【产品】采用SOT-23封装的硅晶体管CMPT8099、CMPT8599 ,专为通用音频放大器应用设计
Central Semiconductor作为世界顶级分立半导体制作商,主要产品包括二极管、整流器、晶闸管、保护器件、晶体管、场效应管、多分立器件模块(MDM)。该公司推出的CMPT8099 NPN硅晶体管和CMPT8599 PNP硅晶体管,采用外延平面工艺制造,SOT-23封装,专为通用音频放大器应用而设计。
图1 CMPT8099 、CMPT8599硅晶体管产品外观图
CMPT8099 、CMPT8599硅晶体管的集电极连续电流IC为 500 mA, 其最大功耗PD为 350 mW。其结壳热阻ΘJA为 357 °C/W,工作和存储结温的范围均为 -65 °C 至 +150°C。晶体管的温度范围较宽,可以适应不同的温度条件,尤其是恶劣环境下的使用。
CMPT8099 、CMPT8599硅晶体管的特征频率最小值fT 为 150MHz(VCE=5V, IC=10mA, f=100MHz的条件下)。当IC=100mA, IB=5mA时,其集电极-发射极间饱和压降VCE(SAT)最大值为 0.4V。当IC=100mA, IB=10mA时,VCE(SAT)最大值为 0.3V。两晶体管的共基极输出电容数值有一些差异。在VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz的条件下,CMPT8099的共基极输出电容Cob最大值为 6.0 pF;而CMPT8599的共基极输出电容Cob最大值为 4.5 pF。两晶体管具有很好的频率特性,充放电时间短,开关损耗低。适用于通用音频放大器应用的设计。
两晶体管的集电极- 基极电压(VCBO)为 80V,集电极-发射极电压(VCEO)为 80V。两晶体管的发射极-基极电压(VEBO)有区别,CMPT8099为 6.0V,而CMPT8599为5V。晶体管的放大倍数hFE 最高可以达到300(VCE=5V, IC=10mA的条件下)。晶体管性能良好,具有较高的集电极- 基极电压VCBO,较低的集电极-发射极间饱和压降VCE(SAT),以及很高的放大倍数hFE。
CMPT8099 、CMPT8599硅晶体管的主要特点总结如下:
• 集电极-基极电压VCBO为80V
• 集电极-发射极电压VCEO均为80V
• 发射极-基极电压VEBO 分别为6.0V和5.0V
• 其耗散功率PD低,仅250mW(TA=25℃)
• 集电极连续电流IC为500mA
• 工作及存储结温范围宽,为-65°C~+150°C
• 结壳热阻最高均为357°C/W
• 采用SOT-23封装
CMPT8099 、CMPT8599硅晶体管的典型应用:
•通用音频放大器应用
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