【应用】耐压1200V的碳化硅MOSFET ASC60N1200MT3用于充电桩电源模块上，Rds为45mΩ

时间： 2022-12-02 来源：世强

技术问答

随着新能源汽车的普及，充电桩也成了日常配套的生活设施。目前市面上充电桩电源模块的转换效率已经可以做到99%，对于车辆快速且高效的充电有很大的意义。然而这对于设计者来说，功率器件的选型尤为重要。本文推荐爱仕特的碳化硅MOSFET ASC60N1200MT3用于充电桩电源模块的LLC谐振电路中，可以有效降低热损耗，提高工作效率，同时也可以减小变压器等器件的体积。

爱仕特的碳化硅MOSFET ASC60N1200MT3用于充电桩电源模块的电路框图和引脚分布图如下图1和图2：

图1 充电桩电源模块功率段部分框图

图2 ASC60N1200MT3封装及引脚分布

爱仕特的碳化硅MOSFET ASC60N1200MT3，耐压1200V，Rds 45mΩ，持续电流60A，T0247-3封装，用于充电桩电源模块上有以下优势：

1、Rds 45 mΩ，相较于传统的Si MOSFET，导通内阻更低，损耗更小，可以提高系统效率；

2、反向恢复时间典型值50nS，开关频率更快，周边器件可以小型化，节省空间；

3、耐压1200V，电流典型值60A，对于目前市面上三相380VAC的电源模块，不管哪个功率段的都适用；

4、TO247-3封装，为功率器件的常用封装，可以与市面上众多的品牌直接进行兼容替换使用；

5、结温-55—+150℃，宽温工作范围，可以满足产品在恶劣环境下的使用，保证产品的性能；

另外，爱仕特为国产SIC MOSFET功率器件知名品牌，目前已有很多头部大客户的成功应用案例，设计者可以放心选用，同时世强与原厂都会给与研发端最大的支持力度。

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产品型号	品类	VDSS(V)	RDS(on)(mΩ)	GEN	Drain Current(A) TC=25℃	VGS(th)(V) (Typ.)	Gate Charge Total(Qg)(nc)	Total Power Dissipation(PTOT)(W)	Junction Temperature(TJ)(MAX)(℃ )	Package	质量等级
WM2V020065K	SiC MOSFET	650V	20mΩ	G2	92A	2.6V	187nc	312W	175℃	TO-247-3	车规级