【产品】上海贝岭推出的无铅N沟道增强型功率MOSFET BLM3404，支持表面贴装，具有高功率和大电流处理能力
上海贝岭推出的N沟道增强型功率MOSFET BLM3404，器件采用先进的沟槽工艺技术，提供出色的漏源导通电阻RDS(ON)以及低栅极电荷特性，器件适用于负载开关及PWM应用等领域。
产品特征
VDS=30V，ID=5.8A
RDS(ON)<31mΩ@VGS=10V
RDS(ON)<43mΩ@VGS=4.5V
器件具有高功率和大电流处理能力
器件符合无铅认证标准
器件支持表面贴装
产品应用
负载开关
PWM应用
绝对最大额定值(在TA=25℃时，除非另有说明)
电气参数(在TA=25℃时，除非另有说明)
注：
1：重复额定值：脉冲宽度受限于最高结温
2：表面贴装在FR4板上，t≤10s
3：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；
4：由设计保证，不经过生产测试
订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由飞猫警长翻译自上海贝岭，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】100V/80A的N沟道增强型功率MOSFET BLP038N10GL，采用先进的双沟槽技术，具有快速开关等特性
BLP038N10GL是上海贝岭推出的一款基于先进的双沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5X6封装，降低了导通损耗，提升了开关性能，提高了雪崩能量，适用于同步整流和高速开关应用。
【产品】上海贝岭推出的N沟道增强型功率MOSFET BLP03N10，具有快速开关特性，用于BMS和大电流开关应用等领域
上海贝岭推出的N沟道增强型功率MOSFET BLP03N10，器件通过先进的双沟槽技术降低了器件的导通损耗，提高了器件开关特性并增强了器件雪崩能量。器件适用于BMS和大电流开关应用等领域。
【产品】上海贝岭推出的N沟道增强型功率MOSFET BLP032N08，具有低反向传输电容、快速开关等特性
上海贝岭推出的N沟道增强型功率MOSFET BLP032N08，器件通过先进的双沟槽技术降低了器件的导通损耗，提高了器件开关特性并增强了器件雪崩能量。器件适用于BMS和大电流开关应用等领域。
上海贝岭Trench MOSFET选型表
上海贝岭提供如下Trench MOSFET产品的技术选型，BV(V)范围：-100~+100；ID(A)范围：-25~+200；RDS(ON)(mΩ)@VGS = 10V Typ.范围：+3~+72；RDS(ON)(mΩ)@VGS = 10V Max.范围：+4~+90；RDS(ON)(mΩ)@VGS = 4.5V Typ.范围：+7~+110；RDS(ON)(mΩ)@VGS = 4.5V Max.范围：+9~+130；RDS(ON)(mΩ)@VGS = 2.5V Typ.范围：+9~+68；RDS(ON)(mΩ)@VGS = 2.5V Max.范围：+3~+120；VTH (V) Min.范围：-1~+2；VTH (V) Typ.范围：-1.7~+3；VTH (V) Max.范围：-2.4~+4......上海贝岭的沟槽场效应晶体管产品有TO252 、PDFN3.3×3.3、 PDFN5×6 、SOP8、SOT23等多种封装形式可供选择可广泛应用于功率开关应用、不间断电源、直流-直流转换器等。
|
产品型号
|
品类
|
BV(V)
|
ID(A)
|
RDS(ON)(mΩ)@VGS = 10V Typ.
|
RDS(ON)(mΩ)@VGS = 10V Max.
|
RDS(ON)(mΩ)@VGS = 4.5V Typ.
|
RDS(ON)(mΩ)@VGS = 4.5V Max.
|
RDS(ON)(mΩ)@VGS = 2.5V Typ.
|
RDS(ON)(mΩ)@VGS = 2.5V Max.
|
VTH (V) Min.
|
VTH (V) Typ.
|
VTH (V) Max.
|
Package
|
|
BLM1216Y
|
沟槽场效应晶体管
|
-12
|
-8
|
-
|
-
|
11.5
|
18
|
14
|
22
|
-0
|
-1
|
-1
|
SOT23
|
选型表 - 上海贝岭 立即选型
【产品】上海贝岭推出硅N沟道增强型功率MOSFET BLS65R380，适用于高频开关电源
BLS65R380是上海贝岭推出的一款硅N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的超结技术，可降低导通损耗，提高开关性能。 该晶体管适用于SMPS、高速开关和通用应用场合。
【产品】30V/81A的N沟道增强型功率MOSFET RM80N30DF，采用DFN5X6-8L封装
RM80N30DF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，适用于负载开关或PWM应用。
【产品】30V，N沟道增强型功率MOSFET AM3400A，适合高效率、高开关频率的应用
AiT推出的AM3400A是N沟道增强型功率MOSFET，采用沟槽DMOS技术，在25°C的环境温度下，AM3400A可以承受的极限漏源电压为30V，极限栅源电压为±12V，极限漏极连续电流为6.2A，非常适合高效率、高开关频率的应用。
电子商城
品牌：丽正国际
品类：N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
价格：￥0.1576
现货： 5,000
品牌：丽正国际
品类：N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
价格：￥0.1576
现货： 5,000
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论