派恩杰自主研发先进的动态参数测试平台，SiC MOS性能实测达到国际一流水平
SiC MOS在功率开关系统应用中占有一席之地，原因之一是高频低功耗的优点。这个优点使得整个功率系统可以在较高频率中工作，从而减小无源元件的体积和重量（如滤波器和变压器中的电容等），且减小系统损耗。
为了更准确地评估SiC MOS的动态性能，派恩杰自主研发了先进的动态参数测试平台。在相同测试条件下，对派恩杰与多家国际主流厂商的SiC MOS功率器件进行动态性能实测对比。结果表明派恩杰的SiC MOS性能已达到国际一流水平。
功率器件性能的重要指标是总体损耗（Total Loss），包含两部分，一个是导通损耗（Conduction Loss），一个是开关损耗（Switching Loss）。也就是说损耗越低，效率越高，设备可以做成更小的体积，更高的效率和更轻的重量，更适合现代化应用需求。准确测量开关速度更快的SiC MOS的开关损耗，是评价其开关特性的重要依据，是在驱动层面对其开关过程进行控制和优化的前提，对研究如何降低开关损耗，提高开关频率、提升控制器效率具有重要意义。
派恩杰设计的SiC MOS双脉冲测试平台采用高带宽电压电流探头和高带宽示波器，能准确校准测量延时，优化PCB设计减小杂散电感，此系统的杂散电感小于25nH，因此派恩杰设计的双脉冲测试平台能更准确的评估SiC MOS功率器件的开关损耗。此外，派恩杰设计的SiC MOS功率器件具有更小的栅漏电容与栅漏电荷，开关损耗会更小，因此动态性能更加优秀，充分发挥出SiC MOS性能优势。下面是三家1200V80mΩ SiC MOS采用相同条件测试开关损耗，对比图如下：
上述结果表明派恩杰的P3M12080K3开通损耗最优，关断损耗仅次于A家，开关损耗最优，其中S家开关损耗最大。
三家650V60mΩ SiC MOS采用相同条件测试开关损耗，对比图如下：
上述结果表明关断损耗I家最优，三家差异不大；开通损耗与开关损耗派恩杰的P3M06060K3与I家器件不分伯仲。
与国际一流SiC厂商相比，派恩杰SiC MOS开关损耗更低，性能优异，优于A家、S家和O家的同类产品，与I家器件性能基本一致。可见，派恩杰SiC MOS是国产功率器件中的佼佼者，产品性能达到国际一流水平。
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