基于新型铁电存储(FRAM)工艺设计并生产存储类芯片的全球领先存储芯片供应商——舜铭存储

2023-07-04 世强
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产品亮点

I2C FRAM:高耐久,读写速度快,成本优;

SPI FRAM:非易失,高耐久,读写速度快;

KGD:与SOC合封,帮助客户实现更优的成本和更小的尺寸;

Embedded Solution:和其他IP模块组成专用ASIC或MCU等,实现IP级数据读写;


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  • 豆芽 Lv8. 研究员 2023-07-18
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型号- RBQ20NS65A,RFN20NS6S,RR1VWM4STFTR,BM2LB300FJ-C,RF071MM2S,RSX101VYM30,DTA124TX,RFUH20NS3S,SMF26V,SMLM22WBN1CW1T,2SCR552P,RB058LAM150,SCT2系列,BD50FA1MG-M,2SC4102,RB088LAM-60,RB238NS150,SML-D12Y8W,BD3575HFP-M,BR25H128,VS17VUA1LAM,BD4XXM5FP2-C,RFUH20NS4S,BD50HC5MEFJ-M,BM61M41RFV-C,2SCR553P,BA82904YFVM-C,RSS070N05,BD30GA5MEFJ-M,BA4560YFV-M,BD80C0AWFP2-C,RB298T100,BD18HC0MEFJ-M,MD56V62161R-XXTAL42X,BD46EXX1G-M,RSS060P05,SMF24V,BR25H160,SCT3022ALHR,2SCR554P,SML-D13MW(A),BR25A512,RGPR20BM36HR,CSL1101SBAW1C,RB068L-40 81,BD00GC0MEFJ-M,RD3U041AA RD3U080AA,BA2901YFV-M,RD3P175SN,BU91R65CH-M,BD53XXG-2M SERIES,BZX84B,BZX84C,SML-D14MWA,BD52XXG-2C,RBR30NS30A,BAS40HM,BD82006FVJ-M,MD56V62161M-XXTAL42X,SCT2,SCT3,MD56V72161C-XXTAL42X,KDZLV 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84,BU18JA2VG-C,BD37068FV-M,2S

选型指南  -  ROHM  - Ver.2.5  - 2019年09月 PDF 中文 下载

FUJITSU(富士通)铁电随机存储器 FRAM 产品概览(中文)

目录- FRAM特长与产品阵容    FRAM热点产品    独立FRAM存储器    FRAM内置RFID用LSI   

型号- MB85RDP16L,MB85RS128B,MB97RXXXX,MB85R4002A,MB85RS16N,MB97R8050,MB85RS16,MB89R112AHF,MB85R256F,MB89R118CHF,MB89R119B,MB97R804B,MB85RS256B,MB85R1002A,MB85RC16,MB85RC512T,MB85RC1MT,MB85RC64V,MB85RS64,MB85R1001,MB85RDP16LX,MB85R4001A,MB85RS512T,MB85RC64TA,MB85R4001,MB85RC128A,MB94R330,MB85RC64A,MB89R112A,MB85R4M2T,MB89R118C,MB85RC256V,MB85RQ4ML,MB97R803A,MB85RC04V,MB85RS2MT,MB85RC16V,MB89R119BHF,MB85RS1MT,MB85RS64V,MB85R1001A

选型指南  -  FUJITSU  - 2016年8月 PDF 中文 下载

SF24C64 Ferroelectric Random Access Memory (FRAM)

型号- SF24C64-WSH-IR,SF24C64

数据手册  -  舜铭存储  - V1.0  - 2024/3/1 PDF 英文 下载

【IC】舜铭存储率先推出110nm新型铁电存储器工艺技术,面积缩小约40~60%,性能大幅度提升

舜铭存储联合国内有着领先半导体特色工艺的供应商积塔半导体合作开发,于2023年12月成功推出国内首款110纳米技术的新型铁电存储器产品。与现有技术相比,新产品面积缩小约40%~60%,性能大幅度提升。

产品    发布时间 : 2024-02-01

铁电存储器供应商舜铭存储授权世强硬创,深耕工业控制/电力仪表领域

舜铭存储实现了第一颗国产铁电存储器的量产,也是全球唯一的新型铁电存储器产品的供应商。

签约新闻    发布时间 : 2023-08-10

SF24C512 Ferroelectric Random Access Memory (FRAM)

型号- SF24C512-WSH-IR,SF24C512

数据手册  -  舜铭存储  - V1.0  - 2024/3/1 PDF 英文 下载

【产品】舜铭新型FRAM采用High-K材料,实现3D架构,具备低功耗及更优读写性能优势

铁电随机存取存储器利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储,使其铁电存储产品同时拥有随机存储器和非易失性存储器的两大功能特性。舜铭存储的新型铁电存储器可以在大多数应用场景中取代中小容量的传统存储器,在提供更优的读写性能以及更低功耗的同时,提供更高的性价比。

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商品及供应商介绍  -  舜铭存储  - Ver.230412  - 230412 PDF 中文 下载

【产品】搭载串行总线的64Kbit铁电存储器MR44V064B/MR45V064B,具有1.8V最低工作电压

ROHM面向需要高频日志数据采集和紧急时的高速数据备份的智能仪表、医疗保健设备、汽车导航系统等,开发出搭载串行总线的64Kbit 铁电存储器(FeRAM)“MR44V064B / MR45V064B”。不仅实现了业界顶级的1.8V最低工作电压,而且2节镍氢充电电池也可使用FeRAM。

新产品    发布时间 : 2018-08-18

【产品】1Mbit蓝碧石大容量FeRAM,实现业界最小级别10µA待机电流和0.1µA睡眠电流

ROHM面向需要高速高频率的日志数据获取和紧急时高速数据备份的智能仪表/计量设备/医疗设备/金融终端等,开发出1Mbit铁电存储器(FeRAM)MR45V100A / MR44V100A。MR45V100A作为SPI总线产品,在1.8V~3.6V的宽电源电压范围内均实现40MHz的高速工作。

新产品    发布时间 : 2018-08-19

舜铭存储-Infineon/Cypress/Fujitsu铁电存储器对照表

型号- FM25V20A-GTR,MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1,SF25C128-NSH-IR,MB85RS2MTAPF-G-BCE1,FM25V01A-G,MB85RS128TYPNF-G-BCE1,MB85RS128BPNF-G-JNERE1,SF25C20-NWH-IT,SF25C20-NWH-IR,MB85RS2MTYPNF-G-AWE2,CY15B102QN-50SXI,MB85RS2MTAPNF-G-AWERE2,MB85RS2MTYPNF-G-AWERE2,SF25C128-NSH-IT,MB85RS2MTAPNF-G-BDE1,MB85RS2MTAPNF-G-AWE2,MB85RS128TYPNF-G-BCERE1,FM25V20A-G,FM25V01A-GTR,CY15B102QM-50SWXI,CY15B102QM-50SWXIT,MB85RS128BPNF-G-JNE1,CY15B102QN-50SXIT,MB85RS2MTAPF-G-BCERE1

对照表  -  舜铭存储

到铁电存储器64 K (8 K × 8) 位 SPI MB85RS64 数据手册

型号- MB85RS64,MB85RS64PNF-G-JNERE1,MB85RS64PNF-G-JNE1

数据手册  -  FUJITSU  - 2016.1 PDF 英文 下载

维爱普医疗设备滤波器:具有成本低廉、结构简单、维护方便等优点,守护医疗安全的重要科技防线

在现代医疗技术的飞速发展中,医疗设备已成为医院日常运作不可或缺的一部分。然而,这些高度精密的电子设备对电力供应的稳定性有着极高的要求。一旦电力系统中存在谐波、噪声或电压波动,都可能对医疗设备的正常运行造成干扰,甚至威胁到患者的安全。因此,深圳市维爱普电子有限公司医疗设备滤波器,特别是无源低通滤波器,成为了守护医疗安全的重要科技防线。

产品    发布时间 : 2024-07-26

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VC散热器定制

可定制均温板VC最薄0.4mm,有效导热系数超5,000 W / m·K(纯铜(401 W/m·K ,石墨烯1,200 W/m·K)。工作温度范围同时满足低于-250℃和高于2000℃的应用,定制最低要求,项目年采购额大于10万人民币,或采购台套数大于2000套。

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网络分析仪/频谱仪/信号分析仪/无线综测仪/信号发生器租赁

提供是德(Keysight),罗德(R&S)测试测量仪器租赁服务,包括网络分析仪、无线通讯综测仪、信号发生器、频谱分析仪、信号分析仪、电源等仪器租赁服务;租赁费用按月计算,租赁价格按仪器配置而定。

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