PN Junction P3M06040K3 SiC MOS N-Channel Enhancement Mode，High Blocking Voltage with Low On-Resistance
PN Junction P3M06040K3 SiC MOS N-Channel Enhancement Mode.Thermal Resistance from Junction to Case RθJC 0.59 °C/W; Wide range of applications: Solar Inverters, EV Battery Chargers, High Voltage DC/DC Converters, etc.
Fig.1
Features
• Qualified to AEC-Q101
• High Blocking Voltage with Low On-Resistance
• High-Frequency Operation
• Ultra-Small Qgd
• 100% UIS tested
Benefits
• Improve System Efficiency
• Increase Power Density
• Reduce Heat Sink Requirements
• Reduction of System Cost
Maximum Ratings
Table.1
Applications
• Solar Inverters
• EV Battery Chargers
• High Voltage DC/DC Converters
• Switch Mode Power Supplies
Order Information
Table.2
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产品型号
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品类
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Blocking Voltage(V)
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Package
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RDS(ON) @25℃(mΩ)
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Current Rating(A)
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Qgd(nC)
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Output Capacitance(pF)
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Max Junction Temperature(℃)
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P3M06025K3
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碳化硅场效应管
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650V
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TO247-3
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25mΩ
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97A
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34.7nC
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297pF
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175℃
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选型表 - 派恩杰 立即选型
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