RENESAS 第八代IGBT单管，不亚于业内ES5技术的IGBT单管

时间： 2018-05-30 来源：世强

RENESAS在IGBT单管产品上的最新一代技术为G8H技术，电流规格可高达75A。在工业市场，其中UPS、光伏和充电桩等市场产品均有使用CompanyA-ES5的IGBT单管。与CompanyA-ES5技术的IGBT单管相比，RENESAS的G8H技术的IGBT单管在参数和损耗上均有一定的优势。下面通过RENESAS和业内CompanyA-ES5的IGBT单管（650V/50A左右）采用对比方式分析，展现G8H技术IGBT单管的性能特性。

1、IGBT单管的规格标称在参数上的对比

表1

表1中，Vce、tsc、Tjmax和PKG（TO-247封装）均是一样的标称参数。Renesas 第八代IGBT单管RBN50H65T1FPQ-A0 绝缘栅双极型晶体管相比于CompanyA-ES5，Vge的电平高10V，Ic和IF差异均是10.5A。

2、同一个测试平台下，实际测试的数据进行对比

表2

（1）Vce=10A、Ic=1.5mA的测试条件下。两款型号的IGBT单管的VGE（th）（阈值电压）分别是4.01和4.78V，相差0.77V，阈值电压均是5V以内。

（2）Vge=15V、Ic=50A的测试条件下。RBN50H65T1FPQ-A0比CompanyA-ES5的导通电压差异是0.02V。导通电压基本一致

（3）Vge=-5V~15V、Vcc=400V、Ic=50A、Rg=16ohm的测试条件下。RBN50H65T1FPQ-A0相比于CompanyA-ES5，E on(导通损耗)低0.28mJ、Eoff损耗高0.12mJ、Etotal损耗低0.17mJ。

（4）If=50A测试条件下。RBN50H65T1FPQ-A0相比于CompanyA-ES5，VF要高0.46V。

（5）If=50A，di/dt=300A/μs的测试条件。RBN50H65T1FPQ-A0相比于CompanyA-ES5，Qrr要小0.76μC。

综上，从规格参数和平台对比测试数据可以看出，RBN50H65T1FPQ-A0相比于CompanyA-ES5，两者的标称参数差异不大且封装一致。在同样的应用条件下，两者的导通电压性能基本一致，但是总体损耗G8H技术的RBN50H65T1FPQ-A0更低。故RENESAS的G8H技术IGBT单管在应用于UPS、光伏和充电桩等市场产品上时，IGBT单管在总体上的性能表现将比CompanyA-ES5更佳。

RENESAS的G8H技术IGBT单管，适用于光伏、充电桩和UPS的型号如下表：

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全部评论（1）

会飞的狼 Lv7. 资深专家 2018-10-08

很好的东西，之前设计全部用国外的，现在可以选国产的，价格应该也便宜不少，供货周期短。

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