【选型】国产A25S80M8R-A可PTP替换WINBOND W25Q80DVSSIG,待机功耗仅25μA

2021-08-20 世强
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本文将对AITSPI Nor Flash A25S80M8R-A可替换WINBOND的W25Q80DVSSIG进行可行性分析,以帮助大家解决选型问题。


A25S80M8R-A和W25Q80DVSSIG参数对比如下图所示:

图1  A25S80M8R-A与W25Q80DVSSIG电性能参数对比

从图1可知:

1、 A25S80M8R-A和W25Q80DVSSIG内存、频率、工作电压、工作温度等参数相同;

2、 A25S80M8R-A和W25Q80DVSSIG功耗基本相近。

 

A25S80M8R-A和W25Q80DVSSIG封装、引脚分布:

图2 A25S80M8R-A的引脚分布

图3 W25Q80DVSSIG引脚分布

A25S80M8R-A和W25Q80DVSSIG的管脚定义对比如下:

图4  A25S80M8R-A管脚定义

图5  W25Q80DVSSIG管脚定义

以上可知A25S80M8R-A和W25Q80DVSSIG封装相同,管脚定义相同,可以实现PIN-TO-PIN替代。

 

综上所述,AiT的SPI NOR FLASH A25S80M8R-A不但可以PIN-TO-PIN替换WINBOND的W25Q80DVSSIG,而且待机时最大功耗值比W25Q80DVSSIG要小。此外具有更低的成本和更好的供货周期,可快速支持样品和后续量产服务,因此,推荐世强代理AiT的A25S80M8R-A替代W25Q80DVSSIG进行设计。


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推荐创瑞A25S80M8R-A A25S80是8M位串行外围接口(SPI)闪存,支持双/四SPI:串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(/WP)和I/O3(/HOLD)。双I/O数据以216Mbits/s的速度传输,四路I/O和四路输出数据以432Mbits/s的速度传输。该设备使用单一的低压电源,范围从2.7伏到3.6伏。 数据手册:https://www.sekorm.com/doc/1396798.html

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