可pin to pin替代随机存储器MT48LC4M16A2B4，内存大小64Mbit
在轨道交通机车电机控制开发项目中，一般模拟量采样和数字量采样经过ADC和光耦送入CPU，CPU进行数据的存储和运算，为了扩展存储容量，通常会采用随机存储器DRAM进行数据的存储。在CPU的控制系统中，一款合适的随机存储器必不可少。
图1 CPU控制系统图
本文将介绍ALLIANCE Memory公司新推出的64Mb同步动态随机存取存储器AS4C4M16SA-6BxN，AS4C4M16SA-7BxN，可完美与S公司的MT48LC4M16A2B4做替代，其性能参数对照表如下表所示。
图2 芯片AS4C4M16SA-6BxN，AS4C4M16SA-7BxN和MT48LC4M16A2B4参数对比图
通过ALLIANCE Memory公司的随机存取存储器AS4C4M16SA-6BxN，AS4C4M16SA-7BxN与S公司的MT48LC4M16A2B4的比较可以得出：
1、ALLIANCE Memory公司的随机存取存储器AS4C4M16SA-6BxN，AS4C4M16SA-7BxN的供电电压、内存大小、时钟频率、响应时间与S公司的MT48LC4M16A2B4保持一致，说明在同样的供电条件下，两者功率等级相同，可以完全互换使用。
2、ALLIANCE Memory公司的随机存取存储器AS4C4M16SA-6BxN，AS4C4M16SA-7BxN和S公司的MT48LC4M16A2B4的使用温度范围相同，两者都可以在-40~+105℃的温度范围内使用，同样的工作环境条件下，两者性能一致，可以完全替代使用。
通过参数对比分析可见ALLIANCE Memory公司的随机存取存储器AS4C4M16SA-6BxN，AS4C4M16SA-7BxN和S公司的MT48LC4M16A2B4使用性能和环境条件一致，都可在CPU控制系统中可靠有效的使用。
其次介绍下AS4C4M16SA-6BxN，AS4C4M16SA-7BxN的封装尺寸，都包含标准54-pin TSOP II和54-ball FBGA封装，和MT48LC4M16A2B4封装对比如下图所示。图中的管脚间距和定义一致，封装尺寸完全兼容。
图3芯片AS4C4M16SA-6BxN，AS4C4M16SA-7BxN和MT48LC4M16A2B4封装对比图
通过见ALLIANCE Memory公司的随机存取存储器AS4C4M16SA-6BxN，AS4C4M16SA-7BxN和S公司的MT48LC4M16A2B4封装尺寸和性能参数对比，可以看出两者尺寸完全兼容可以互换，而且两者供电和性能完全一致，在CPU控制系统中都可发挥功率器件的优势。
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简简单单 Lv8. 研究员 2018-08-07借鉴一下 -
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小人物的春天 Lv6. 高级专家 2018-07-26大家在相互借鉴中进步 -
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Harlin Lv5. 技术专家 2018-07-26米国也是抄抄抄 -
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用户18396822 Lv8 2018-07-25太棒了 -
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用户63178660 Lv3. 高级工程师 2018-07-24支持 -
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Jeffrey Lv7. 资深专家 2018-07-24收藏 -
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Dark Lv3. 高级工程师 2018-07-23了解 -
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用户_8559 Lv5 2018-07-23学习了 -
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号角 Lv5 2018-07-22学习 -
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用户97648518 Lv5. 技术专家 2018-07-22都是米国货，贸易战怕怕
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【产品】32M×16bit的高速DDR2 SDRAM内存AS4C32M16D2B, 提供工业款和商用款
AS4C32M16D2B是Alliance公司推出的一款全新产品，其全称为高速CMOS DDR2同步动态随机存取存储器（SDRAM）。该内存产品容量达到512Mb，并配置16位数据宽度的I/O接口，内部结构由4组DRAM构成。这款内存按照工作温度范围可分为商用款（AS4C32M16D2B-25BCN）和工业款（AS4C32M16D2B-25BIN）两种型号。
新产品 发布时间 : 2018-11-03
AS4C128M16D3C-93BCN AS4C128M16D3C-93BIN 128M x 16 bit DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM)
型号- AS4C128M16D3C-93BIN,AS4C128M16D3C-93BCN
AS4C256M16D3LC 256M x 16 bit DDR3L Synchronous DRAM (SDRAM)
型号- AS4C256M16D3LC-10BAN,AS4C256M16D3LC-12BANXX,AS4C256M16D3LC,AS4C256M16D3LC-10BANXX,AS4C256M16D3LC-12BAN
AS4C256M8D3LC 256M x 8 bit DDR3L Synchronous DRAM (SDRAM)
型号- AS4C256M8D3LC,AS4C256M8D3LC-12BIN,AS4C256M8D3LC-12BC/INXX,AS4C256M8D3LC-12BCN
8Gb,16Gb,32Gb LPDDR4x SDRAM
型号- AS4C512M32MD4V-053BIN,AS4C512M32MD4VA-62BC/I/ANXX,AS4C512M16MD4V-053BIN,AS4C512M32MD4V-046BIN,AS4C1G32MD4V-046BIN
AS4C256M8D3LB-12BIN,AS4C256M8D3LB-12BCN 256M x 8 bit DDR3L Synchronous DRAM (SDRAM)
型号- AS4C256M8D3LB-12BIN,AS4C256M8D3LB,AS4C256M8D3LB-12BCN
AS4C512M16D4A 512M x 16 bit DDR4 Synchronous DRAM (SDRAM)
型号- AS4C512M16D4A-62BIN,AS4C512M16D4A,AS4C512M16D4A-62BCN,AS4C 512M16D4A-62BC/INXX
第三代高速SRAM、SDRAM，数据传输率可达1600Mb
第三代高速双倍数据率同步动态随机存取存储器—AS4C64M16D3-12BAN震撼来袭！
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电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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