【产品】采用高密度单元设计的N沟道增强型MOSFET PT2302B，存储温度为-55℃至150℃
金誉半导体集团旗下的迪浦电子是一家专业从事模拟及数模混合集成电路设计的高科技创新企业，其推出的N沟道增强型MOSFET PT2302B。采用先进的沟槽工艺技术和高密度单元设计，实现超低导通电阻。在TA=25℃的条件下，其漏源电压为20V，栅源电压为±12V，连续漏极电流为2.3A。
产品外观和示意图
特点：
● VDS=20V
●RDS(ON)<50mΩ（Vgs=4.5V，Ids=2.0A）
●RDS(ON)<80mΩ（Vgs=2.5V，Ids=1.0A）
● 先进的沟槽工艺技术
● 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻
最大额定参数和热特性（TA=25℃，除非另有说明）：
注：
1. 脉冲宽度受限制于最大结温
2. 表面安装在 FR4 板上，t ≤ 5 sec
电气特性：
1）脉冲测试：脉冲宽度≤300us，占空比≤2%
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产品型号
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品类
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VDS
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ID
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工作温度
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等级
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封装形式
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最小包装
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最小订货量
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PT2302A
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场效应管
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20V
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3A
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-55℃~+150℃
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商业级
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SOT-23
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3000
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3000
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选型表 - 金誉半导体 立即选型
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
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