【产品】采用SOP8封装的双N沟道MOSFET CJQ05N10，漏源导通电阻最大140mΩ@10V
长晶科技推出一款采用SOP8封装的双N沟道MOSFET——CJQ05N10，采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，属于无铅产品，广泛适用于多种应用。
特点
无铅产品
采用特殊工艺技术，具有高ESD能力
采用高密度单元设计，具有超低漏源导通电阻RDS(ON)
具有良好的稳定性和均匀性，EAS高
采用出色的封装，具有良好的散热性能
应用
电源开关应用
硬开关和高频电路
不间断电源
最大额定值参数（Ta=25℃，除非特别说明）:
电气参数(Ta=25℃，除非特别说明)
注：
1. 重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2. 表面贴装在FR4板，t≤10s
3. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
4. 由设计保证，不受生产限制
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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