【产品】TO-39封装的硅NPN晶体管，功率损耗仅5.0W
Central Semiconductor （简称Central）公司是世界顶级分立半导体制造商，成立于1974年，公司总部位于美国纽约，其运营团队提供最高水平的技术支持，出色的销售支持和优质的服务。Central公司推出的一款硅NPN晶体管——2N2405，其封装选用的是经典TO-39插件型，该封装结构紧凑、坚固，体积小，易于安装。采用外延平面工艺生产，具有重量轻，热阻低，壳体坚固等优点。该器件专为小信号通用开关应用而设计，主要应用于放大电路和开关电路等领域。其具体实物图如图1所示。
图1.2N2405硅NPN晶体管实物图
2N2405硅NPN晶体管在25°C的测试环境下具备最基本功能是电流放大和开关作用，专为小信号通用开关应用而设计。集电极基极电压VCBO为120V，集电极发射极电压VCEO为90V，发射极-基极电压VEBO为7.0V，集电极连续电流IC为1.0A。另外，其耗散功率与温度均具有负的温度系数，其耗散功率对环境温度较为敏感，功率损耗值随着温度的变化而变化。根据设计的需求，可参考频率温度曲线，通过相应的坐标值，方便控制器件功率的设计。最大耗散功率PD为5.0W（TC=25°C），耗散功率PD为1.0W（TC=160℃），但实际工作时的耗散功率会小很多。总之，即使从最大耗散功率的数据来看，该器件仍不失为一款节能型的产品。具体功率降额曲线如图2所示。
图2. 2N2405硅NPN晶体管功率降额曲线
2N2405硅NPN晶体管还有良好的温度特性，工作和存储温度的范围均为-65 °C~+200 °C，具有耐高/低温的能力，适应性能强，在恶劣的环境条件下也可正常工作，这提高了其在各个电路设计中的可靠性。综上所述，该Central器件的电气可靠性与工作稳定性是可以信赖的。其2N2405硅NPN晶体管结构轮廓及管脚图如图3所示。
图3. 2N2405硅NPN晶体管结构轮廓及管脚图
2N2405硅NPN晶体管具有较高的耐压值，集电极-基极电压BVCBO最小值为120V，三极管基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压BVCEO最小值为90V，三极管集电极开路时，发射极-基极反向击穿电压BVEBO为7.0V，有较强的抗压能力，可保证器件正常工作而不被损坏，具有较低的饱和压降。共发射极低频小信号输出交流短路电流放大系数为20（VCE=10V, ICE=100uA），在VCE=10V, ICE=10mA条件下，共发射极低频小信号输出交流短路电流放大系数为35，其最高截止频率fT为120MHZ（VCE=10V, IC=50mA, f=20MHz），当IC=50mA,IB=5.0mA时，集电极-发射极间饱和压降VCE(SAT)最大值为0.2V，其具体电气特性如下图4所示。
图4. 2N2405硅NPN晶体管电气特性
2N2405硅NPN晶体管的主要特点：
• 集电极基极电压VCBO为120V
• 集电极发射极电压VCER为140V、VCEV为120V和VCEO为90V
• 发射极-基极电压VEBO为7.0V
• 集电极连续电流IC为1.0A
• 工作稳定性好
• 低功耗，节能
• 工作及存储温度范围大：-65°C~+200°C
• 体积小，重量轻
2N2405硅NPN晶体管的典型应用：
• 放大电路
• 开关电路
• 网络通讯
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