【产品】操作电压2.3V~3.60V的串行接口闪存TH25D-40HA，1.3ms页编程时间

时间： 2023-02-28 来源：紫光青藤

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TH25D-40HA是一款串行接口闪存器件，设计用于各种基于消费者的大容量应用，其中程序代码从闪存中隐藏到嵌入式或外部RAM中执行。该器件灵活的擦除架构，以及其页面擦除粒度，非常适合数据存储，无需额外的数据存储器件。

器件的擦除块大小已经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求。通过优化擦除块的大小，可以更有效地使用内存空间。由于某些代码模块和数据存储段必须单独驻留在它们自己的擦除区域中，因此可以大大减少大扇区和大块擦除闪存设备所浪费和未使用的内存空间。这种提高的内存空间效率允许添加额外的代码例程和数据存储段的同时仍然保持相同的总体器件密度。

该器件还包含一个额外的3*512字节的安全寄存器，带有OTP锁（一次性可编程），可用于唯一设备序列化，系统级电子序列号（ESN）存储，锁定密钥存储等目的。

该器件专门设计用于许多不同的系统，支持2.3V至3.6V的宽电源电压范围内的读取、编程和擦除操作。编程和擦除不需要单独的电压。

概述

1.常规

单路2.3V至3.60V电源

- 读取，擦除和编程操作电压2.3V-3.60V

工业温度范围 -40℃至 85℃
串行外围接口（SPI）兼容：

- 模式0，模式3

单IO和双IO模式

- 2M x 1 bit

- 1M x 2 bits

代码和数据存储的灵活架构

- Uniform 256-byte 页编程

- Uniform 256-byte 页擦除

- Uniform 4K-byte 扇区擦除

- Uniform 32K/64K-byte 块擦除

- 全芯片擦除

2. 性能

快速读取

- 2 I/O 100MHz 4个虚拟周期，相当于200M

- 1 I/O 100MHz 8个虚拟周期

快速编程和擦除速度

- 1.3ms页编程时间

- 10ms 页擦除时间

- 10ms 4K-byte 扇区擦除时间

- 10ms 32K-byte 块擦除时间

- 10ms 64K-byte 块擦除时间

超微功耗

- 0.1μA 深度功率下降电流

- 10μA 维持电流

- 1.0mA 33MHz下有源读取电流

- 1.8mA 激活程序或擦除电流

高可靠性

- 100,000 编程/擦除周期

- 数据可保留20年

3. 软件特点

一次性可编程（OTP）安全性寄存器

- 3*512-Byte 带有OTP锁的安全寄存器

软件保护模式

- 块保护（BP4, BP3, BP2, BP1, 以及BP0）位定义了内存数组中可以读取但不能更改的部分。

每个器件专属128位ID
编程/擦除暂停和编程/擦除恢复
JEDEC标准制造商及器件ID阅读方法

4. 硬件特性

硬件保护模式

- 通过WP引脚硬件控制锁定受保护扇区

工业标准绿色封装，选项

- 8-pin SOP（150mil/208mil）

- 8-land USON （2x3mm）

- 8-land WSON（6x5mm）

- 8-pin TSSOP

- WLCSP

- KGD SiP

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紫光青藤 - 选型指南代理服务技术支持批量订货

紫光青藤NorFlash选型表

容量，频率，工作电压，工作温度，输入输出模式

产品型号	品类	Density（Mb）	Frequency（MHZ）	Voltage（V）	Temp（℃）	IO Bus
TH25Q-16HB-MSAI	SPI NOR FLASH	16Mb	85MHZ	2.7V-3.6V	-40℃~85℃	Single/Dual/Quad