【应用】国产N沟道增强型场效应晶体管YJG100N04A用于砖块电源，漏源电压仅40V
砖块电源由于体积小、功率小等原因。一般使用反激拓扑较多。其原边的开关器件一般使用MOS进行开发设计。现介绍一款用于原边的开关MOS，国产扬杰科技N沟道增强型场效应晶体管YJG100N04A。
一、框图设计：
二、管脚定义：
三、电气参数：
四、分析：
1、开关MOS的电压应力一般为最高输入电压、反射电压、漏感产生的尖峰电压三者之和。所以扬杰科技YJG100N04A应用在最高输入电压、反射电压、漏感尖峰电压及余量电压四者之和小于40V以内的设计；
2、变压器电流之比等于匝比的倒数，根据输出电流推算出原边的电流及MOS的电流，在常温25℃时电流应小于100A；
3、YJG100N04A的VGS(th)为1.0~2.5V，典型值为1.5V，即PWM控制IC的输出电压应大于1.5V，最佳应大于2.5V，以保证MOS完全开通；
4、YJG100N04A在VGS= 10V，ID=20A时内阻为2.8mΩ，在VGS= 4.5V，ID=20A时内阻为4mΩ，根据内阻、过流、热阻，设计的结温和存储温度应该在-55℃~+150℃。
综上国产N沟道增强型场效应晶体管YJG100N04A可应用于砖块电源的原边开关MOS设计。
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扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
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产品型号
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品类
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Package
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Status
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ESD
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Configuration
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Type
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VDSS(V)
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ID(A)
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PD(W)
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VGS(V)
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Tj(℃）
|
Vth_Typ(V)
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Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Coss_Typ(pF)
|
Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
Grade
|
|
2N7002
|
MOSFET
|
SOT-23
|
Active
|
No
|
Single
|
N
|
60
|
0.34
|
0.35
|
±20
|
150
|
1.5
|
1200
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2500
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1300
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3000
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27.5
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2.75
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1.9
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1.6
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Standard
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