【经验】隔离驱动芯片SID1182K在用外部推挽电路的注意事项
随着产品竞争越来越激烈，设计者在驱动电路的设计上会选择最优的方式来进行设计，比如选择驱动电流能力低点的驱动芯片，然后通过外围用推挽电路的方式实现对大功率段的IGBT进行驱动，功能上能满足设计的需求，另外也控制设计的成本。PI推出的隔离驱动芯片SID1182K，具有8A驱动电流能力，同样可以在外加推挽电路的情况下实现大功率IGBT驱动，另外由于该芯片具有软关断，单电源供电方式，相比其它驱动芯片电路设计，有更好的设计成本优势。隔离驱动芯片SID1182K可用于变频,电机驱动,UPS,光伏等应用。
如下为SID1182K外围推挽电路的设计，相比其它驱动芯片的设计，在推挽电路的实际上会直接省掉红色标识圈的电阻，推挽电路的上管的基极和发射基是不连接在一起的。
图1 SID1182K外加推挽设计电路
但是SID1182K由于带有软关断功能，并且软关断的方式是通过监测GH的电压来实现实时监测对应的门极电压变化，从而控制GL的关断速度实现芯片软关断功能。如果芯片无法正常的监测到GH引脚电压变化，则软关断功能会有问题，IGBT的关断可能会异常。图1中的推挽电路，必须在上管的基极和发射基上串个电阻R,如图中的红色标识。如果没有该电阻，则GH引脚直接和推挽管上管直接相连，由于三极管内部的基极和发射基之间存在管压降问题，此时GH管脚电压不是IGBT门极电压，这样隔离驱动芯片SID1182K无法监测IGBT的状态，无法调节内部控制GL引脚的关断状态，此时SID1182K无法很好的实现软关断功能。
所以在用PI的SID1182K外加推挽电路时，必须在推挽电路的上管基极和发射基之间串电阻，但是该电阻实际是不过电流，所以只需要几十Ω就可以，这样就可以实现芯片的软关断功能，更利于IGBT的关断可靠性。
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数明半导体隔离驱动器选型表
隔离驱动，具有高可靠性及广泛兼容性的门极驱动芯片，广泛的兼容性，更高的驱动能力，更强的鲁棒性，更宽的工作温度范围
|
产品型号
|
品类
|
Power Switch
|
IOH/IOL (A)
|
Output VCC/VDD (V)
|
Input VCC (V)
|
Prop. Delay（ns）
|
Input Config
|
Program Deadtime
|
Overlap Protection
|
CMTI (kV/μs) Min.
|
VISO(Vrms)
|
Operating Temp （℃）
|
|
SLMi8230BDCG-DG
|
双通道隔离驱动器
|
IGBT/MOSFET/SiC/GaN
|
1.0/1.5
|
9-40
|
3-18
|
40
|
VIA/VIB
|
Program Deadtime
|
Overlap Protection
|
100
|
5000
|
–40 ~ 125
|
选型表 - 数明半导体 立即选型
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可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
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