【产品】1200V/10、15A的IGBT模块MG10P12/15P2，具有低开关损耗和低饱和压降
扬杰科技的IGBT模块MG10P12P2，MG15P12P2，具有低开关损耗，低饱和压降，高短路电流能力（10us）等特点，集电极-发射极电压均为1200V，符合RoHS标准，可应用于电机驱动器，交流和直流伺服驱动放大器，UPS（不间断电源）等领域。在部分参数上两者存在差异，MG10P12P2的总功耗为140W，连续集电极电流为10A，采用E2封装；MG15P12P2的总功耗为155W、连续集电极电流为15A，采用P2封装。
图1 产品图
特点
*低开关损耗
*低饱和压降vce（sat），正温度系数
*具有超快速和软恢复特性的FWD
*低电感外壳
*高短路电流能力（10us）
*使用DBC结构的绝缘性散热底板
*最高结温175℃
绝对最大额定值
封装外形图
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产品型号
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品类
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Package
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VCES_Min(V)
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IC@TC=80℃(A)
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VCE(sat)_Typ(V)
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Eon+Eofftyp.Tj=125℃（mJ）
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Rth(j-c)_Max((℃/W)
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MG100HF12LEC1
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IGBT模块
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C1
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1200
|
100
|
3
|
19.4
|
0.185
|
选型表 - 扬杰科技 立即选型
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