UMS将于11月在GH25 GaN工艺生产上提供多项目晶圆（代工）服务

时间： 2020-10-28 来源：UMS

技术问答

UMS将于11月在其GH25 GaN工艺制程生产上提供多项目晶圆（代工）服务。GH25是一种采用SiC基片，线宽0.25µm HEMT GaN工艺制程技术，适用于超高功率应用。GH25是为设计大功率放大器，开关转换和LNAs（低噪声增强系统）理想工艺，适用于电信，卫星通信，电子战和雷达应用，频率应用高达20GHz。有了GH25，用户将能够设计自己的GaN HPA，LNAs，开关，二极管，MMIC，电源排插和多功能组件。出色的PDK和模型可以提供如下支持：

支持电气热设计功能的高精度非线性可扩展模型
EM仿真器的堆栈
DRC用于布局规则验证

多项目晶圆MPW的发布日期为2020年11月20日。

我将收到多少个裸片，它要花多少钱？

用户将收到您的电路所需的16片工程用芯片（未经测试和检查）。这些芯片包装在GelPack®盒中，均来自于GH25 PCM优质晶圆。价格根据用户的电路尺寸乘以每mm²的单价得出。

例如，如果您的电路为2 x 2mm²，则价格为（2 x 2）x 2800€= 11 200€

GH25 MPW尺寸（mm）:

GH25的主要特性参数如下所示，其中功率密度4.5W/mm，栅极长度仅0.25µm；Vbds/Vbce 超过120V，Vpinch为-3.4V，VdsDC为25V。GH25的截止频率达到30GHz，Gm为300mS/mm。此外，其TaN电阻为30 Ω/□；TiWSi 电阻为1000 Ω/□。

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全部评论（1）

用户10952494 Lv2 工程师 2021-03-04

您好，计划利用法国UMS公司的0.25µm GaN（GH25）工艺进行功放的设计开发，请问可否申请PDK？如何申请？谢谢
- alin_世强回复：尊敬的用户，您好！如电话沟通您可通过我司平台进行查看具体型号，若有其他疑问，欢迎致电400-887-3266或发邮件至service@sekorm.com。
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