【产品】存储容量5~128GB的eMMC芯片BGAE540，顺序读取速度最大值为320MB/s
SMART的DuraFlash BGAE540 eMMC芯片是一种焊接式的闪存存储解决方案，它将NAND闪存、嵌入式MMC控制器和高级固件组合在一个小型BGA（球栅阵列）封装中，提供稳定且经济高效的大容量嵌入式存储能力。BGAE540 eMMC旨在满足工业、医疗和互联网市场的严格要求。
SMART的BGAE540 eMMC符合eMMC v5.1规范，153球BGA封装采用符合JEDEC标准的0.5mm间距，100球BGA封装采用1.0mm间距。100球封装提供了更大的球间距和球直径，实现了成本更低的PCB设计，并通过更宽的金属走线简化PCB布线。
产品系列如下：
特点与优势
• 符合JEDEC v5.1标准
• BGAE540 SE：基础eMMC，TLC NAND，容量从16GB到128GB
• BGAE540 UE：预配置为pSLC增强存储媒体模式，容量从5GB到40GB
• 工业级工作温度（-40℃至+85℃）
应用
• 工厂自动化
• 工业物联网
• 医疗设备
• 网络设备
• POS终端
• RFID扫描仪
• 单板计算机
• 电信基础设施
其他性能指标（BGAE540 SE、BGAE540 UE）：
•随机读取速度：9.3K IOPS（最大值），随机写入速度：2.1K IOPS（最大值）
•数据保存时限：10年
•电源电压：3.3V±10%
•工作和存储温度：-40℃～+85℃
• 物理尺寸：11.5×13×1mm（153球封装）、14×18×2.45mm（100球封装）
BGAE540 SE的产品订购信息：
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产品型号
|
品类
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DENSITY(GB、Mb)
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ORGANISATION
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VCC(V)
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TEMPERATURE RANGE(°C)
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PACKAGE
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NCNR
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MOQ
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VCCQ(V)
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ASFC4G31M-51BIN
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FLASH
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4GB
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32Gbx1 NAND
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3V
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Industrial (-45 + 85°C)
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153ball FBGA(11.5x13mm)
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NO
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160
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1.8V, 3.3V
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选型表 - ALLIANCE 立即选型
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BGAE540 eMMC 153-ball/100-ball embedded memory Product Brief
型号- BGAE540 UE,SP9MAGP3AMI01,BGAE540 SE,SP9MAGP3AMI11,SP9MCGP3AMI01,SP9MCGP3AMI11,SP9QAGP3AMI01,SP9MBGP3AMI01,SP9MBGP3AMI11,SP9QBGP3AMI01,SP9QBGP3AMI11,SP9MDGP3AMI11,SP9MDGP3AMI01,SP9QAGP3AMI11,SP9QCGP3AMI11,SP9QCGP3AMI01,SP9QDGP3AMI11,SP9QDGP3AMI01,BGAE540
Designed Solutions Driven by Innovation DuraFlash™ Flash Storage Products
型号- R800,N200,RU350,S5E,RU150,T5E,RD530M,RP1700,BGAE340,S1800,RD130M,ME2,BGAE540,MP3000,HU250E,T5PFLC,T6CN,T5EN,RU150E,T5PF,H9,RD230M,XL,XL+,RD230
BGAE540 | eMMC | 153-ball/100-ball
型号- SP9MAGP3AMI01,SP9MAGP3AMI11,SP9MCGP3AMI01,SP9MCGP3AMI11,SP9QAGP3AMI01,SP9MBGP3AMI01,SP9MBGP3AMI11,SP9QBGP3AMI01,SP9QBGP3AMI11,SP9MDGP3AMI11,SP9MDGP3AMI01,SP9QAGP3AMI11,SP9QCGP3AMI11,SP9QCGP3AMI01,SP9QDGP3AMI11,SP9QDGP3AMI01,BGAE540
DuraFlash™ Flash Storage Products
型号- R800,N200,RU350,S5E,RU150,MP3000,T5E,HU250E,RD530M,T5PFLC,T6CN,T5EN,RU150E,RP1700,T5PF,BGAE340,S1800,RD130M,RD230M,XL+,ME2,BGAE640,RD230
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