【产品】P_SUB P_EPI工艺高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器AG2104，适用于中小功率电机驱动器

时间： 2019-05-12 来源：AiT

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AIT的AG2104是基于P_SUB P_EPI工艺的高压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器。浮动通道驱动器可以驱动半桥结构中的两个N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。AG2104的逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，兼容3.3V逻辑电平，其输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，从而减小驱动器交叉传导。同时，器件匹配传播延迟，简化了AG2104在高频应用中的使用。AG2104采用SOP8封装，其引脚图如图1所示，典型应用电路如图2所示。

图1 AG2104引脚图

图2 AG2104典型应用电路

AG2104产品特性

•可以工作至+600 V

•兼容3.3V逻辑电平

•dV / dt抗扰度达±50V / nsec

•浮动通道设计用于自举操作

•栅极驱动电源范围为10V至20V

•低侧通道具有UVLO

•输出源/灌电流能力400mA / 650mA

•内部520ns固定死区时间用于交叉传导保护

•Vs具有-10V的负电压能力

•两个通道的传播延迟已匹配

•采用SOP8封装

AG2104应用领域

•中小功率电机驱动器

•功率MOSFET或IGBT驱动器

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