紧凑、坚固,体积小,易于安装。采用外延平面工艺生产,具有重量轻,热阻低,壳体坚固等优点。该器件专为小信号通用开关应用而设计,主要应用于放大电路和开关电路等领域。其具体实物图如图1所示。

图1.2N2405硅NPN晶体管实物图


2N2405硅NPN晶体管在25°C的测试环境下具备最基本功能是电流放大和开关作用,专为小信号通用开关应用而设计。集电极基极电压VCBO为120V,集电极发射极电压VCEO为90V,发射极-基极电压VEBO为7.0V,集电极连续电流IC为1.0A。另外,其耗散功率与温度均具有负的温度系数,其耗散功率对环境温度较为敏感,功率损耗值随着温度的变化而变化。根据设计的需求,可参考频率温度曲线,通过相应的坐标值,方便控制器件功率的设计。最大耗散功率PD为5.0W(TC=25°C),耗散功率PD为1.0W(TC=160℃),但实际工作时的耗散功率会小很多。总之,即使从最大耗散功率的数据来看,该器件仍不失为一款节能型的产品。具体功率降额曲线如图2所示。

图2. 2N2405硅NPN晶体管功率降额曲线


2N2405硅NPN晶体管还有良好的温度特性,工作和存储温度的范围均为-65 °C~+200 °C,具有耐高/低温的能力,适应性能强,在恶劣的环境条件下也可正常工作,这提高了其在各个电路设计中的可靠性。综上所述,该Central器件的电气可靠性与工作稳定性是可以信赖的。其2N2405硅NPN晶体管结构轮廓及管脚图如图3所示。

图3. 2N2405硅NPN晶体管结构轮廓及管脚图


2N2405硅NPN晶体管具有较高的耐压值,集电极-基极电压BVCBO最小值为120V,三极管基极开路时,集电极-发射极反向击穿电压BVCEO最小值为90V,三极管集电极开路时,发射极-基极反向击穿电压BVEBO为7.0V,有较强的抗压能力,可保证器件正常工作而不被损坏具有较低的饱和压降共发射极低频小信号输出交流短路电流放大系数为20(VCE=10V, ICE=100uA),在VCE=10V, ICE=10mA条件下,共发射极低频小信号输出交流短路电流放大系数为35,其最高截止频率fT为120MHZ(VCE=10V, IC=50mA, f=20MHz,当IC=50mA,IB=5.0mA时,集电极-发射极间饱和压降VCE(SAT)最大值为0.2V,其具体电气特性如下图4所示。

图4. 2N2405硅NPN晶体管电气特性



2N2405硅NPN晶体管的主要特点:

• 集电极基极电压VCBO为120V

• 集电极发射极电压VCER为140V、VCEV为120V和VCEO为90V

• 发射极-基极电压VEBO为7.0V

• 集电极连续电流IC为1.0A

• 工作稳定性好

• 低功耗,节能

• 工作及存储温度范围大:-65°C~+200°C

• 体积小,重量轻

 

2N2405硅NPN晶体管的典型应用:

• 放大电路

• 开关电路

• 网络通讯


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