专为SiC MOSFET设计的驱动模块，使器件工作在最佳状态

时间： 2016-08-17 来源：世强

技术问答

随着宽禁带半导体器件的发展，第三代电力电子器件已成为行业内关注的焦点。SiC器件因其高耐压、高频、高效等显著特点，在电力电子产品中已得到了广泛的研究与应用。虽然SiC器件采用Si器件的驱动电路，就可以显著得提升产品效率和功率密度，但是，使用传统的驱动电路并不能使得SiC器件工作在最佳状态，相应的产品效率和性能也会受到一些影响。

全球功率器件的领先者cree公司推出的双路SiC MOSFET门极驱动模块CGD15HB62P1专为1200V SiC MOSFET器件而设计，用于SiC MOSFET分立器件和模块的驱动，能使器件工作在最佳状态。CGD15HB62P1的实物图如下所示：

图1： CGD15HB62P1实物图

图2为CGD15HB62P1的原理图。CGD15HB62P1包含两路完全相同的驱动回路，两者可独立使用，也可用于驱动SiC MOSFET的一个桥臂。驱动模块供电采用15V，输入输出之间在开关脉冲的上升沿和下降沿有300ns的延时。输入的开关脉冲的高电平应为5V，低电平为0V。最大的开关频率可达到64kHz。每个通道的输出功率为1.8W，开通电阻和关断驱动电阻均为10Ω，输出驱动波形高压为20V，低压为-5V。该模块的输入侧包括电源供电、故障报警、使能、复位和PWM信号端，具备短路保护和欠压保护功能。且CGD15HB62P1采用直接安装设计，减小了驱动回路的寄生电感。

图2 ：CGD15HB62P1的原理图

CGD15HB62P1的产品特点：
• 2个输出通道
• 集成的隔离供电
• 直接安装的低电感设计
• 短路保护
• 欠压保护

适合与CGD15HB62P1搭配使用的模块：
• CAS300M12BM2, 1200V, 300A 模块

• CAS120M12BM2, 1200V, 120A 模块

CGD15HB62P1的应用场合：
• 工业应用中的SiC MOSFET模块的驱动
• 高至1000V的直流母线电压

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小猪 Lv5. 技术专家 2018-11-14

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