【产品】最小击穿电压60V的N沟道耗尽型场效应晶体管，可实现世界一流高压MOSFET性能
LITTELFUSE的子公司IXYS公司推出了一款采用IXYS 集成电路部门专有的第三代垂直DMOS工艺的N沟道耗尽型场效应晶体管——CPC3701。垂直DMOS工艺可提供具有高输入阻抗的稳健器件，可以实现世界一流高压MOSFET的性能，特别适用于大功率应用。该芯片具有高度可靠性，已广泛应用于工业和安全应用的固态继电器中。它与所有MOS器件一样，FET结构可防止热失控和热引起的二次击穿。
CPC3701 N沟道耗尽型场效应晶体管具有高击穿电压、低导通电阻、高输入阻抗、低栅源关断电压VGS（off）和低功耗的优点。该芯片的最小击穿电压为60V，导通电阻在25ºC最大为1Ω，栅源关断电压范围为-1.4V至-3.1V，总功耗最大为1.1W(在1"x1" FR4电路板上测量)。
CPC3701 N沟道耗尽型场效应晶体管采用小封装尺寸的SOT-89封装，实物如图1所示，引脚配置如图2所示。该芯片具有-55 ºC到+125 ºC的宽工作温度范围，可以满足工业级应用的温度要求。它主要应用于点火模块、常开开关、固态继电器、转换器、安全以及电源等领域。
图1：CPC3701 N沟道耗尽型场效应晶体管实物图
图2：CPC3701 N沟道耗尽型场效应晶体管引脚配置
CPC3701 N沟道耗尽型场效应晶体管的产品特性
•在低温下耗尽型设备提供低导通电阻RDS（on）
•低导通电阻：在25ºC最大1Ω
•高输入阻抗
•低VGS（off）电压：-1.4至-3.1V
•小封装尺寸SOT-89
CPC3701 N沟道耗尽型场效应晶体管的应用领域
•点火模块
•常开开关
•固态继电器
•转换器
•安全
•电源
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本文由太极魂翻译自IXYS（LITTELFUSE收购），版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
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阿尼古 Lv8. 研究员 2023-02-08感谢分享 -
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用户34417098 Lv5. 技术专家 2018-11-12内阻有点大啊，不能走大电流负载，略有失望
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