【选型】V2G用高压MOS可选瑶芯微AKS65N410WMF,耐压650V,导通电阻低至41mohm
V2G是Vehicle-to-grid(车辆到电网)的缩写。V2G描述了电动汽车与电网的关系。当电动汽车不使用时,车载电池的电能销售给电网的系统。如果车载电池需要充电,电流则由电网流向车辆。
某客户在开发一款V2G产品,主功率部分客户采用全桥方案设计。在该项目中需求一款耐压650V、导通电阻40mohm的高压MOS,TO-247封装。本文推荐国产瑶芯微650V高压超级结MOSFET AKS65N410WMF用于V2G。
图一 AKS65N410WMF外观引脚图
图二 AKS65N410WMF封装尺寸图
图三 AKS65N410WMF导通电阻与ID特性曲线图
瑶芯微650V高压超级结MOSFET AKS65N410WMF用于V2G的优势有以下几点:
1、Rds(on)低至41mohm@VGS=10V, ID=33.1A可以实现高速开关、低开关损耗、低导通损耗,能显著降低VZG产品的热量损耗;
2、目前已导入国内头部太阳能光伏发电、服务器电源客户,产品已经通过评估验证,其他电源类客户已进入批量供货阶段;
3、通过100%UIS测试,符合RoHS标准,无卤素;
4、世强常备库存,可提供免费样品测试,交期、性价比相对国外品牌更有优势。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由杨敏提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
【选型】国产SIC MOSFET IV1Q06040T4用于V2G模块,导通电阻低至40毫欧
本文主要介绍上海瞻芯电子的SIC MOSFET 06040T4 用于V2G模块,其导通电阻低至40毫欧。在SiC MOSFET的开发与应用方面,与相同功率等级的Si MOSFET相比,SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率。
器件选型 发布时间 : 2022-01-19
SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效,宽耐压,开关损耗降低50%
世强硬创联合瑶芯微,爱仕特,派恩杰,瞻芯电子,中电国基南方,带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品,最高1700V宽耐压,开关损耗降低50%。
活动 发布时间 : 2023-04-14
直流无刷电机驱动电路MOSFET应用
由于无刷电机具有高扭矩、长寿命、低噪声等优点,已经在各领域中得到了广泛应用。其内部电子绕组可看作一个电感线圈。如图1所示内部结构及电流波形,通过不断改变定子绕组中的电流方向,从而改变电磁铁的磁性,使得电机连续旋转。因此需要设计一个驱动电路,改变定子绕组中的电流方向才能使得转子旋转,常用驱动电路为三相全桥逆变电路。
设计经验 发布时间 : 2024-08-19
【应用】国产超结功率MOSFET AKS65N410WMF助力20KW充电模块全桥LLC设计,RDson最大41mΩ
由于全球疫情以及其他因素导致功率器件交期和价格不是很理想,国产化的需求越来越多,本文重点介绍国产瑶芯微超结MOSFETAKS65N410WMF助力20KW充电模块全桥LLC设计,最高效率可达96.5%。
应用方案 发布时间 : 2022-05-27
技术分享 | 功率MOSFET雪崩特性
MOSFET的雪崩主要涉及在特定条件下(如高电压或大电流),其内部通过碰撞电离产生更多的电子-空穴对,导致电流急剧增加,对器件的性能造成影响。雪崩特性是MOSFET在设计和应用中需要考虑的重要参数,因为它直接关系到器件的安全运行和可靠性。本文中瑶芯微来为大家介绍功率MOSFET雪崩特性,希望对各位工程师朋友有所帮助。
技术探讨 发布时间 : 2024-09-04
瑶芯微沟槽MOSFET选型表
瑶芯微(ALKAIDSEMI)提供如下沟槽MOSFET产品的技术选型,MP Status;N+P沟槽;VDS(V):-40~+100,Vgs(V):10~25,ID(A): -1.6~3....瑶芯微的沟槽MOSFET产品具有SOT-23、TO-252、PDFN等多种封装形式可广泛应用于电池管理系统、电机驱动器、DC-DC转换器等领域。
产品型号
|
品类
|
Status
|
Package
|
Cfg.
|
ESD
|
VDS(V)
|
Vgs(V)
|
ID(A)
|
Vth(V)
|
Rds-on(mΩ) Typ@10V
|
Rds-on(mΩ) Max@10V
|
Rds-on(mΩ) Typ@4.5V
|
Rds-on(mΩ) Max@4.5V
|
Rds-on(mΩ) Typ@2.5V
|
Rds-on(mΩ) Max@2.5V
|
AKT1A024MBU
|
沟槽MOSFET
|
MP
|
CSP
|
N
|
Y
|
12
|
10
|
13
|
0.95
|
/
|
/
|
1.6
|
2.4
|
3.5
|
5.5
|
选型表 - 瑶芯微 立即选型
瑶芯微AKT4P100KL-A MOSFET,符合汽车AEC-Q101要求的小型负载电控模块反接保护解决方案
瑶芯(ALKAIDSEMI)推出的P-channel Trench MOSFET AKT4P100KL-A,不仅符合严苛的AEC-Q101标准,还采用先进的SGT技术,提供了完美的电源反接保护解决方案。 该解决方案不仅简化外围电路设计,降低了成本,还能够在电源极性接反的情况下,确保不会损坏控制模块或其它驱动负载。
应用方案 发布时间 : 2024-07-31
技术分享 | 用于无人机电调中的MOSFET解析
无人机电调中的MOSFET管,在续航提升、电调性能等方面发挥着关键作用。瑶芯微推出了无人机专用MOSFET,采用屏蔽栅沟槽MOSFET AK1G4N013G-T,该器件Rds_on 最大1.3 mOhm,电压40V,DFN5X6封装,且具备超大电流关断能力,抗雪崩能力强等特点。
设计经验 发布时间 : 2024-08-12
瑶芯微40V 1.1mΩ N-channel SGT MOSFET AKG40N011G,无人机高效率运行的保障之一
瑶芯(ALKAIDSEMI)N-channel SGT MOSFET AKG40N011G以其高电流承受能力、低导通电阻和低开关损耗,在无人机项目中具有非常大的应用潜力。这些特性不仅满足了严苛的工业应用标准,也反映了对高性能功率器件的市场需求。无论是在无人机的飞行控制系统、电机驱动器的精确调速,还是DC-DC转换器的高效率电源管理,AKG40N011G MOSFET都能够满足相应的严格要求。
应用方案 发布时间 : 2024-08-15
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论