【产品】蓝箭电子推出PDFN5×6封装N沟道场效应管BRCS060N08HZC，Tj温度范围-55～150℃

时间： 2023-02-01 来源：蓝箭电子

代理服务

技术支持

现货查询

批量订货

蓝箭电子推出的PDFN5×6封装N沟道场效应管 BRCS060N08HZC，具有低电阻可最大地降低导电损耗，低栅极电荷，可实现快速切换、低热阻的特征。该器件适用于用户、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器，其V_DS值80V，I_D值为85A，T_j和T_stg温度范围为-55～150℃。无卤产品。

特征：

低电阻可最大地降低导电损耗，低栅极电荷，可实现快速切换，低热阻，无卤产品。

用途：

适用于用户、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。

极限参数（Ta=25℃）

电性能参数（Ta=25℃）

外形尺寸图：

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由提灯破云转载自蓝箭电子，原文标题为:BRCS060N08HZC，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】蓝箭电子推出的N沟道场效应管BRCS18N20DP，采用TO-252塑封封装，Tj温度范围为-55～150℃

蓝箭电子推出的采用TO-252塑封封装的N沟道场效应管BRCS18N20DP，具有低栅电荷,导通电阻低，快速切换应用的优化的特征。该器件适用于低压电路如：汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换。

2023-05-02 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】低输入电容的无卤N沟道MOS场效应管BRCS6570SC，适用于负荷开关及转换开关

蓝箭电子推出的BRCS6570SC是一款采用SOP-8塑封封装无卤N沟道MOS场效应管。具有低导通电阻，低输入电容，开关速度快的特征，适用于负荷开关，转换开关。

2022-04-15 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】60V/4.5A N沟道双芯片场效应管BRCS4828SC，导通电阻低至50mΩ，典型RθJC值为35℃/W

蓝箭电子推出的N沟道双芯片场效应管BRCS4828SC，采用SOP-8塑封封装，使用先进沟槽工艺，拥有良好的 RDS(ON) 参数和极低的栅极电荷，用于作负载开关或脉宽调制应用。Tj和Tstg温度范围为-55～+150℃，典型RθJC值为35℃/W。

2022-05-29 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

BRCS250N10SDPQ N 沟道场效应管 DATA SHEET (BRCS250N10SDPQ N-CHANNEL MOSFET DATA SHEET）

型号- BRCS250N10SDPQ

Dec.-2023 - 蓝箭电子 - 数据手册 - Rev.A 代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】N沟道MOS场效应管BRCS080N02ZB采用DFN 3*3A-8L塑封封装，适用于低压电路

蓝箭电子推出的N沟道MOS场效应管BRCS080N02ZB，采用DFN 3*3A-8L塑封封装。其VDS(V)值为20V，在VGS=±12V条件下ID值为12.6A，是一种无卤产品。BRCS080N02ZB适用于低压电路如汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换。其PD值为100W，IAS值为12.5A，TSTG温度范围为-55~+150°C。

2022-06-18 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

BRCS4266SCQ N 沟道 MOS 场效应管 DATA SHEET (BRCS4266SCQ N-Channel MOSFET DATA SHEET)

型号- BRCS4266SCQ

Mar.-2023 - 蓝箭电子 - 数据手册 - Rev.A 代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】蓝箭推出双N沟道MOS场效应管BRCS120N03YA，VDSS值30V，采用PDFN3×3-8L塑封封装

蓝箭电子推出的双N沟道MOS场效应管BRCS120N03YA，采用PDFN3×3-8L塑封封装。具有VDS(V)=30V，ID=24A(VGS =±20V)，RDS(ON)@10V≤13mR(Typ.11mR)，HFProduct的特征。

2022-11-14 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】PDFN5×6封装的无卤N沟道场效应管BRCS060N04SZC，Tj温度范围-55～150℃

蓝箭电子推出的PDFN5×6封装N沟道场效应管BRCS060N04SZC，具有低电阻可最大地降低导电损耗、低栅极电荷、可实现快速切换，低热阻的特征。VDS值40V，ID值为30A，Tj和Tstg温度范围为-55～150℃，无卤。

2023-01-12 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】TO-220塑封封装N沟道场效应管BRCS18N20RA，具有低栅电荷、导通电阻低的特点

蓝箭电子推出的TO-220塑封封装N沟道场效应管BRCS18N20RA，具有低栅电荷，导通电阻低，快速切换应用的优化等特征。该器件适用于低压电路如：汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换。

2023-05-09 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】采用PDFN5×6封装的N沟道场效应管BRCS035N10SHZC，VDS值为100V

蓝箭电子推出的N沟道场效应管BRCS035N10SHZC，采用PDFN5×6封装。具有低电阻可最大地降低导电损耗，低栅极电荷，可实现快速切换，低热阻的特征。该产品可用于电池管理，联网直流-直流电力系统，负荷开关等。

2023-01-13 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】TO-220塑封封装N沟道场效应管BRCS3710BRA，适用于高效DC/DC转换和功率开关

蓝箭电子推出的TO-220塑封封装N沟道场效应管BRCS3710BRA，具有阻抗低，开关速度快的特征。该器件适用于高效DC/DC转换和功率开关，其VDSS值100V，ID(Tc=25℃)值为50A，Tj和Tstg温度范围为-55～150℃。

2023-04-01 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【应用】虹美功率半导体单N沟道低压MOS场效应管有助于减少电子烟的重量和体积，降低生产成本

虹美功率半导体单N沟道低压MOS场效应管系列产品HM3400E和HM3400KR的优良性能，保证了电子烟的加热速度、稳定性和可靠性。该系列产品满足了用户的使用体验，是电子烟的理想选择。

2023-05-09 - 应用方案代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】TO-220F塑封封装N沟道MOS场效应管BRCS65R190FAG，具有650V超结功率场效应管

蓝箭电子推出的TO-220F塑封封装N沟道MOS场效应管BRCS65R190FAG，具有650V超结功率场效应管，RDS(on)×Qg很低，100%雪崩测试的特征。该器件适用于开关电源、不间断电源、功率因数校正等，其VDSS值650V，ID值为20A。

2023-05-07 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】40V/100A的N沟道MOSFET MSN04R010S，采用PDFN5*6封装，导通内阻小于1mΩ

美浦森（Maplesemi）推出的N沟道MOSFET MSN04R010S，是利用先进生产技术生产的具有高性能的功率场效应管，采用PDFN5*6封装，具有导通电阻低、快速开关等特点。漏-源极工作电压最大额定值为40V，连续漏极电流的最大额定值为100A，上升时间的典型值是18.8ns，下降时间的典型值是44.1ns，总栅极电荷典型值是103.5nC。适用于在服务器或其他通用应用中的同步整流器电路。