【产品】1200V的碳化硅（SiC）肖特基二极管B1D02/10120E，TO-252-2封装
基本半导体推出的B1D02120E和B1D10120E型碳化硅肖特基二极管（SiC肖特基二极管），反向重复峰值电压为1200V，连续正向电流分别为2A和10A，总电容电荷分别为11.8nC和52nC。两款产品反向电流极低，反向恢复电流可忽略，VF具有正温度系数，还具有优秀的浪涌电流保护能力和低电容的特点，不含卤素，符合RoHS标准，可用于开关电源（SMPS），不间断电源和电机驱动器等应用。两个器件都采用TO-252-2封装，封装尺寸较小。
图1 产品外观和内部电路图
电气 特性方面，B1D02120E和B1D10120E的非重复正向峰值浪涌电流分别为16A和75A，浪涌保护性能出色。Tc=25℃条件下，两器件的耗散功率分别为80W和143W。工作结温均为-55~175℃，存储温度范围-55~135℃，符合工业级温度要求。两器件的结壳热阻的典型值分别为1.872K/W和1.042K/W，散热性能较好。Tj=25℃下，两器件的正向压降典型值分别为1.42V和1.48V，反向电流为1uA（B1D02120E）和10uA（B1D10120E），二极管的导通损耗低。
特点：
极低的反向电流
反向恢复电流可忽略
与温度无关的开关特性
VF具有正温度系数
优秀的浪涌电流保护能力
低电容
优势：
开关损耗极低
通过Si二极管提高系统效率
更高的功率密度
更高的开关频率
降低散热器需求
较小的磁性元件节省了系统成本
低EMI
应用：
开关电源（SMPS）
不间断电源
电动机驱动器
功率因数校正
订购信息如下：
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