【产品】采用SOT-23封装的硅晶体管CMPT8099、CMPT8599 ，专为通用音频放大器应用设计

时间： 2019-07-03 来源：Central Semiconductor

技术问答

Central Semiconductor作为世界顶级分立半导体制作商，主要产品包括二极管、整流器、晶闸管、保护器件、晶体管、场效应管、多分立器件模块（MDM）。该公司推出的CMPT8099 NPN硅晶体管和CMPT8599 PNP硅晶体管，采用外延平面工艺制造，SOT-23封装，专为通用音频放大器应用而设计。

图1 CMPT8099 、CMPT8599硅晶体管产品外观图

CMPT8099 、CMPT8599硅晶体管的集电极连续电流I_C为 500 mA，其最大功耗P_D为 350 mW。其结壳热阻Θ_JA为 357 °C/W，工作和存储结温的范围均为 -65 °C 至 +150°C。晶体管的温度范围较宽，可以适应不同的温度条件，尤其是恶劣环境下的使用。

CMPT8099 、CMPT8599硅晶体管的特征频率最小值f_T 为 150MHz（V_CE=5V, I_C=10mA, f=100MHz的条件下）。当I_C=100mA, I_B=5mA时，其集电极-发射极间饱和压降V_CE(SAT)最大值为 0.4V。当I_C=100mA, I_B=10mA时，V_CE(SAT)最大值为 0.3V。两晶体管的共基极输出电容数值有一些差异。在V_CB=10V, I_E=0, f=1.0MHz的条件下，CMPT8099的共基极输出电容C_ob最大值为 6.0 pF；而CMPT8599的共基极输出电容C_ob最大值为 4.5 pF。两晶体管具有很好的频率特性，充放电时间短，开关损耗低。适用于通用音频放大器应用的设计。

两晶体管的集电极- 基极电压（V_CBO）为 80V，集电极-发射极电压（V_CEO）为 80V。两晶体管的发射极-基极电压（V_EBO）有区别，CMPT8099为 6.0V，而CMPT8599为5V。晶体管的放大倍数h_FE最高可以达到300（V_CE=5V, I_C=10mA的条件下）。晶体管性能良好，具有较高的集电极- 基极电压V_CBO，较低的集电极-发射极间饱和压降V_CE(SAT)，以及很高的放大倍数h_FE。

CMPT8099 、CMPT8599硅晶体管的主要特点总结如下：

• 集电极-基极电压V_CBO为80V

• 集电极-发射极电压V_CEO均为80V

• 发射极-基极电压V_EBO分别为6.0V和5.0V

• 其耗散功率P_D低，仅250mW（T_A=25℃）

• 集电极连续电流I_C为500mA

• 工作及存储结温范围宽，为-65°C~+150°C

• 结壳热阻最高均为357°C/W

• 采用SOT-23封装

CMPT8099 、CMPT8599硅晶体管的典型应用：

•通用音频放大器应用

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