【应用】国产N沟道增强型场效应晶体管YJG100N04A用于砖块电源，漏源电压仅40V
砖块电源由于体积小、功率小等原因。一般使用反激拓扑较多。其原边的开关器件一般使用MOS进行开发设计。现介绍一款用于原边的开关MOS，国产扬杰科技N沟道增强型场效应晶体管YJG100N04A。
一、框图设计：
二、管脚定义：
三、电气参数：
四、分析：
1、开关MOS的电压应力一般为最高输入电压、反射电压、漏感产生的尖峰电压三者之和。所以扬杰科技YJG100N04A应用在最高输入电压、反射电压、漏感尖峰电压及余量电压四者之和小于40V以内的设计；
2、变压器电流之比等于匝比的倒数，根据输出电流推算出原边的电流及MOS的电流，在常温25℃时电流应小于100A；
3、YJG100N04A的VGS(th)为1.0~2.5V，典型值为1.5V，即PWM控制IC的输出电压应大于1.5V，最佳应大于2.5V，以保证MOS完全开通；
4、YJG100N04A在VGS= 10V，ID=20A时内阻为2.8mΩ，在VGS= 4.5V，ID=20A时内阻为4mΩ，根据内阻、过流、热阻，设计的结温和存储温度应该在-55℃~+150℃。
综上国产N沟道增强型场效应晶体管YJG100N04A可应用于砖块电源的原边开关MOS设计。
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