【产品】S极和N极双输出的低功耗霍尔效应传感器IC AS1821，总功耗通常小于1.7μA

时间： 2022-07-28 来源：昂赛微电子

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昂赛微电子推出S极和N极双输出的低功耗霍尔效应传感器IC AS1821采用低功耗CMOS工艺，专为低功耗、高性能单极检测双输出霍尔效应应用而设计，如盖板开关、非接触式开关、固态开关和盖闭合传感器等电池操作。霍尔IC集成了一个用于磁感应的片上霍尔电压发生器、一个放大霍尔电压的比较器、一个斩波放大器、一个施密特触发器以提供用于噪声抑制的开关迟滞和两个互补输出。

AS1821在1.8V电源下的总功耗通常小于1.7μA。AS1821旨在响应交替的北极和南极。当磁通密度（B）高于工作点（B_OP）时，输出将打开（低电平），保持输出直到磁通密度（B）低于释放点（B_RP），然后输出关闭（高电平）。

该器件采用DFN1014-4L和DFN1010-4L封装，额定温度范围为-40°C~125°C。所有封装均符合RoHS和绿色（环保）标准。

特点：

●输入电压范围：1.65V~5.0V

●微功耗，非常适合电池供电应用

●单级工作，双输出

●非常高灵敏度的霍尔传感器

●低功耗CMOS工艺技术

●斩波稳定放大级

●磁灵敏度（典型值）B_OPS=40高斯，B_RPS=20高斯；B_OPN=-40高斯，B_RPN=-20高斯

●良好的射频抗扰度

●无需上拉电阻

●解决方案尺寸小

●符合RoHS和绿色环保要求

●DFN1014-4L和DFN1010-4L封装

●温度范围为-40℃~+125℃

应用：

●翻盖手机中的盖板开关

●笔记本、PC/PAD中的盖板开关

●消费品中的非接触式开关

●固态开关

●手持无线手机唤醒开关

●用于电池供电设备的盖闭合传感器

●用于在低占空比应用中替换簧片开关的磁铁接近传感器

●DV、DSC和白色家电

标识信息：

DFN1014-4L

DFN1010-4L

典型应用电路：

功能模块框图：

绝对最大额定值¹（T_A=25°C，除非另有说明）：

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昂赛微电子推出的AS1911 霍尔传感器IC采用低功耗CMOS工艺，设计用于低功耗、高性能的单极检测霍尔效应应用，如电池供电的盖板开关、非接触式开关、固态开关和盖板关闭传感器等。

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该资料介绍了ANGSEMI公司的磁传感器集成电路（Hall-Effect Sensor IC）AS1895。该芯片采用低功耗CMOS工艺设计，适用于电池供电的低功耗高精度全极性检测应用，如翻盖开关、无接触式开关、固态开关和闭合感应器等。它集成了片上霍尔电压发生器、比较放大器、斩波放大器和施密特触发器等功能模块，以提供噪声抑制和高灵敏度。

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05, Aug. 2021 - 数据手册 - Version 1.2 代理服务技术支持采购服务

AS1795单极检测高性能霍尔效应传感器IC规格书

该资料介绍了ANGSEMI公司的AS1795单极检测霍尔效应传感器IC。这款芯片采用BiCMOS工艺，适用于高性能的单极检测霍尔效应应用，如家用电器、转子位置感应和无刷直流电机等。它集成了片上霍尔电压发生器、比较器、动态偏移消除系统、上拉电阻、施密特触发器和稳压器等功能，以提供高灵敏度和抗干扰能力。AS1795支持2.5V至30V的工作电压范围，具有SIP-3L和SOT23-3L封装选项。

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20, Apr. 2018 - 数据手册 - Version 1.0 代理服务技术支持采购服务

AS1801磁传感器IC产品介绍

该资料介绍了ANGSEMI公司的AS1801霍尔效应传感器IC，适用于低功耗、高性能的全极性检测应用，如盖开关、无接触式开关、固态开关和盖关闭传感器等电池供电设备。该芯片集成了片上霍尔电压发生器、比较器、斩波放大器和施密特触发器，具有微功耗、高灵敏度等特点。

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15, Jun. 2016 - 数据手册 - Version 1.2 代理服务技术支持采购服务

AS1800全极检测高性能低功耗霍尔效应传感器IC

该资料介绍了ANGSEMI公司的一款磁传感器集成电路（IC）——AS1800。这款芯片采用低功耗CMOS工艺设计，适用于电池供电的低功耗、高性能全极性检测霍尔效应应用，如翻盖开关、非接触式开关、固态开关和盖子关闭传感器等。它集成了片上霍尔电压发生器、比较放大器、斩波放大器和施密特触发器等功能模块，以提供噪声抑制和切换功能。

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该资料介绍了ANGSEMI公司的磁传感器集成电路（AS1794），这是一种高性能的单极检测霍尔效应IC。它适用于家用电器、无刷直流电机和其他应用，具有高灵敏度、抗干扰能力强等特点。

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