【应用】650V，22A的GaN FET INN650DA260A用于高频电源，可实现更快的导通和关断

亚成微电子股份有限公司ACDC电源管理方案

描述- 亚成微电子股份有限公司，成立于2007年，是一家国家级高新技术企业，专注于集成电路设计。公司产品涵盖通讯设备用包络追踪芯片、智能手机/笔记本电脑快充用AC/DC电源管理芯片、智能功率开关芯片、LED驱动芯片等。公司拥有多项知识产权，包括专利和布图设计，技术实力雄厚。亚成微提供AC/DC电源管理方案，包括强制ZVS反激方案、SSR控制器、PSR控制器等，旨在提高产品功率密度和效率。公司还提供技术支持和客户服务，包括设计沟通、DEMO提供、现场服务、产品测试和售后服务。

型号- RM341XSH,RM6163D,RM6717S,RM3413SH,RM671X系列,RMG65R380SN,RM6801X,RM3364S,RM3352S,RM6601SNX,RMA65R2K5SN,RMC65R380SN,RMG65R280SN,RM3368S,RM3365D,RM6801S,RM6514S,RM673XS,RM335X系列,RM671XS,RM6801X系列,RM3401SH,RMC65R650SN,RM3405SH,RM3353S,RM3430T,RM65R1K6SG,LM3290,RM3410T,RM4100,RM335X,QFE4100,RM65R1K6SD,RM6801SNX,RMG65R650SN,RM6601,RM671X,RMA65R1K0SN,HUSB339,RM6601SN,RM343X,RM3366D,RM6715S,RM3412SH,RM6601X,RM343XSH,RMC65R1K0SN,RMA65R1K6SN,RMG65R1K6SN,RM6601X系列,RM343X系列,RM6517D,RMG65R1K0SN,RM3100,RM442D2,RM6601系列,RMA65R650SN,RM50055,RM6601S,RMA65R380SN,RM6801SNX系列,RM65R2K5SD,RM6801SN,RMX65R950SN,SW3517,RMX65R600BN,RM3402SH,RMC65R280SN,QET6100,RM6601SNX系列,RM67XX系列,RM4141N,RM6710S,RM65R2K5SG,SW3516,RM50085,RMA65R280SN,RM3400T,RMG65R2K5SN,RM67XX

宽带隙氮化镓场效应晶体管40V至700V 11.5A至100A产品简介

描述- 该资料介绍了Central公司生产的GaN FET产品，包括低压和高压两种类型。产品具有低导通损耗、高电压能力、低栅极电荷和低rDS(ON)等特点，适用于高频应用、高效电源、电动汽车充电等领域。

型号- CDFG6517N,CDF56G7032N,CDF56G6517N,CDF56G6511N,CCSPG0420N,CCSPG1510N,CDFG6511N,CCSPG1060N,CDFG6558N,CCSPG0450N,CCSPG1560N

KP22064/KP22066 集成 GaN FET 的高频高性能准谐振模式 ACDC 功率开关 Preliminary Datasheet

描述- 本资料介绍了KP2206X，一款集成650V GaN FET的高频高性能准谐振模式ACDC功率开关。该产品具有低功耗、高效率的特点，适用于多种电源转换应用。

型号- KP2206X,KP22066,KP22064

HMN9N65Q 650V氮化镓功率晶体管（FET）

描述- 本文档介绍了HMN9N65Q GaN功率晶体管（场效应晶体管）的特性、应用和设计考虑。该器件具有高效率、低开关损耗，适用于高频电源转换器，如USB PD适配器和消费电子产品。

型号- HMN9N65Q

不断发展的氮化镓®FET电源转换生态系统应用笔记

描述- 本文介绍了基于eGaN®技术的功率转换生态系统，包括门驱动器、控制器和被动元件。文章强调了eGaN FET在提高效率、功率密度和降低系统成本方面的优势，并详细讨论了与eGaN FET兼容的各类组件，如低边门驱动器、半桥门驱动器、控制器和被动元件。此外，文章还提供了针对不同应用的eGaN FET兼容组件的制造商、型号和应用实例。

型号- TEA1998TS,LMG5200,UP1964,TEA1993TS,UP1966E,TEA1995T,IXD_604,ADUM4121ARIZ,LMG1025-Q1,MPQ1918,EPC2152,NCP81111,LM5113-Q1,NCP4306A,DSPIC33CK32MP102,TPS53632G,ISL8117A,LMG1210,ADUM4120ARIZ,NCP51820,FBS-GAM01P-C-PSE,FBS-GAM02P-C-PSE,FBS-GAM02-P-R50,LTC7800,MIC2103/4,UCC27611,NCP4308A,UCD7138,TPS40400,SI8275GB-IM,SI8274GB1-IM,LM5140-Q1,LMG1205,ISL81807,ISL81806,NCP4305A,ISL70040SEH,MIC2127A,LMG1020

亚成微电子专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司介绍

描述- 陕西亚成微电子股份有限公司，成立于2006年，是一家专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司,且是注册在西安高新区内的规模以上国家高新技术企业。研发覆盖半导体功率IC和功率器件两大类，主要产品包括包络跟踪射频功率放大器（ET-PA）、AC/DC电源管理芯片、LED驱动芯片以及功率MOSFET等。产品可被广泛应用于无线通信、消费电子、汽车电子以及LED照明等多领域中。

型号- RM9001DD,RM6801X,RM9001DC,RM9001DB,RM9001DA,RM9003B,RM9003A,RM9012GB,RM9010GB,RM9023,RM32XX,RM66040ND,RM34XX,RM6801S,RM9005AG,RM9005AE,RM335X系列,RM9005AC,RM6801X系列,RM9001AF,RM9001AE,MOS-RMX65R系列,RM9001AA,RM9012D,MOS-RMX65R,RM9012B,RM6820系列,RM9035X,RM335X,RM68XX,RM671X,RM343X,RMA65R650SN #2,RMA65R650SN #3,W*65R650 #1,W*65R650 #2,W*65R650 #3,RM6601X,RM9001D,RM6601X系列,RM343X系列,RM9001A,RM33XX,RMA65R650SN #1,RM9006AC,RM9006AB,RM6801SN,RM9010E,RM67XX系列,RM9010B,RM9026B,RM9006F,RM9006A,RM9026A,RM6820,RM65XX,RM63XX,RM67XX

KP22062集成GaN FET的高频高性能准谐振模式ACDC功率开关

描述- 该资料介绍了KP22062，一款集成650V GaN FET的高频高性能准谐振模式ACDC功率开关。它具有低功耗、高效率的特点，适用于多种电源转换应用。

型号- KP22062

在采用E类放大器拓扑的低功率及高频无线电源转换器 对eGaN®FET的性能进行评估

描述- 本文评估了在低功率及高频无线电源转换器中采用eGaN® FET的性能。文章讨论了为何选择氮化镓器件（GaN），评估了不同拓扑，分析了无线电源应用的品质因数，并比较了不同器件的性能。实验性验证结果显示，eGaN® FET在效率、功率输出和热性能方面优于传统MOSFET，推动了无线电源传送应用的发展。