【应用】国产N沟道增强型场效应晶体管YJG100N04A用于砖块电源,漏源电压仅40V
砖块电源由于体积小、功率小等原因。一般使用反激拓扑较多。其原边的开关器件一般使用MOS进行开发设计。现介绍一款用于原边的开关MOS,国产扬杰科技N沟道增强型场效应晶体管YJG100N04A。
一、框图设计:
二、管脚定义:
三、电气参数:
四、分析:
1、开关MOS的电压应力一般为最高输入电压、反射电压、漏感产生的尖峰电压三者之和。所以扬杰科技YJG100N04A应用在最高输入电压、反射电压、漏感尖峰电压及余量电压四者之和小于40V以内的设计;
2、变压器电流之比等于匝比的倒数,根据输出电流推算出原边的电流及MOS的电流,在常温25℃时电流应小于100A;
3、YJG100N04A的VGS(th)为1.0~2.5V,典型值为1.5V,即PWM控制IC的输出电压应大于1.5V,最佳应大于2.5V,以保证MOS完全开通;
4、YJG100N04A在VGS= 10V,ID=20A时内阻为2.8mΩ,在VGS= 4.5V,ID=20A时内阻为4mΩ,根据内阻、过流、热阻,设计的结温和存储温度应该在-55℃~+150℃。
综上国产N沟道增强型场效应晶体管YJG100N04A可应用于砖块电源的原边开关MOS设计。
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扬杰科技MOSFET选型表
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产品型号
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品类
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Package
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Status
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ESD
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Configuration
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Type
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VDSS(V)
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ID(A)
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PD(W)
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VGS(V)
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Tj(℃)
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Vth_Typ(V)
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Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
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Ciss_Typ(pF)
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Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
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Qg_Typ(nC)
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Grade
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2N7002
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MOSFET
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SOT-23
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Active
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No
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Single
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N
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60
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0.34
|
0.35
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±20
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150
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1.5
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1200
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2500
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1300
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3000
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27.5
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2.75
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1.9
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1.6
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Standard
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