【产品】专为谐振式无线电源传送应用而设计的eGaN半桥功率集成电路

2018-07-11 EPC
eGaN半桥功率集成电路,氮化镓功率集成电路,无线电源演示套件,D类发射板 eGaN半桥功率集成电路,氮化镓功率集成电路,无线电源演示套件,D类发射板 eGaN半桥功率集成电路,氮化镓功率集成电路,无线电源演示套件,D类发射板 eGaN半桥功率集成电路,氮化镓功率集成电路,无线电源演示套件,D类发射板

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出内含集成式自举功能的场效应晶体管的eGaN半桥功率集成电路EPC2107(100 V)及EPC2108(60 V)。该集成电路去除了由栅极驱动器所引致的反向恢复损耗,也不需高侧箝位。这是首次在eGaN功率电路中集成了一个自举场效应晶体管。



eGaN半桥功率集成电路EPC2107及EPC2108专为谐振式无线电源传送应用而设计,可快速设计出高效的终端系统,为无线电源传送应用的普及做好准备。此外,这些氮化镓功率集成电路使用超小型的芯片封装方式,缩小了整个系统的尺寸。由于eGaN半桥功率集成电路EPC2107及EPC2108这些全新晶片系列可减少整体的组件数量,因此它的成本可以更低 -- 一个氮化镓器件相对于三个场效应晶体管!


Rezence™ 无线电源技术标准

虽然市场上有多种无线电源传送的标准,无线充电联盟(A4WP)的Rezence, 技术和规范为作为终端用户的消费者提供了优越的特性及功能诸如充电时的空间自由度, 使一台终端不需精确地摆放在充电板上。此外,充电范围宽泛,使消费者可以随时随地“放下设备,即可充电”。该标准也可以对具备不同功率条件的设备同时充电。再者,符合Rezence技术及规范的无线电源系统可以在有金属物件诸如钥匙、辅币及用具的情况下对设备充电,使之成为车载、零售及家具应用的理想选择。


集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为一个集成电路可以去除互感及间隙空间。单一个集成式功率组件可以提高效率(尤其是在更高频时)及功率密度而同时降低无线电源系统设计师的终端产品的组装成本。


eGaN半桥功率集成电路EPC2107及EPC2108采用芯片封装方式(1.35 mm X 1.35 mm),可缩小尺寸、加快开关速度及提高散热性能,从而增加功率密度。



无线电源演示系统

宜普电源转换公司也推出无线电源传送演示系统及开发板以帮助工程师容易对EPC2107及EPC2108eGaN功率集成电路进行评估。

符合A4WP第三级(EPC9113)及第二级(EPC9114)的无线功率演示系统包含三个组件:

  • ZVS D类发射板(放大器)

  • Rezence第二级:EPC9114演示系统套件含EPC9510开发板及采用100 V的EPC2107eGaN FET。

  • Rezence第三级:EPC9113演示系统套件含EPC9509开发板及采用60 V的EPC2108eGaN FET。

  • 符合Rezence第二级及第三级标准的发射(传送)线圈

  • 符合Rezence第三类标准的接收板(包含线圈)


EPC9113无线电源演示套件符合A4WP第三级标准,可工作在6.78 MHz频率时对一个DC负载传送高达16 W电源(也可以调节至工作在13.56 MHz频率)。EPC9114演示套件符合A4WP第二级标准并传送10 W电源。演示套件旨在帮助工程师在高效无线电源传送应用简化对氮化镓场效应晶体管进行评估的过程。两个套件都采用具备高频开关性能的宜普公司氮化镓晶体管以实现设计高效无线电源传送系统。


如果客户使用自己设计的线圈,各种发射板(或放大器)可以独立购买:EPC9509 (采用60 V的EPC2108)与EPC9510(采用100 V的EPC2107)。世强库存充足,还可提供线上、线下技术问题解决。


产品详情:

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
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  • Tiger.Hu Lv7. 资深专家 2018-12-31
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  • 我心永恒 Lv6. 高级专家 2018-11-20
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产品型号
品类
Configuration
VDSmax(V)
VGSmax(V)
Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
QG typ(nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
QRR(nC)
CISS (pF)
COSS (pF)
CRSS (pF)
ID(A)
Pulsed ID (A)
Max TJ (°C)
Package(mm)
Launch Date
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
Single
15
6
30
0.745
0.23
0.14
0.42
0
86
67
20
3.4
28
150
BGA 0.85 x 1.2
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EPC氮化镓晶体管选型表

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产品型号
品类
最大耐压(V)
持续电流(A)
导通阻抗(mΩ)
导通电荷(nC)
峰值电流(A)
封装(mm)
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
15V
3.4A
30mΩ
0.745nC
28A
BGA 0.85 mm*1.2mm

选型表  -  EPC 立即选型

EPC2108设计模型

型号- EPC2108

2024/05/23  - EPC  - 设计模型  - V2 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货

【应用】不受电源线束缚的氮化稼半导体技术助力医疗器械

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2018-05-22 -  应用方案 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货
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品牌:EPC

品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge

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品类:Development Board

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品牌:EPC

品类:Development Board

价格:¥9,482.5080

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品牌:芯际探索

品类:GaN Power ICs

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品牌:芯际探索

品类:GaN Power ICs

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品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

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品类:Enhancement Mode Power Transistor

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