【产品】时科新推GaN整合IC SKGI8020/SKGI8120，支持最小化PCB，适用于65W PD快充
GaN 是第三代半导体材料的杰出代表，其在高频、大功率半导体芯片领域应用市场巨大。GaN基电子器件是电力电子和微波射频器件的“核芯”，是全球战略竞争新的制高点。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的电子迁移率、饱和电子速度和击穿电场。
由于材料上的优势，GaN功率器件可以实现更小的导通电阻和栅极电荷(意味着更优秀的传导和开关性能)。因此GaN功率器件更适合于高频应用场合，对提升变换器的效率和功率密度非常有利。
时科作为全球工程师的优质战略合作伙伴，为满足市场需求，推出新品GaN整合IC SKGI8020、SKGI8120，是65W PD快充的最佳解决方案。
SKGI8020 、SKGI8120采用三合一芯片，整合控制器、驱动器、HEMT；支援二次侧控制；支持最小化PCB、减少搭配问题，实现最佳性价比.
同时GaN HEMT整合式IC，使适配器最小化，外部元件少 15%， PCB可小30%，解决客户四大核心问题：
1、整合被动元件置系统，降低零件成本费用。
2、提高1~5倍高压开关切换频率，兼顾EMI与减少切换损失。
3、采用贴片式的QFN 8X8包装，使Lead Frame 裸露。上件后使裸露的 Exposed Pad与电路板贴合，达到散热的目的。
4、驱动级、控制器、HEMT整合，使用方便并使效能最佳化。
SKGI8020
SKGI8020是具有整合高压 GaN 晶体管的AC/DC控制器方案，可实现高效能运行。该方案提供高效能、低成本反激电源，可以将70W升压至100W。
SKGI8020是针对使用基于隔离器的反馈的传统反激式架构。它可以在 100~500 kHz 范围内工作，以在使用传统系统架构的同时提高变压器尺寸和功率密度。
SKGI8020 实现了启动控制器和脉冲隔离接口，以达到完成启动一次侧或二次侧。使用二次侧可以改善瞬态响应以及管理负载接口。
产品特征：
①集成启动调节器
②工作频率高达 500 kHz
③坡底切换操作以实现高效率
④最少的 BOM 数量和成本
⑤待机功耗低
产品应用：
① USB type-C 电源适配器
②手机和平板充电器
③ 笔记本电脑适配器
④ 消费电子
SKGI8120
SKGI8120 封装 QFN4x4m，使用外部 HEMT，其他功能同SKGI8020。
時科新品GaN以安全、低功耗、高性能为宗旨，助力快充芯体验。
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议题- 降低20%导通电阻的功率MOS | 集成驱动的GaN IC | 沟槽栅场截止型IGBT新技术 | 适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET | 1700V SiC功率MOS | 国产50A IPM模块 | 高可靠国产车规IGBT模块 | ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商 | EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商 | 致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI） | 中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE） | 致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes） | 中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip） | 专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ） | Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商 | Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40% | 中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER） | 国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体 | 国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics） | 国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY） |
活动 发布时间 : 2024-10-12
时科（SHIKUES）分立元器件选型指南
型号- 1SMA5952BG,SMAJ6.0CA,SMAJ40CA,MMBZ5258B,1SMA4749AG,S2MW,SMF10CA,SD15,SD12,SKIS40N120-T7,SD18,HD04,RS3BBG,RS3BBF,HD06,HD08,MMBZ5259B,ES2JBG,ES2JBF,SD05,SD03,BAV23A 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SKGI8020 Series Advanced GaN-based Combo IC for Flyback and Boost Applications Specifications
型号- SKGI8020B,SKGI8020B165,SKGI8020B365-0,SKGI8020 SERIES,SKGI8020,SKGI8020B165-1,SKGI8020B365,SKGI8020B165-2,SKGI8020B365-1,SKGI8020B365-2,SKGI8020B165-0
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时科变容二极管选型表
时科提供以下参数选型：Vr(V)：6~65V、Rs(Ω)：0.4~1Ω、Ir(μA)：5~100μA
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产品型号
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品类
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Vr(V)
|
Rs(Ω)
|
Ir(nA)
|
Vr@Ir(V)
|
C1(Pf)(V)
|
Vr@C1(V)
|
C2(Pf)(V)
|
Vr@C2(V)
|
Package
|
|
BB910
|
变容二极管
|
6
|
0.8
|
10
|
6
|
40
|
0.5
|
15
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5
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SOD-323
|
选型表 - 时科 立即选型
时科SIC MOS和SGT MOS产品亮相德国慕尼黑，为行业注入创新动能
2024年11月12日，备受关注的慕尼黑国际电子元器件博览会（electronica）在德国慕尼黑展览中心拉开帷幕。作为全球领先的电子元器件展会，时科携带多款重磅SIC MOS和SGT MOS产品与技术亮相展会，展现了在人工智能自动化、电动交通、智能能源等多个领域的技术成果。
原厂动态 发布时间 : 2024-11-15
时科150mA负载电流的低压降稳压器SK56系列，耐压达80V，为智能家居系统提供高效稳定的电源供应
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应用方案 发布时间 : 2023-11-28
时科双极型晶体管选型表
时科提供双极型晶体管的以下参数选型：PCM(mW)：-1200~10000mW，Hfe MIN：25~8000，Hfe MAX：180~1200
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产品型号
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品类
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POLARITY
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PCM(mW)
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Ic(mA)
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BVcbo(V)
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BVceo(V)
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BVebo(V)
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Hfe MIN
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Hfe MAX
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Hfe@VCE(V)
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Hfe@lc(mA)
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VCE(SAT)(V)
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VCE(SAT)@lc(mA)
|
VCE(SAT)@Ib(mA)
|
Ft(Mhz)
|
Package
|
|
BC846AW
|
双极型晶体管
|
NPN
|
200
|
100
|
80
|
65
|
6
|
110
|
220
|
5
|
2
|
0.6
|
100
|
5
|
100MIN
|
SOT-323
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支持GSM / GPRS 等多种制式产品的射频测试，覆盖所有上行和下行的各项射频指标，包括频差、相差、调制、功率、功控、包络、邻道泄漏比、频谱、杂散、灵敏度、同道干扰、邻道干扰、互调、阻塞等等。满足CE / FCC / IC / TELEC等主流认证的射频测试需求。
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