【选型】V2G用高压MOS可选瑶芯微AKS65N410WMF，耐压650V，导通电阻低至41mohm

【选型】国产SIC MOSFET IV1Q06040T4用于V2G模块，导通电阻低至40毫欧

本文主要介绍上海瞻芯电子的SIC MOSFET 06040T4 用于V2G模块，其导通电阻低至40毫欧。在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率。

直流无刷电机驱动电路MOSFET应用

由于无刷电机具有高扭矩、长寿命、低噪声等优点，已经在各领域中得到了广泛应用。其内部电子绕组可看作一个电感线圈。如图1所示内部结构及电流波形，通过不断改变定子绕组中的电流方向，从而改变电磁铁的磁性，使得电机连续旋转。因此需要设计一个驱动电路，改变定子绕组中的电流方向才能使得转子旋转，常用驱动电路为三相全桥逆变电路。

SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效，宽耐压，开关损耗降低50%

世强硬创联合瑶芯微，爱仕特，派恩杰，瞻芯电子，中电国基南方，带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品，最高1700V宽耐压，开关损耗降低50%。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

技术分享 | 用于无人机电调中的MOSFET解析

无人机电调中的MOSFET管，在续航提升、电调性能等方面发挥着关键作用。瑶芯微推出了无人机专用MOSFET，采用屏蔽栅沟槽MOSFET AK1G4N013G-T，该器件Rds_on 最大1.3 mOhm，电压40V，DFN5X6封装，且具备超大电流关断能力，抗雪崩能力强等特点。

技术分享 | 功率MOSFET雪崩特性

MOSFET的雪崩主要涉及在特定条件下（如高电压或大电流）‌，‌其内部通过碰撞电离产生更多的电子-空穴对，导致电流急剧增加，对器件的性能造成影响。‌雪崩特性是MOSFET在设计和应用中需要考虑的重要参数，‌因为它直接关系到器件的安全运行和可靠性。‌本文中瑶芯微来为大家介绍功率MOSFET雪崩特性，希望对各位工程师朋友有所帮助。

【应用】国产超结功率MOSFET AKS65N410WMF助力20KW充电模块全桥LLC设计，RDson最大41mΩ

由于全球疫情以及其他因素导致功率器件交期和价格不是很理想，国产化的需求越来越多，本文重点介绍国产瑶芯微超结MOSFETAKS65N410WMF助力20KW充电模块全桥LLC设计，最高效率可达96.5%。

技术分享 | 解析SiC MOSFET串扰特性

随着SiC MOSFET开关频率的不断增加，在半桥结构（如逆变电路、全桥电路等）桥臂串扰现象越发严重，易造成桥臂直通短路或影响可靠性，限制了SiC MOSFET开关频率及系统功率密度进一步提高。本文瑶芯微将为您解析SiC MOSFET串扰特性。

瑶芯微AKT4P100KL-A MOSFET，符合汽车AEC-Q101要求的小型负载电控模块反接保护解决方案

瑶芯（ALKAIDSEMI）推出的P-channel Trench MOSFET AKT4P100KL-A，不仅符合严苛的AEC-Q101标准，还采用先进的SGT技术，提供了完美的电源反接保护解决方案。 该解决方案不仅简化外围电路设计，降低了成本，还能够在电源极性接反的情况下，确保不会损坏控制模块或其它驱动负载。