【IC】爱仕特新款高可靠汽车级碳化硅功率模块DCS12，封装一次铸造成型，为高速发展的新能源汽车注入动力

时间： 2023-06-22 来源：深圳爱仕特科技有限公司公众号

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深圳爱仕特科技有限公司推出新款汽车级碳化硅功率模块 DCS12，旨在缩小半导体器件使用尺寸的同时，提高逆变器功率密度、可靠性、耐用性以及寿命周期，给高速发展的新能源汽车注入动力。

爱仕特DCS12模块

DCS12模块优化水道结构设计，在提升散热效率降低热阻的同时，提升系统可靠性。通过分区散热和对水流的精准控制，避免了整体温差梯度过大的问题，实现直接水冷以降低系统热阻。另外，这种并联的水道设计使得芯片均匀冷却无温差，利于并联的芯片中电流均匀分布，可靠性进一步提升。

爱仕特DCS12模块水冷散热模拟图

DCS12的封装是一次铸造成型，其密封保护可以确保逆变器在机械冲击和潮湿环境下仍然可实现稳定可靠的性能，允许极限温度循环以及更高的结温来提升功率密度。其结构紧凑，利于降低模块的杂散电感，进而降低系统杂散电感，并充分利用SiC器件的高速开关特性，以降低电压过冲的影响。此外，银烧结与铜绑定技术的结合，解决了普通绑定工艺可靠性问题，在不降低电流的情况下实现更高结温下运行，功率循环能力得到提升。

DSC12作为爱仕特新一代汽车级功率模块，拥有良好的散热性能、优异的可靠性以及优化的杂散电感水平，同时采用半桥的结构设计也为驱动器的设计带来了比较大的灵活性，可以把驱动器与电机更好的集成在一起。

爱仕特DCS12模块产品阵容

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型号- WS4A020120A,WS4A050065D,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A020120B-V,WS4A020120B,WS4A020120D,WS4A040120K,WMIT075M120B1A,WS4A040120D,WM2HA020065Y,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WS4A030065D,WS4A020120J,WS4A040120B-V,WS4A020120K,WS4A030065J,WS4A025170B,WS4A025170D,WS4A030065B,WM2A030065L,WM2A030065K,WS4A030065K,WS4A050170B-V,WMD075M120B1A,WM2HV020170L,WS4A006065F,WM2HV020170K,WS4A006065E,WS4A004065A0,WS4A006065B,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A015065J,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A015065F,WS4A010065B,WM2A080170N,WM2A080170L,WM2A080170K,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WM2HV040065N,WM2A060065L,WS4A050170B,WM2A060065Y,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WS4A050170D,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2HV020120N,WM2HA020120N,WM2HV020120K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WS4A015120D,WM2V080170K,WS4A050065B-V,WS4A005120A,WS4A005120B,WMH016M120A1A,WM2V080170L,WM2HA040065N,WM2V080170N,WM2HA040065L,WM2HA040065K,WS4A020065A,WS4A020065D,WS4A020065B,WM2HV030120K,WS4A020065B-V,WM2HA040065Y,WS4A020065F,WS4A015120A,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WMH060M120A1A,WM2HA011075K,WM2HA011075L,WM2HA04006Y,WM2HV030120N,WS4A060120D,WS4A020065K,WM2HV030120L,WS4A020065J,WM2HA024200LP,WS4A060120K,WM2V040170L,WM2V040170N,WS4A025170B-V,WM2V040170K,WMH080M170A1A,WS4A030120K,WS4A030120B-V,WM2HV060120L,WM2HV060120K,WM2HV060120N,WMIT040M120B1A,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WS4A200120T,WMT040M120B1A,WM2HA240120N,WS4A010120E,WS4A004065F0,WS4A010120D,WS4A010120B,WS4A010120A,WM2A050330L,WM2HA240120E,WS4A008065B,WM2HV040120L,WS4A060065K,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2HA140120N,WS4A050120D,WS4A050120B,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2HV016120K,WM2HA020170L,WS4A010120J,WM2HA020170K,WS4A040065K,WS4A050120B-V,WMH060M075A1A,WS4A015065A,WS4A015065B,WM1A650170N,WM1A650170K,WM2A075120K,WM2A075120L,WM2A075120N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2V020065L,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V075120N,WM2HA060120K,WM2V075120K,WM2HA060120L,WM2V075120L,WM1A080120K1,WM2HA060120N,WM2HV075120L,WM2HA020065K,WS4A030065B-V,WM2HA020065L,WM2A040170K,WM2A040170L,WM2A040170N,WM2HA016120L,WM2HA016120K,WM2HA020065N,WM2HA016120T,WM2A060090N,WMH020M120A1A,WM2A060090K,WM1A080120L1,WM2A060090L,WM2A100200LP,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2A050200LP,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A01K170N,WS4A030120B

2024/7/30 - 中电国基南方 - 选型指南代理服务技术支持现货查询批量订货

泰科天润（GPT）SiC碳化硅芯片/SiC碳化硅二极管选型指南

目录- Company Profile SiC Chip/SiC Devices

型号- G3S06506D,GW3-S12050,G5S06505DT,G3S06506C,G3S06506A,G4S06508HT,G3S06550A,G5S12020B,G3S17020PP,G3S06510C,G3S06510D,G5S12020A,G3S12020A,G3S06506H,G3S06510A,G4S12020D,G3S12020B,GW1-S3300.6,G3S06510B,G5S12015P,GW3-S065100,G3S06505R,G3S06004J,G3S12003R,G5S06508AT,G5S06504AT,G5S06505CT,G3S06505C,G4S06515HT,G3S06505D,G5S12015A,G3S06505A,G3S12003A,G5S06510HT,G4S06515PT,G3S12003C,G5S12015L,G3S06505H,G3S12003H,G3S06504R,G5S06510PT,G3S06520L,G3S06520H,G5S12002R,GAS06540B,G3S06560B,G3506008J,G3S12002R,G3S06520P,G3S06504C,G3S06504A,G5S06508HT,G3S06516B,G5S06504HT,G3S12002A,G4S06515QT,G3S12002C,G3S06504H,G3S06520B,G3S12002D,G5S12010A,G5S06508PT,G3S06520A,G3S06504D,G3S12002H,G3S06503R,GWA-S06520,G3S06540PP,G3S065100P,G5S06506CT,G4S06508AT,GW3-S17050,G5S06505AT,G3S06503A,GW3-S12020,G3S12040PP,G5S06508QT,G3S06503H,G5S06504QT,G4S06510HT,G3S06503C,G3S06503D,G3S06530L,G5S12020H,GW3-S06550,G4S06510PT,G4S06515AT,G5S12020P,G5S06506DT,G3S06530P,G3S06502R,GW5-S12010,G3S06502A,G4S06510AT,GW3-S12010,G5S06505HT,G3S06502H,G3S17010A,GW5-S12015,G3S06530A,G3S06502D,G3S12040B,G3S06502C,GW3-S06520,G4S06510QT,G4S06508CT,G5S12008A,G5S06506AT,G3S17005P,GW3-S17010,GW5-S12002,G5S06510DT,G4S06515DT,GW3-S12002,GW3-S12003,GW3-S12005,GAS06520A,G3S17005C,GW5-S12008,G3S17005A,G3S12010H,GAS06520H,G3S06508R,G5S12010P,GAS06520D,G3S12010M,G3S17020B,GW3-S06530,G4S06508DT,G3S12010P,GAS06520P,G3S12010R,G3S12050P,GAS06520L,GW3-S33050,G4S06510CT,G5S06506HT,G5S06510AT,G3S06508D,GW3-S17005,G3S06508C,G5S12002C,G3S06508A,G5S12002A,G3S12030PP,G3S06540B,G5S12030B,G3S12010A,G3S12010B,G3S12010C,G3S12010D,G3S06508H,G3S06512B,GW1-S33001,GW1-S33002,G5S06510QT,G3S12005P,GW1-S33005,G3S06006J,G3S12005R,GW3-S06506,GW3-S06508,GW3-S06502,G3S06010J,GW3-S06503,GW3-S06504,G5S06508CT,GW3-S06505,GW5-S12020,G4S06510DT,G3S12005A,G3S17050P,G3S12005C,G3S12005D,G3S12005H,G3S06510M,GW3-S06510,G3S06506U,G3S06506R,G3S06510K,G3S06510L,G3S12020L,G3S06510H,G3S17010B,G3S17010P,G3S12020P,G3S06550P,G3S06510R,G5S06508DT,G3S06510P,G3S12020U

2020/7/7 - 泰科天润 - 选型指南 - vol.02 代理服务技术支持现货查询批量订货

中瑞宏芯SiC MOSFET在1500V光伏逆变器中的应用与优势

为满足光伏、储能、电机驱动和电网等领域对高电压、大功率的应用需求，中瑞宏芯开发出2000V 40mΩ和1700V 25mΩ SiC MOSFET产品。采用TO247-4封装，具有开尔文源极，驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5。

2024-11-28 - 应用方案代理服务技术支持现货查询批量订货

爱仕特专注于第三代半导体碳化硅（SiC）MOS芯片设计、功率模块的生产制造及其基于SiC器件在新能源领域的应用系统开发方案，由武岳峰资本及国内多家知名投资机构投资数亿元，中国科学院及清华大学博士领军，数十位半导体行业资深人士共同组建的高科技技术创新性企业。公司已申请25项专利技术，采用6英寸技术已量产20余款650V~3300V全系列SiC MOSFET产品，可为客户提供整套应用解决方案。

SiC MOS芯片 SiC MOS模块

代理服务线上商城技术资料

秒懂半导体封装技术——银烧结技术

银烧结技术，一种在300℃以下实现高可靠性连接的低温技术，正成为功率模块封装领域的焦点。该技术通过银颗粒间原子扩散实现互连，提供优异的导电和导热性能，满足高温应用需求。银烧结技术环保无铅，但面临设备和材料成本较高的挑战。随着技术优化，其在汽车电子、航空航天等领域有广泛应用前景。

2024-09-06 - 技术探讨代理服务技术支持现货查询批量订货

维安SiC MOS：高压化与大电流化趋势下的前沿探索

维安拥有行业前沿的SiC创新技术，目前SiCMOS产品电压涵盖650V~1700V，电阻涵盖10mΩ~720mΩ，并且有TO-247、TO-247-4L(ISO)、TOLL、TO-263-7L等封装来满足不同的应用需求。同时维安也在积极升级、研发更多的 SiC 产品以顺应高压化、大电流化发展趋势。

2024-11-27 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【应用】芯洲科技为智能座舱/ADAS/OBC提供车规级电源管理芯片，轻松解决EMI及过流保护等痛点问题

芯洲科技近期上线10多款车规电源芯片产品：LDO、降压变换器、升压/升降压/反激控制器、MOS管驱动、功率保护器件、集成PMIC产品等。为智能座舱/ADAS域应用、车载动力域、车身域等各类车载应用提供全方位的电源解决方案。

2023-08-04 - 应用方案代理服务技术支持现货查询批量订货

清华大学电子系党委书记看望昕感科技，期待未来在集成电路领域的合作交流

2024年7月17日下午，清华大学电子系党委书记沈渊带队前往无锡江阴调研北京昕感科技有限责任公司在江阴特色工艺晶圆厂，集成电路学院校友、董事长王哲参与考察接待并进行交流座谈。昕感科技期待未来更多与清华大学在集成电路领域的合作交流。

2024-08-08 - 原厂动态代理服务技术支持现货查询批量订货

国内新能源汽车未来发展，最核心的技术是什么？

近年来，中国新能源汽车市场发展迅猛。根据中汽协数据显示，2023年，中国新能源汽车销量达到了949.5万辆，同比增长37.9%。预计2024年，中国新能源汽车销量可能将达到1200-1300万辆，并占据全球新能源汽车总销量的约60%。新能源汽车的迅猛发展，倒推车规级碳化硅SiC功率器件的需求也呈井喷式增长。

2024-11-18 - 行业资讯代理服务技术支持现货查询批量订货

昕感科技将携SiC器件、SiC功率模块以及电源模组方案亮相2024慕尼黑上海电子展

2024年7月8号-10号，慕尼黑上海电子展将在上海新国际博览中心隆重举行。昕感科技作为大功率器件及模组解决方案IDM厂商，将携SiC器件、SiC功率模块，以及电源模组方案亮相。最新推出的1200V/7mΩ、1200V/13mΩ SiC MOSFET将会现场展出。展位号: E3馆 3166。

2024-07-05 - 原厂动态代理服务技术支持现货查询批量订货

车规级SiC/IGBT厂商阿基米德半导体授权世强硬创代理，助力碳中和

阿基米德半导体1200V 75A IGBT芯片综合损耗超过国际友商IFX3代产品20%、6代产品15%；1200V 60A FRD芯片的反向恢复特性优于国内友商20%。

2024-01-04 - 签约新闻代理服务技术支持现货查询批量订货

碳化硅：第三代半导体材料的性能优势与应用前景

经过第一代硅基半导体、第二代的砷化镓半导体，半导体材料发展已经来到了属于碳化硅、氮化镓的第三代。碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。