【应用】650V超级结MOSFET TPA65R600M助力80W LED驱动电源，有效提高LED驱动电源效率

时间： 2020-06-13 来源：世强

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LED灯因消耗较少的电能和较少的发热量，相对于传统光源更加节能环保，同时LED驱动电源效率的提高，有利于减小LED灯的功率损耗，减小发热量，提高LED灯使用寿命。如图1为LED驱动电源常用的电路图框，主要是把市电供应转换为特定的电压电流以驱动LED发光的电源转换器，主要包含AC220交流整流、功率因素校正PFC、LLC半桥，输出整流模块等。

图1 LED驱动电源常用的电路图框

这里主要介绍无锡紫光微超级结MOSFET TPA65R600M在80W LED驱动电源半桥LLC部分运用优势：

1、该MOS管VDS电压650V，AC220交流整流后输出电压一般为300V范围，针对开关管关断瞬间产生较高电压尖峰，需留有2倍以上裕量， TPA65R600M的VDS电压650V满足应用需求；

2、导通电阻为最大600毫欧，可降低导通损耗，降低输入电源功耗，提高LED驱动电源效率；续漏极电流在25℃时最大额定值为7A，针对80W LED驱动电源运用，电流余量可满足功率需求；

3、TPA65R600M为TO-220F塑封封装，不需要外加绝缘散热材料，有效较小布局空间，使得LED驱动电源体积做的更小。

4、工作结温和存储温度范围均为-55~150℃，对于外置室外路灯供电等外部密封，通过自然散热方式具有更高的温度承受能力；

图2 TPA65R600M封装以及管脚定义

除了上述参数优势外，TPA65R600M为国产品牌器件，在交期供应方面有优势，如有兴趣欢迎做进一步了解。

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