【产品】最小击穿电压60V的N沟道耗尽型场效应晶体管,可实现世界一流高压MOSFET性能

2018-07-22 IXYS(LITTELFUSE收购)
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LITTELFUSE的子公司IXYS公司推出了一款采用IXYS 集成电路部门专有的第三代垂直DMOS工艺的N沟道耗尽型场效应晶体管——CPC3701。垂直DMOS工艺可提供具有高输入阻抗的稳健器件,可以实现世界一流高压MOSFET的性能,特别适用于大功率应用。该芯片具有高度可靠性,已广泛应用于工业和安全应用的固态继电器中。它与所有MOS器件一样,FET结构可防止热失控和热引起的二次击穿。


CPC3701 N沟道耗尽型场效应晶体管具有高击穿电压、低导通电阻、高输入阻抗、低栅源关断电压VGS(off)和低功耗的优点。该芯片的最小击穿电压为60V,导通电阻在25ºC最大为1Ω,栅源关断电压范围为-1.4V至-3.1V,总功耗最大为1.1W(在1"x1" FR4电路板上测量)。


CPC3701 N沟道耗尽型场效应晶体管采用小封装尺寸的SOT-89封装,实物如图1所示,引脚配置如图2所示。该芯片具有-55 ºC到+125 ºC的宽工作温度范围,可以满足工业级应用的温度要求。它主要应用于点火模块、常开开关、固态继电器、转换器、安全以及电源等领域。

 

图1:CPC3701 N沟道耗尽型场效应晶体管实物图

图2:CPC3701 N沟道耗尽型场效应晶体管引脚配置


CPC3701 N沟道耗尽型场效应晶体管的产品特性

•在低温下耗尽型设备提供低导通电阻RDS(on)

•低导通电阻:在25ºC最大1Ω

•高输入阻抗

•低VGS(off)电压:-1.4至-3.1V

•小封装尺寸SOT-89


CPC3701 N沟道耗尽型场效应晶体管的应用领域

•点火模块

•常开开关

•固态继电器

•转换器

•安全

•电源

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全部评论(2

  • 阿尼古 Lv8. 研究员 2023-02-08
    感谢分享
  • 用户34417098 Lv5. 技术专家 2018-11-12
    内阻有点大啊,不能走大电流负载,略有失望
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