【产品】N沟道增强型MOSFET AS3622S，采用高密度电池设计可实现超低Rdson
安邦推出的N沟道增强型MOSFET AS3622S，它的漏-源电压为30V,栅-源电压为±20V。它采用高密度电池设计可实现超低Rdson,同时使用沟道功率低压MOSFET技术。它的应用领域广阔，可应用于大电流负载应用、负载开关，不间断电源供应等领域。
图1 产品图片
产品特性
高密度单元设计可实现超低Rdson
沟槽功率LV MOSFET技术
出色的散热封装
图2 电路图
应用范围
大电流负载应用
负载开关
硬开关和高频电路
不间断电源供应
最大额定值
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由电光刃翻译自安邦，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】20V/7A/18mΩ的N沟道增强型MOSFET AS3416E，封装为SOT-23
安邦（ANBON）的N沟道增强型MOSFET AS3416E，具有先进的沟槽工艺技术，ESD保护高达3.5KV（HBM），漏源导通电阻最大值为18mΩ@4.5V，22mΩ@2.5V，39mΩ@1.8V，漏源击穿电压为20V， 连续漏极电流为7A，封装为SOT-23，可应用于便携式设备的负载开关，DC / DC转换器等领域。
新产品 发布时间 : 2020-07-08
【产品】漏源电压100V的N沟道增强型MOSFET AM0292，采用TO-220封装
创瑞科技（AiT）推出的AM0292是一款100V N沟道增强型MOSFET，采用TO-220封装，通过100% UIS和Rg测试，具有可靠性和坚固性。适用于开关电源的高效同步整流、不间断电源、硬开关和高频电路中。
新产品 发布时间 : 2020-10-25
【产品】N沟道增强型MOSFET AM2302，采用SOT-23S封装，可以承受的极限漏源电压为20V
AM2302是AiT推出的N沟道MOSFET，可提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压。在环境温度为 25℃时，AM2302可以承受的极限漏源电压为20V，极限栅源电压为±10V，可以承受的极限漏极连续电流为2.9A，适合用于电池保护或其他开关应用。
新产品 发布时间 : 2019-09-04
【产品】PWM应用和负载开关的N沟道增强型MOSFET CX4040，RDS(ON)＜5.5mΩ@VGS=10V
诚芯微推出的型号为CX4040的N沟道增强型MOSFET，器件采用先进的沟槽工艺技术，具有优异的漏源导通电阻RDS（ON）和低栅极电荷特性，该系列器件适用于负载开关或PWM应用等领域。
产品 发布时间 : 2023-06-29
【产品】采用PDFN5X6-8L封装的N沟道增强型MOSFET AP90N03GD，连续漏极电流可达80A
铨力半导体推出一款采用PDFN5X6-8L封装的N沟道增强型MOSFET——AP90N03GD，采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，无铅产品，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等应用。
产品 发布时间 : 2023-05-01
【产品】铨力半导体推出采用先进沟槽技术的无铅N沟道增强型MOSFET AP6802，规格为4A/30V
铨力半导体推出一款N沟道增强型MOSFET——AP6802，漏源电压最大额定值为30V，连续漏极电流最大额定值为4A @Ta=25℃。采用先进的沟槽技术，无铅产品，可应用于接口开关、负载开关、电源管理等应用。
产品 发布时间 : 2023-03-01
【产品】诚芯微推出N沟道增强型MOSFET CX3426B系列，具有优异的漏源导通电阻和低栅极电荷特性
诚芯微推出N沟道增强型MOSFET CX3426B系列，器件采用先进的沟槽工艺技术制造，具有优异的漏源导通电阻RDS(ON）和低栅极电荷特性，该系列器件适用于负载开关或PWM应用等领域。
产品 发布时间 : 2023-05-11
【产品】30V/5.8A的N沟道增强型MOSFET AP3400A，适用于接口开关、负载开关、电源管理等
铨力半导体采用SOT23-3封装的N沟道增强型MOSFET——AP3400A，采用先进沟槽技术，漏源电压最大额定值30V，连续漏极电流最大额定值5.8A（Ta=25℃），无铅产品，适用于接口开关、负载开关、电源管理等应用。
产品 发布时间 : 2023-04-30
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论