【应用】耐压1200V的碳化硅MOSFET ASC60N1200MT3用于充电桩电源模块上,Rds为45mΩ

2022-12-02 世强
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随着新能源汽车的普及,充电桩也成了日常配套的生活设施。目前市面上充电桩电源模块的转换效率已经可以做到99%,对于车辆快速且高效的充电有很大的意义。然而这对于设计者来说,功率器件的选型尤为重要。本文推荐爱仕特碳化硅MOSFET ASC60N1200MT3用于充电桩电源模块的LLC谐振电路中,可以有效降低热损耗,提高工作效率,同时也可以减小变压器等器件的体积。

爱仕特的碳化硅MOSFET ASC60N1200MT3用于充电桩电源模块的电路框图和引脚分布图如下图1和图2:

图1 充电桩电源模块功率段部分框图

图2 ASC60N1200MT3封装及引脚分布

爱仕特的碳化硅MOSFET ASC60N1200MT3,耐压1200V,Rds 45mΩ,持续电流60A,T0247-3封装,用于充电桩电源模块上有以下优势:

1、Rds 45 mΩ,相较于传统的Si MOSFET,导通内阻更低,损耗更小,可以提高系统效率;

2、反向恢复时间典型值50nS,开关频率更快,周边器件可以小型化,节省空间;

3、耐压1200V,电流典型值60A,对于目前市面上三相380VAC的电源模块,不管哪个功率段的都适用;

4、TO247-3封装,为功率器件的常用封装,可以与市面上众多的品牌直接进行兼容替换使用;

5、结温-55—+150℃,宽温工作范围,可以满足产品在恶劣环境下的使用,保证产品的性能;


另外,爱仕特为国产SIC MOSFET功率器件知名品牌,目前已有很多头部大客户的成功应用案例,设计者可以放心选用,同时世强与原厂都会给与研发端最大的支持力度。


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