【产品】采用高性能28nm工艺的FPGA器件Seal SA5Z-30系列，总容量高达1242Kbits

2022-12-01 智多晶
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西安智多晶微电子有限公司的Seal（海豹）5000 SA5Z-30系列FPGA器件（下称“本系列FPGA”），建立在一个优化的低功耗，高性能28nm工艺基础之上。通过最低的成本，融合新架构，多个崭新与优化功能的嵌入式模块来实现高速FPGA，使系统设计师在降低成本的同时又能够满足不断增长的高性能应用要求。对无线和有线通信、工业控制，图像处理，人工智慧，数据处理中心及云信息等行业中的低功耗，高性能的大小型应用，本系列FPGA无疑是最理想的选择。


1.1特性

丰富的逻辑资源：

⚫32,666逻辑单元的器件

⚫多达243个用户I / O

高性能可编程逻辑单元

⚫采用6输入查找表（6-LUTs）

⚫双5-LUTs选项

⚫最多128位分布式存储器

⚫最多64位分布式移位寄存器

低功耗器件

⚫先进28nm铜CMOS工艺

⚫核电压1.0V，Vccaux为3.3V

⚫待机模式和其他省电选项

嵌入式和分布式存储

⚫Fmax = 500 MHz

⚫嵌入块存储容量为18K/9Kbits, 总容量高达1242Kbits

⚫高达653Kbit的分布式存储

高性能，灵活的I / O单元

⚫LVDS接口高达1.0Gbps

⚫可编程IO缓冲区支持多种接口：

⚫LVCMOS3.3 / 2.5 / 1.8 / 1.5 

⚫LVTTL

⚫PCI,TMDS, MINI-LVDS

⚫BLVDS，MLVDS，RSDS，LVPECL

⚫SSTL/DIFF-SSTL 25/18/15

⚫HSTL/DIFF-HSTL 18/15

⚫施密特触发器输入迟滞

⚫I/O支持热插拔

⚫可编程上拉、下拉或总线保持模式

⚫I/O块(Bank) 1、2和3的输入输出支持3.3/2.5/1.8/1.5/1.2V电压，I/O块4的输入输出只能支持1.8V/1.5V电压

源同步I / O接口

⚫支持7:1 Video接口,可高达1.0Gbps

⚫通用DDRX1/X2/X4/X5/X8 最高1.0Gbps

⚫单端/差分DQS支持的DDR1/2/3内存

增强的乘法器块

⚫Fmax = 500 MHz

⚫内置多个9x9/18x18/25x18具备预加法的串行乘法器, 算数逻辑单元(ALU)，两层叠加实现DSP处理密集型应用

灵活的片内时钟

⚫24个全局时钟与4个边沿时钟於每个I/O模块(Bank)

⚫4个延时锁相环（DLL）用于高速I/O接口

⚫2个内置通用PLL, 提供倍频、分频、相位转移、展频等系统时钟

⚫精度为+/-6％的片上振荡器

配置模式

⚫JTAG, 从模式(PS/SCPU),主模式(AS)

⚫配置完成后支持SED/SEC单/多比特流检测及单比特纠正

⚫配置过程支持多个比特流加载，可在第一个程序文件加载失败后，自动跳到Golden区域加载第二个程序文件

⚫局部重配置（Partial Re-configuration）

⚫支持3:1压缩及1:3解压缩

⚫兼容IEEE1149.1:如符合边界扫描(BSCAN)

⚫符合IEEE 1532的系统内编程

安全

⚫支持AES-256比特流加密及解密

合封DDR2 SDRAM存储

⚫128/256/512Mbits  DDR2  SDRAM，工作频率Fmax=400MHz

上电顺序

⚫先核电压(Vcc)后，再上1.8电位

嵌入式硬核

⚫Fmax=250MHz MCU

⚫Fmax=533MHz DDR2存储控制器

⚫2路12 bits@125 ~ 200 kbpsADC

⚫片上SPI, I2C,定时器/计数器

低成本封装

⚫低成本焊线封装芯片

⚫先进的无铅封装


1.2器件资源

表1-1Seal（海豹）SA5Z-30系列器件资源

【注】

1.一片DSP包含4个9x9或2个18x18具备预加法的串行乘法器和1个54位累加器或两片组合为一个25x18串行乘法器

2.D0/D1/D2/D3 代表0/128/256/512Mbits DDR2 SDRAM

3.等级:   C: 商业级，结温温度0℃-85℃;  I: 工业级，结温温度-40℃-100℃

4.SA5Z-30-ES只有18对LVDS TX


1.3器件结构概述

本系列FPGA的核心构架由六输入查找表(LUTs)、逻辑单元存储器模块,加法器，乘法器构成和分布式存储器/移位寄存器。嵌入式存储器模块具有18或36Kbit的SRAM存储器。嵌入式存储器模块配置成单端口、伪双端口、真双端口RAM以及FIFO缓冲器或者ROM。嵌入式乘法器模块可以在单一模块中实现一个18×18或两个9×9乘法器，利用两模块可实现25x18乘法器。本系列FPGA器件的I/O功能是由许多低成本应用中的多样化I/O标准所驱动的，大幅度提高了I/O的性能要求，可以轻松、灵活地容纳您的主模块设计，并支持可编程总线保持、可编程上或下拉电阻、可编程延迟、可编程驱动能力、可编程斜率控制、热插拔。


本系列FPGA的器件有多个PLL和DLL，以及全局和边沿时钟网络以提供可靠、有效且低偏斜和高速度的时钟管理与综合。您可以在HqFpga软件中对PLL进行重配置时钟频率或者相位。另提供DDRSDRAM存储器接口解决方案，由一个PHY接口和一个存储再加上软或硬核控制器组成。在Dx-系列的器件，所有IO Bank4的I/O都连接合封128Mbits DDR2 SDRAM存储芯片的管脚，与DDR2控制器硬核配合提供更有效、高性能的存储应用。


智多晶提供不同PHY接口IP如Video7:1，与顾客定制的控制器或智多晶提供的控制器一起使用,得以提升与优化更全面的设计。本系列FPGA提供多个硬核IPs如MCU、ADC和DDR2控制器等等，配合不同的设计应用。外部主机通过JTAG访问端口，被动串行（PS）、被动并行(SCPU)端口或主动串行（AS）端口进行配置本系列FPGA，或利用额外的硬件来完成远程现场升级。


1.4合封DDR2 SDRAM

1.4.1SA5Z-30-D1

SA5Z-30-D1采用最新的3D合封技术与一片8Mx16 bit的DDR2 SDRAM (M14D128168A)合封而成。其DDR2 SDRAM特性如下：❖合封DDR2 SDRAM电源

◼I/O块(Bank) 4的Vccio(x) 提供合封DDR2 SDRAM读/写电源，其电压必须为1.8V+/-0.1V

◼内置128Mb  DDR2  SDRAM存储空间，16数据总线位宽，最高400MHz工作频率，最大读写带宽800MB/s

❖结构

◼支持JEDEC 标准

◼SSTL18 接口

◼可分为4块(Bank)，每块区域大小为2Mx16 bits

◼支持突发读/写(Burst Read/Write)，突发长度可为4和8

◼CAS延迟时间(CAS Latency) 可为3, 4, 5, 6和7

◼数据选取脉冲(DQS) 双沿触数据(DQ) 转换

◼数据选取脉与读取数据边缘对齐，与写入数据中心对齐

◼支持数据屏蔽(Data Mask, DM)

◼片内可调差分阻抗(OCT)与终端电阻(ODT)

◼除了数据和数据屏蔽外，所有输入都在系统时钟的上升沿进行采集

◼自动和自刷新

❖读/编程/擦除

◼最小时钟周期:2.5ns

◼最小时钟高脉冲宽:1.2ns

◼最小时钟低脉冲宽:1.2ns

◼最小输入数据(DQ) 与数据屏蔽(DQM) 设定时间(相对数据选取脉冲DQS) :200ps

◼最小输入数据(DQ)与数据屏蔽(DQM) 保持时间（相对数据选取脉冲DQS）:200ps

◼地址与控制总线设定时间：125ps

◼地址与控制总线保持时间:200ps

◼工作电流@突发长度=4：250mA

◼块(Bank) 工作电流@突发长度=4：260mA

◼待机电流:90mA

◼刷新电流:6mA@自刷新，105mA@突发刷新



1.4.2SA5Z-30-D2

SA5Z-30-D2 采用最新的3D合封技术与一片32Mx16 bit的DDR2 SDRAM (M14D5121632A)合封而成。其DDR2 SDRAM特性如下：

❖合封DDR2 SDRAM电源

◼I/O块(Bank) 4的Vccio(x) 提供合封DDR2 SDRAM读/写电源，其电压必须为1.8V+/-0.1V

◼内置512Mb  DDR2  SDRAM存储空间，16数据总线位宽，最高400MHz工作频率，最大读写带宽800MB/s

❖结构

◼支持JEDEC 标准

◼SSTL18 接口

◼可分为4块(Bank)，每块区域大小为8Mx16 bits

◼支持突发读/写(Burst Read/Write)，突发长度可为4和8

◼CAS延迟时间(CAS Latency) 可为3, 4, 5, 6, 7, 8和9

◼数据选取脉冲(DQS) 双沿触数据(DQ) 转换

◼数据选取脉与读取数据边缘对齐，与写入数据中心对齐

◼支持数据屏蔽(Data Mask, DM)

◼片内可调差分阻抗(OCT)与终端电阻(ODT)

◼除了数据和数据屏蔽外，所有输入都在系统时钟的上升沿进行采集

◼自动和自刷新

❖读/编程/擦除

◼最小时钟周期:2.5ns

◼最小时钟高脉冲宽:1.2ns

◼最小时钟低脉冲宽:1.2ns

◼最小输入数据(DQ) 与数据屏蔽(DQM) 设定时间(相对数据选取脉冲DQS) :200ps

◼最小输入数据(DQ)与数据屏蔽(DQM) 保持时间（相对数据选取脉冲DQS）:200ps

◼地址与控制总线设定时间：125ps

◼地址与控制总线保持时间:200ps

◼工作电流：230mA

◼块(Bank) 工作电流@突发长度=4：180mA

◼待机电流:60mA

◼刷新电流:8mA@自刷新，120mA@突发刷新

1.5封装特性

◼无铅，小型，多IO封装

◼12mm x 12mm uBGA213，多达166个单端口IO

◼14mm x 14mm uBGA213，多达201个单端口IO

◼15mm x 15mm uBGA324, 多达236个单端口IO

◼优化的引脚排布，使得只需要两层PCB


SA5Z-30交直流特性

POR触发点

表3-1Seal（海豹）POR触发点规格

【注】

1．Config块的VCCIO没有上电复位的下降触发点

2．Vccint, Vccio, Vccaux一定维持建议的工作点来保证正常工作

3．电源上升时间为0.2 –50ms


器件编号说明

图2-1器件编号说明


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  • 用户12342932 Lv1 2024-12-19
    SG1128V-8E44C ，规格书，我想买 SG1128V-8E44C 芯片样板
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SA5Z-30 FPGA 器件概述

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型号- 海豹5000系列,SA5Z-30-D2,SA5Z-30-ES,SA5Z-30-D0-UBGA324,SA5Z-30-D0,SA5Z-30-D1,SA5Z-30-D1-UBGA213,SA5Z-30-D2-8U213C5,SA5Z-30,SA5Z-30-D1-8U213C4,SA5Z-30-D2-8U213C6,SA5Z-30-D2-UBGA213,SEAL 5000系列,SA5Z-100-D1-8U324C,SA5Z-30-D0-8U324C6,SA5Z-30 系列,SA5Z-30-D1-8U213C,SA5Z-30-D2-8U213C

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产品型号
品类
封装
LUTS
Flip-Flops
Slices
CLB
Flash(Kbits)
Max Distributed Ram (Kbits)
Embedded memory （Kbits）
Number of Block SRAM(9 Kbits/block)
Embedded 18x18multipliers
General purpose PLLs+DLLs
Global Clock Networks
User I/O Banks
Max user I/O(注1)
SL2E-5E-8W81I
FPGA
81-ball WLCSP,0.4mm
5040
5040
2520 (LUT:FF=1:1)
630
512
40
108
12
16
2+2
16
6
199

选型表  -  智多晶 立即选型

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2021.11  - 智多晶  - 数据手册  - 版本1.1 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

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型号- SL2S-22E,SL2E-5E,SA5T-100,SA5T-200,SA5T-366,SEALION 2000 系列,SA5Z-50,SL2E-2V,SEAL 5000,SL2E-4V,SEAL 5000 系列,SL2E-7V,SEALION 2000,SA5T-50,SL2-22E

20241024  - 智多晶  - 用户指南  - Version 1.0 代理服务 技术支持 采购服务
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