【产品】群芯微推出的N沟道增强型功率MOSFET QX20N02系列，支持DFN1006-3L外壳封装，具有快速开关特性
群芯微推出的N沟道增强型功率MOSFET QX20N02系列，器件采用沟槽式DMOS技术，这种先进的技术专为最大限度地降低导通电阻、提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而量身定制，这些器件非常适合高效的快速开关应用领域。
器件特征
20V/2A
RDS(ON) =46mΩ @VGS =4.5V
RDS(ON) =55mΩ @VGS =2.5V
快速开关特性
绿色环保器件可选
支持DFN1006-3L外壳封装
应用领域
电池保护领域
负载开关
不间断电源
绝对最大额定值（TA=25℃除非另有说明）
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