【产品】全波交流控制应用双向可控硅，非重复峰值断态电压最高可达720V
SHINDENGEN（新电元）半导体公司推出的KD3SF60E系列双向可控硅，具有高电压及高敏感度的特性，以及稳定的通态浪涌电流能力。其操作温度范围为-40~150℃，储存温度范围为-55~150℃，较宽的温度范围使得其可以稳定工作在较恶劣的工业温度环境下。KD3SF60E系列双向可控硅尤适用于全波交流控制应用领域。
当TC=25℃（除特殊说明外）时，KD3SF60E系列双向可控硅具有高电压的优势，其重复断态峰值电压和非重复峰值断态电压的最大值分别为600V和720V，可满足高电压使用环境的需求。其栅极触发电压的最大值为1.5V，栅极不触发电压的最小值仅为0.1V，具有高敏感度。另外，其平均栅源功耗的最大值仅为0.5W，具有节能的突出优势。KD3SF60E系列双向可控硅的最大额定参数和电子特性可详见表1、2。
表1 KD3SF60E系列双向可控硅的最大额定参数
| 参数 | 条件 | 最大值 |
| 重复断态峰值电压VDRM | 600V | |
| 非重复峰值断态电压VDSM | 720V | |
| 开态浪涌电流ITSM | TJ=25℃、60Hz、正弦波、非重复性的1周期峰值 | 30A |
| 栅源耗散峰值PGM | f=60Hz、周期≤10% | 5W |
| 平均栅源耗散PG（AV） | 0.5W | |
| 储存结温Tstg | -55~150℃ | |
| 操作温度TJ | -40~150℃ | |
| 栅源电压峰值VGM | 10V |
表2 KD3SF60E系列双向可控硅的电子特性
| 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
| 断态电流IDRM | VD=600V、脉冲测量 | 10µA | ||
| 开态电压VTM | ITM=4.5A、脉冲测量 | 1.5V | ||
| 栅极触发电压VGT | VD=6V、RL=10Ω、T1-、T2+、G+ | 1.5V | ||
| VD=6V、RL=10Ω、T1-、T2+、G- | 1.5V | |||
| VD=6V、RL=10Ω、T1+、T2-、G- | 1.5V | |||
| 栅极不触发电压VGD | TJ=150℃、VD=1/2 VDRM | 0.1V | ||
| 保持电流IH | IT=1A | 100mA | ||
| 热阻抗Rth(j-c) | 接头带散热片 | 2.62℃/W |
KD3SF60E系列双向可控硅的接线图跟机械尺寸：
图1 KD3SF60E系列双向可控硅接线图
图2 KD3SF60E系列双向可控硅尺寸
KD3SF60E系列双向可控硅突出特点与优势
·高电压
·高灵敏度
·稳定的通态浪涌电流能力
·最高工作温度150摄氏度
KD3SF60E系列双向可控硅应用领域
·全波交流控制应用
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