【经验】解析MOS管开关电路设计

2022-02-11 世强
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基带电路设计中,经常会使用一些三极管MOS管来作为开关电路,正常的逻辑信号控制,没有什么大电流应用,没有什么太大问题,能够实现电平0和1的转换。但是有一些特殊电路,需要用MOS管来进行电压阻断、过大电流的时候,就比较容易出问题。


MOS管的选取,Rdson的大小对电路设计会比较讲究,有些电路需要做压降比较大,有些电路需要压降比较小,还是要根据电路实际情况来选择。如果电路要求压降很小,可以采用两个MOS管并联的方式;比如这种:

需要重点注意的是当作为上述过流应用电路时,需要核算MOS管输入端和输出端的电容总容量,下面就题主遇到的问题及过程做详细描述,希望能帮助到硬件设计的朋友。


电路模型如下图所示,本产品通过12V 适配器供电,上电后,自动开机。内部转为5V 后,分两路,分别给主控供电和以太网电路供电。

本次项目设计,选用了长晶科技的三极管2SC4081和MOS管CJ3401来进行开关电路设计,MOS 开关电路详细如下图, 该电路是应用非常广泛且成熟的MOS管开关电路,常用于RS485/232 、CAN等小电流电路供电,方便做低功耗。

在本项目中,就出现一个非常严重且很容易忽视的问题,即:当ETH_Ctrl为高电平,Q501 导通,电流从VCC_5V流向VDDREG5,会导致VCC_5V拉到最低1V,持续时间大约8ms。


如下图波形,蓝色为ETH_Ctrl, 绿色为VCC_5V.

因为VCC_5V掉电的8ms,会使主控掉电,也就无法继续输出ETH_Ctrl信号,故ETH_Ctrl信号为低电平;


当VCC_5V在8ms后恢复,主控会上电并自动开机,然后程序运行到ETH_Ctrl输出高时,使上述电路工作,然后导致VCC_5V又掉电,故表现出来现象就是反复reset(外观有LED 灯,会重复亮灭)。


因为该项目是首次生产调试,基于上述现象,测量主控Reset信号、IO电压以及主控电压,推论,可能是在开关Q502打开的瞬间,VCC_5V通过R509被拉低了。(虽然理论不是这样,本着追根究底的原则,还是更换阻值更大的电阻进行验证,最终排除该推论,波形和上面波形一致)


然后经过分析,各种猜测,假设是否可能是开关开启瞬间,以太网电路瞬时功耗过大导致的呢?基于此想法,于是在VCC_5V电路上并联47uF电容数颗,再次验证,问题得到解决,但还是存在不稳定,偶尔还会有reset现象。经过该方法验证,貌似问题得到了解决,但是成本会增加,根本原因还有待分析。


最终,经过对MOS管前后两端的电容总容量以及整个VCC_5V 的电容布局分析发现,在VDDREG5 这一侧的电容,竟然高达44μF,而VCC_5V这一侧的电容,虽然有4个22μF电容,但是整个布局比较远,且分属不同DC/DC电路。如下红框是4个22μF电容,蓝色框是2个22μF电容;

那么最终结论就是,VCC_5V 这侧的电压,因电容太少,储能不够,导致在MOS管CJ3401打开的瞬间,电流会流向VDDREG5这侧,给VDDREG5 这侧的2个22μF电容充电,导致VCC_5V 被拉低,以至主控不能工作在正常电压。


经过最终的优化,在保证功能正常的情况下,本着节约成本的原则,在VCC_5V 这一侧增加22μF电容,且PCB 布局上,靠近Q501,同时,减少VDDREG5 这一侧的电容,确保VCC_5V这一侧电容总量是VDDREG5 的2倍及以上。相关电路修改如下:

最终波形如下:

该问题最终得到解决,在ETH_Ctrl 拉高时,VCC_5V 不会掉电。

最后的思考,以往使用该电路时,大家都按照器件手册推荐电路来设计,单电路性能验证是没有问题,但是综合起来,就没那么理想了,在该项目上,主要还是忽略了电路上电容的总容量以及各电容在PCB上布局的位置不够集中。



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