【产品】TO-3PFM封装RGCLXXTK60绝缘栅双极晶体管,放电电路和变频器制动器等应用首选

2018-12-05 ROHM
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ROHM(罗姆)是全球著名半导体和电子零部件的制造商和行业领先者,近期其研发出了一种TO-3PFM封装的RGCLXXTK60系列绝缘栅双极晶体管(IGBT),系列下具体型号有:RGCL60TK60RGCL80TK60RGCL60TK60DRGCL80TK60D。晶体管具有低饱和压降、低开关损耗和软切换等特点,且通过了无铅标准和RoHS认证,是绿色环保电子元器件,是放电电路、变频器制动器和部分开关PFC等领域的首选。

 

图1 RGCLXXTK60系列绝缘栅双极型晶体管TO-3PFM产品图


RGCL60TK60、RGCL80TK60两款绝缘栅双极型晶体管的集射极电压VCES额定值均为600V,集射极饱和压降VCE(sat)的典型值均为1.4V。在25℃时,集电极电流IC额定值分别30/35A;100℃时,集电极电流IC额定值分别为18/21A。在25℃下的功耗PD分别为54/57W,适用于中大电流的产品应用中。同时,晶体管的工作结温范围为-40℃~+175℃,存储温度范围在-55℃~+175℃,能够耐受苛刻的温度环境,具有高度的电气稳定性、可靠性和安全性。两款IGBT的结壳热阻Rθ(j-c)的最大值为2.77 ℃/W、2.62℃/W,可以为大功率应用提供比较好的散热保障。

 

RGCL60TK60、RGCL80TK60两款绝缘栅双极型晶体管的开通延迟时间td(on)典型值分别为44/53ns,上升时间tr典型值为27/34ns,关断延迟时间td(off)典型值为186/227ns,下降时间tf典型值为178/204ns,开关速度快、切换速度高。开通能量损耗Eon典型值仅为0.77/1.11mJ,关断能量损耗Eoff典型值为1.11/1.68mJ,开关损耗极少,开通和关断过程中的产热少(以上参数是在IC=30/40A,VCC=400V,VGE=15V,RG=10Ω,Tj=25℃情况下测量)。同时,两款晶体管的栅极电荷总量Qg典型值为68/98nC,栅极-发射极电荷Qge典型值为13/20nC,栅极-集电极电荷Qgc典型值为27/38nC,电荷量低,充放电时间短,可应用于高速开关切换的产品。


RGCLXXTK60系列绝缘栅双极型晶体管中,RGCL60TK60D型号的电气参数与RGCL60TK60一致,RGCL80TK60D型号的电气参数与RGCL80TK60一致,区别在于RGCL60TK60D、RGCL80TK60D晶体管内置快恢复二极管,具有软恢复功能RGCL60TK60、RGCL80TK60绝缘栅双极型晶体管电气原理图如图2,RGCL60TK60D、RGCL80TK60D晶体管电气原理图如图3

 图2 RGCL60TK60、RGCL80TK60绝缘栅双极型晶体管电气原理图

 图3 RGCL60TK60D、RGCL80TK60D绝缘栅双极型晶体管电气原理图


 RGCLXXTK60系列绝缘栅双极型晶体管的产品特点:

·软切换

·更低的集电极-射极饱和压降,使器件易于驱动

·内置快恢复二极管,具有软恢复功能(RGCL60TK60D、RGCL80TK60D特有)

·符合无铅标准和RoHS认证

 

 RGCLXXTK60系列绝缘栅双极型晶体管的市场应用:

·放电电路

·变频器制动器

·部分开关PFC

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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