基本半导体全系碳化硅分立器件、模块产品亮相央视新闻,对标国际一流水平
1月21日,基本半导体董事长汪之涵博士接受中央电视台新闻频道记者采访,从研发创新、产品设计、人才培养等方面,分享他带领团队攻克第三代半导体关键核心技术的历程。
采访中,汪之涵博士展示了基本半导体即将量产的自主研发产品——车规级全碳化硅功率模块,该产品针对新能源汽车电机控制器开发,搭载了8颗碳化硅MOSFET芯片,具有高功率密度、高可靠性、低模块内部寄生电感、低热阻等性能优势。
他表示采用碳化硅功率器件后,电机控制器的体积和重量可以减少30%到50%,能源效率提升5%到10%,意味着同样电池容量续航里程更长。对于新能源汽车、高铁、船舶、家电等用电设备来说,变得更省电更环保,有利于推动我国2060年碳中和目标的早日实现,助力绿色发展。
新能源汽车是未来碳化硅最为重要的市场之一,基本半导体投入了大量的资源积极布局该领域。立足深圳研发总部,基本半导体在日本名古屋设立了车规级功率模块研发中心,其国际化研发团队成员拥有30多年的模块设计研发及产业化经验。
基本半导体建立了车规级质量体系,自主研发的碳化硅肖特基二极管产品已通过AEC-Q101汽车电子可靠性认证,其全系碳化硅分立器件、模块产品分别依据AEC-Q101、AQG-324标准进行可靠性测试,产品从设计到验证遵循汽车行业标准,打造车规级质量水平。在生产制造方面,基本半导体汽车级碳化硅模块产线将于今年正式投产。
基本半导体秉承科技创新的理念,致力于打造行业领先的碳化硅IDM企业。采访中汪之涵博士谈到:“功率半导体芯片,是电能高效控制和转换的核心技术,关系到国计民生和国家安全。‘十四五’我们国家进入新的发展阶段,对于芯片这种卡脖子技术,我们更要对标国际一流水平。敢于突破,勇于创新,实现关键核心技术自主可控,保障供应链的安全,助力我们国家经济的高质量发展。”
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研讨会2024功率器件新技术研讨会
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基本半导体碳化硅肖特基二极管选型表
提供基本半导体碳化硅肖特基二极管选型,抗浪涌电流能力强高,反向漏电低,覆盖电压 650V/1200V,正向平均电流 2A-20A
产品型号
|
品类
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VRRM
|
IF
|
IFSM
|
VF
|
Ptot
|
QC
|
B1D02065K
|
碳化硅肖特基二极管
|
650V
|
2A
|
16A
|
1.4V
|
39W
|
6.8nC
|
选型表 - 基本半导体 立即选型
电子商城
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