PN Junction P3M06040K3 SiC MOS N-Channel Enhancement Mode，High Blocking Voltage with Low On-Resistance

时间： 2022-01-26 来源：PN Junction

技术问答

PN Junction P3M06040K3 SiC MOS N-Channel Enhancement Mode.Thermal Resistance from Junction to Case R_θJC 0.59 °C/W; Wide range of applications: Solar Inverters, EV Battery Chargers, High Voltage DC/DC Converters, etc.

Fig.1

Features
• Qualified to AEC-Q101
• High Blocking Voltage with Low On-Resistance
• High-Frequency Operation
• Ultra-Small Q_gd
• 100% UIS tested

Benefits
• Improve System Efficiency
• Increase Power Density
• Reduce Heat Sink Requirements
• Reduction of System Cost

Maximum Ratings

Table.1

Applications
• Solar Inverters
• EV Battery Chargers
• High Voltage DC/DC Converters
• Switch Mode Power Supplies

Order Information

Table.2

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产品型号	品类	Blocking Voltage(V)	Package	RDS(ON) @25℃(mΩ)	Current Rating(A)	Qgd(nC)	Output Capacitance(pF)	Max Junction Temperature(℃)
P3M06025K3	碳化硅场效应管	650V	TO247-3	25mΩ	97A	34.7nC	297pF	175℃