【产品】漏源电压650V的N沟道功率MOSFET R6077VNZ4，快速反向恢复时间适用于开关应用

时间： 2022-03-31 来源：ROHM

技术问答

ROHM旗下的N沟道功率MOSFET-R6077VNZ4，漏源电压为650V（Tj max），导通电阻典型值为42mΩ、最大值为51mΩ，脉冲漏极电流为±231A，耗散功率（Tc=25℃）为781W。采用TO-247封装形式，可用于开关应用。

图1 R6077VNZ4的实物图、封装形式和电路结构示意图

R6077VNZ4的特性：

1) 快速反向恢复时间 (trr)

2) 低导通电阻

3) 开关速度快

4) 驱动电路简单

5) 无铅电镀；符合RoHS标准

6) 无卤模塑料

R6077VNZ4的应用：

开关应用

R6077VNZ4的最大额定值参数（Ta=25℃）：

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由西瓜头头大翻译自ROHM，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】30V/40A 低导通电阻N沟道功率MOSFET AP4438系列，总功耗最大2.5W

铨力半导体推出的N沟道功率MOSFET AP4438系列采用先进的功率创新设计和硅工艺技术，实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计者提供了一种在广泛的电力应用中使用的极为高效的设备，采用SOT89封装，适用于电压转换或开关应用。

产品发布时间 : 2022-05-14

【产品】能进行2.5V栅极驱动的N沟道功率MOSFET AP2080Q，可实现低导通电阻和快速开关性能

铨力半导体推出的AP2080Q系列N沟道功率MOSFET采用先进的功率创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种电源应用。

产品发布时间 : 2023-06-04

【产品】60V/120A N沟道功率MOSFET RU6099R，可用于开关应用系统及逆变系统

RU6099R是锐骏半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，漏源电压为60V，连续漏极电流为120A，漏源导通电阻为6mΩ，二极管的连续正向电流为120A，结到壳的热阻值为1℃/W，最高结温为175℃，采用TO-220封装，可用于开关应用系统、逆变系统等应用。

产品发布时间 : 2022-05-01

【产品】600V/±6A/40W的N沟道功率MOSFET R6006KNX，导通电阻最大仅0.83Ω

R6006KNX是ROHM推出的N沟道功率MOSFET，产品漏源电压为600V，连续漏极电流高达±6A，耐压能力强。产品易于并联使用，具有低导通电阻和快速开关的特点，R6006KNX的栅源电压为±20V（静态）或±30V（交流，频率＞1Hz），可承受单脉冲雪崩电流为1.1A，可承受单脉冲雪崩能量为65mJ可用于开关类应用。

新产品发布时间 : 2019-10-27

【产品】800V/5.0A N沟道功率MOSFET CDM2205-800FP，适用于高电压、快速开关应用

CDM2205-800FP是CENTRAL半导体公司推出的一款N沟道功率MOSFET，导通电阻典型值为2.2Ω，最大值为2.7Ω，典型值Qg（tot）为17.4nC。N沟道功率MOSFET CDM2205-800FP采用TO-220FP封装，专为高电压，快速开关应用而设计，如功率因数校正(PFC)，照明和电源逆变器。

新产品发布时间 : 2018-06-17

【产品】TO-252-2L封装的N沟道功率MOSFET AP30N03K，具有超低导通电阻和高ESD能力

铨力半导体推出一款基于先进沟槽技术设计出的N沟道功率MOSFET——AP30N03K，采用TO-252-2L封装，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，可广泛应用于电源开关应用、硬开关和高频电路、不间断电源等多种应用。

产品发布时间 : 2023-05-04

【产品】德欧泰克N沟道功率MOSFET DIJ4A5N65，规格4A/650V，开关速度快且栅极电荷低

Diotec推出DIJ4A5N65的N沟道功率MOSFET，采用ITO-220封装。采用先进的沟道技术工艺，具有低导通电阻、开关速度快和低栅极电荷等特性，适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，电动工具以及商业、工业应用等。

新产品发布时间 : 2022-08-20

【产品】ROHM N沟道功率MOSFET-R6018VNX，内置高速二极管，适用于开关应用

ROHM旗下的N沟道功率MOSFET-R6018VNX，作为第四代PrestoMOS™内置快速恢复二极管SJMOS。其漏源电压为650V（Tj max），导通电阻最大值为204mΩ（VGS = 15V, ID = 4A），脉冲漏极电流为±54A，耗散功率（Tc=25℃）为61W。

新产品发布时间 : 2022-04-20

【产品】N沟道功率MOSFET AP150N03G，具有低总栅极电荷，低反向传输电容，快速开关速度等特点

AP150N03G是铨力半导体推出的N沟道功率MOSFET，具有低总栅极电荷，低反向传输电容，快速开关速度等特点，TC=25℃时，该器件漏源电压最大额定值为30V，栅源电压最大额定值为±20V，可应用于负载开关，PWM应用等电路场景。

产品发布时间 : 2022-12-17

【产品】漏源电压600V的N沟道功率MOSFET R60xxENZ系列，采用TO-3PF封装

罗姆推出的N沟道功率MOSFET-—R60xxENZ系列包含5个型号：R6015ENZ、R6020ENZ、R6024ENZ、R6030ENZ、R6035ENZ。它们的漏源电压均为600V，主要区别是连续漏极电流不同，依次为±15/20/24/30/35A，均采用TO-3PF封装，外部尺寸较小，有利于在pcb板上布线。

新产品发布时间 : 2020-04-28

【产品】600V/±11A/53W的N沟道功率MOSFET R6011ENX，导通电阻最大仅0.39Ω

R6011ENX是ROHM推出的N沟道功率MOSFET，产品漏源电压为600V，连续漏极电流高达±11A，耐压能力强。产品易于并联使用，具有低导通电阻和快速开关的特点，可用于开关类应用。

新产品发布时间 : 2019-11-16

【产品】静态漏源导通电阻典型值为3.6mΩ的N沟道功率MOSFET AP040N03G，具有快速开关特性

AP040N03G是铨力半导体推出的采用先进的电源创新设计和硅工艺技术的N沟道功率MOSFET，实现了尽可能低的导通电阻和快速的开关性能，为设计者提供了一个在广泛的电源应用中使用的极端高效的器件。由于连接电阻低，PDFN5*6封装被广泛用于所有商业-工业表面贴装应用。

产品发布时间 : 2022-11-22

【产品】100V/±10A的N沟道功率MOSFET RD3P100SN，导通电阻最大仅133mΩ

RD3P100SN是ROHM公司推出的一款N沟道功率MOSFET，其漏源电压额定值为100V，连续漏极电流最大±10A，栅源电压额定值为±20V，静态漏源导通电阻最大值仅为133mΩ，主要用于开关类应用。

新产品发布时间 : 2019-11-07

【产品】800V/±8A的N沟道功率MOSFET R8008ANJ，采用TO-263S封装形式

R8008ANJ是ROHM公司推出的一款具有低导通电阻的N沟道功率MOSFET。这款产品采用无铅电镀，符合RoHS标准，适用于开关类应用。该器件最高结温为150℃，工作结温和存储温度范围均为-55~150℃，能够适应较为恶劣的工业环境。R8008ANJ功率MOSFET采用TO-263S封装形式，其漏源电压VDSS额定值为800V，连续漏极电流额定值为±8A。

新产品发布时间 : 2019-10-30