【应用】IGBT功率模块10-PY124PA020MR03-L227F38Y用于谐振式DC/DC变换器，显著提高系统效率
谐振式DC/DC变换器LLC谐振拓扑普遍运用在服务器等电源中。LLC谐振变换器保持零电压开关，减少开关损耗和电磁干扰（EMI），效率更高。但1200 V的硅半导体器件很难在这么高的开关频率下实现较高的效率。为了提高效率，一种选择是使用PFC环节的中心点，把直流母线800V电压分成两个400V，每个400V电压就可以使用高频的650V MOSFET或IGBT来实现，拓扑结构下图所示。
图1——DC/DC双桥LLC拓扑
若效率上有更高要求，则可以使用碳化硅功率器件来提升，本文推荐VINCOTECH公司的10-PY124PA020MR03-L227F38Y这款IGBT功率模块，属于flowPACK 1 SiC产品系列，击穿电压1200V/额定电流50A典型导通阻抗20mR，采用H桥拓扑结构和SiC MOSFET芯片技术，比双路H桥更高的效率。
图2——DC/DC转换器模块的效率比较
上图为1200V SiC MOSFET和双桥100A IGBT和20mR MOSFET效率对比。LLC软开关模式下单桥1200伏SiC MOSFET和双桥650V IGBT和650V MOSFET在满载25kW下的效率相比，单桥1200V SiC MOSFET效率更高，对于系统的效率提升有更大优势。
图3——10-PY124PA020MR03-L227F38Y封装和拓扑图
图4——10-PY124PA020MR03-L227F38Y主要参数
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