PN Junction P3M06040K3 SiC MOS N-Channel Enhancement Mode,High Blocking Voltage with Low On-Resistance
PN Junction P3M06040K3 SiC MOS N-Channel Enhancement Mode.Thermal Resistance from Junction to Case RθJC 0.59 °C/W; Wide range of applications: Solar Inverters, EV Battery Chargers, High Voltage DC/DC Converters, etc.
Fig.1
Features
• Qualified to AEC-Q101
• High Blocking Voltage with Low On-Resistance
• High-Frequency Operation
• Ultra-Small Qgd
• 100% UIS tested
Benefits
• Improve System Efficiency
• Increase Power Density
• Reduce Heat Sink Requirements
• Reduction of System Cost
Maximum Ratings
Table.1
Applications
• Solar Inverters
• EV Battery Chargers
• High Voltage DC/DC Converters
• Switch Mode Power Supplies
Order Information
Table.2
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产品型号
|
品类
|
Blocking Voltage(V)
|
Package
|
RDS(ON) @25℃(mΩ)
|
Current Rating(A)
|
Qgd(nC)
|
Output Capacitance(pF)
|
Max Junction Temperature(℃)
|
P3M06025K3
|
碳化硅场效应管
|
650V
|
TO247-3
|
25mΩ
|
97A
|
34.7nC
|
297pF
|
175℃
|
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