【产品】N沟道增强型MOSFET AS3622S，采用高密度电池设计可实现超低Rdson

时间： 2020-07-14 来源：安邦

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安邦推出的N沟道增强型MOSFET AS3622S，它的漏-源电压为30V,栅-源电压为±20V。它采用高密度电池设计可实现超低Rdson,同时使用沟道功率低压MOSFET技术。它的应用领域广阔，可应用于大电流负载应用、负载开关，不间断电源供应等领域。

图1 产品图片

产品特性

高密度单元设计可实现超低Rdson

沟槽功率LV MOSFET技术

出色的散热封装

图2 电路图

应用范围

大电流负载应用

负载开关

硬开关和高频电路

不间断电源供应

最大额定值

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