【应用】UMS提供的GaN和GaAs铸造和产品解决方案，可用于5G项目的应用

时间： 2020-09-20 来源：UMS

技术问答

UMS提供的GaN和GaAs铸造和产品解决方案，可用于5G项目的应用，包括单点对多点，道路交通智能基础设施，物联网，车对车，点对点等具体的应用。该方案的创新点在于采用了集成解决方案，混合技术，包含多种芯片封装产品，线性HPA，极低噪声放大器等。QFN封装从3x3mm到8x8mm可选，满足应用的不同需求。

创新设计

集成解决方案

混合技术

多种芯片封装产品

线性HPA

极低噪声放大器

技术方面：

GaN

GH15:高功率，达40GHz

GH25:高功率，达20GHz

GaAs

用于电源解决方案的 ULRC无源处理

PH10:低噪声，高达100GHz

PPH15X-20:功率高达45GHz

产品方面：

高达45GHz的线性MPA和HPA

E-Band：MPA，LNA，Mixers

高达26GHz的开关

集成TRx

封装：

QFN从3x3mm到8x8mm

MSL 1、2、3

5G项目应用模块

用于SUB 6GHZ (FR1)的模块型号：

用于6-8GHZ的模块型号：

用于24-30GHZ的模块型号：

用于37-43.5GHZ的模块型号：

用于E-Band的模块型号：

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型号- CBS8122,CBG9326,CBG9327,CB5309,CB5747,CB5746,CB1002,CB5326,CB5743,CB2411,CB1010,CB5333,CB6317,CB5310,CB6318,CB5331,CBG9092,CBS8348,CBS8112,CB7263,CB5717,CB2401,CB5712,CB2402,CB5337,CB5755,CB6426,CB5784,CB6328,CB5100,CB5780

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产品型号	品类	RF Bandwidth (GHz)min	RF Bandwidth (GHz)max	Gain(dB)	IP3(dBm)	P-1dB OUT(dBm)	Sat. Output Power(dBm)	PAE(%)	Bias(mA)	Bias(V)	Case
CHA1008-99F	低噪声放大器	80	105	17	DC	5	DC	DC	115	2.5	Die

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型号- CB8000,CB5728,CB5309,CB5748,CB5747,CB5746,CB5326,CB2411,CB5303,CB5743,CB1010,CB5333,CB5310,CB5331,CB240,CB8050,CB8051B,CB8051,CB8053,CBL8527,CB8054,CBL8227,CB8055,CB5717,CB8050W,CB2425,CB2401,CB5735,CB2402,CB5712,CB5337,CB5755,CB2422,CB2551,CB242

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