【产品】1200V 80mΩ车规级SiC MOSFET-IV1Q12080T4Z,结壳热阻0.5℃/W

2022-08-12 瞻芯电子
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瞻芯电子推出的车规级SiC MOSFET-IV1Q12080T4Z,漏源电压为1200V,焊接温度为260℃,结到外壳的热阻0.5℃/W,推荐使用的开通栅源电压20±0.5V,最大耗散功率为300W;该产品具有高工作结温,高压、低导通电阻等特性。可用于车载充电器,车载压缩机逆变器,车载DC/DC变换器,光伏逆变器,开关电源等领域。

图 1 实物图

特点
●高压、低导通电阻
●高速、寄生电容小
●高工作结温
●快速恢复体二极管
●开尔文连接驱动
●AEC-Q101 认证通过


最大额定值  (TC=25℃,特殊说明除外)

表 1

电学特性(TC=25℃,特殊说明除外)

表 2

应用
●车载充电器
●车载压缩机逆变器
●车载DC/DC变换器
●光伏逆变器
●开关电源


体二极管特性  (TC=25℃,特殊说明除外)

表 3

封装尺寸

图 2

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  • 用户18396822 Lv8 2023-01-19
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